Способ металлизации алмазовв пт бфонд з^шпгртой

Способ металлизации алмазовв пт бфонд з^шпгртой

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

4217l9

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидегельства— (22) Заявлено 01.12.71 (21) 1718697/25-8 с присоединением заявки ¹ 1718699/25-8 (32) Приоритет—

Опубликовано 30.03.74. Бюллетень ¹ 12

Дата опубликования описания 19.11.74

М,Кт, С 23с 11/00

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий

ЪДК 621.922.079(088.8) С. А. Клевцур, И. В. Хижняк, А. В. Акиншин, Л. А. Филькин, Ю. Л. Орлов, И. P. Накостенко, И. Д. Трыханкин, А. И. Красовский, М. М. Белоусов и В, П. Кузьмин (72) Авторы изобретения

Институт физической химии АН СССР (71) Заявитель цптБ

Ф р туг «pg;3( (54) СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ АЛМАЗОВ

Изобретение касается металлизации натуральных и синтетических алмазов металлами и может быть широко использовано в промышленности для изготовления алмазного и алмазно-абразивного инструмента.

Известен способ металлизации алмазов галогенидами тугоплавких карбидообразующих металлов с использованием кшгящсго слоя.

Мсталлизация проводится в п1эис тствии водорода и инертного газа при температуре

400 — 1000 С. Недостатками известного способа являются непрочное соединение металлической пленки с алмазом, а также низкая скорость осаждения металла на поверхности зерна.

С целью повышения адгезии металлической пленки с алмазом в газовую среду вводят газообразньш углеводород и все компоненты берут в следующем соотношении, в молях на реакцию:

Галогенид металла 0,15 — 1,0 водород 0,2 — 6,0 газообразный углеводород 0,1 — 1,0 при расходе инертного газа 0,5 — 60 л/.яин.

С целью повышения эффективности и увеличения скорости осаждения металла на поверхности зерна металлизацию проводят в наложенном электрическом поле с напряженностью, равной 0,5 — 4,0 кв/сл.

Способ может быть использован для получения на поверхности алмазных зерен метало ло-карбидных и металлических покрытий пз титана, циркония, гафния, ниобия, тпнтала и вольфрама с прочной адгезией покрытий с поверхностью алмаза.

Пример. Процесс металлизации алмазного порошка марки А-16 размером зерна

160 ик нпобием проводят в аппарате кипящего слоя при температуре 930"C. Высота кипящего слоя составляет 0,3 диаметра реакцион1() ного аппарата. H2pl 1: лорида ппооия в смеси с водородом, метаном и аргоном вдувают в слой алмазных частиц. Концентрация пентаxëoðèäà нпобия, водорода и метана составляет для хлорида металла 0,3, водорода 0,85 и

«ропана О> 15 a»o. t oT расчетного I

20 При наложении электрического поля в зону реакции толщина покрытия увеличивается в

2 — 3 раза.

Предмет изобретения

1. Способ металлизации алмазов в кипящем слое галогенидами тугоплавких карбидообразующих металлов в присутствии водорода и инертного газа при температуре

3Q 400 — 1000 C отлпча оtöò1ñÿ тем, что, с целью

421719

Составитель Н. Балашова

Текред 3. Тараненко

Редактор Т. Ларина

Корректор Л. Царькова

Заказ 4776 Изд. М 1434 Тираж 875 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

МОТ., Загорский цек

3 повышения адгезии металлической пленки с алмазом, в газовую среду вводят углеводороды.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что компоненты газовой среды берут в следующем соотношении, в молях на реакцию:

Галогенид металла 0,15 — 1,0 водород 0,2 — 5,0 газообразный углеводород 0,1 — 1,0 при расходе инертного газа 0,5 — 60 л/мин, 3. Способ по пп. 1 н 2, отличающийся тем, что с целью интенсификации процесса, металлизацию проводят B электрическом поле с напря>кенностью, равной 0,5 — 4,0 кв/см.