Патент ссср 429483

Патент ссср 429483

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

())) 429483

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 12.01.70 (21) 1393944/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 25.05.74. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 25.10.74 (51) М. Кл. Н OIL 7/50

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР па делам изааретений и открытий (53) УДК 621.382(088.8) (72) Авторы изобретения

Я. М. Пинчук, Н. В. Богданова, В. В. Зайцев, Л. С. Рахленко и В. И. Френкель (71) Заявитель (54) РАСТВОР ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ НИКЕЛЯ

НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ

Предмет изобретения

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано при получении контактных слоев к полупроводниковым структурам.

Известно, что для создания омических контактов к полупроводниковым структурам используется химическое осаждение никеля из щелочных и кислотных растворов. Однако при осаждении из щелочных растворов имеют место неустойчивость покрытий при высоких температурах и неравномерность и несплошность покрытий.

Покрытия из кислых растворов, содержащих хлорид никеля, гипосульфит натрия, натриевые соли органических кислот и глицин, в целом, давая более качественные покрытия, не обеспечивают достаточной прочности и сплошности покрытия на полупроводниковых структурах.

Цель изобретения — разработка состава кислого раствора, обеспечивающего высокое качество покрытий на полупроводниковых структур ах.

Это достигается оптимизацией количества глицина в растворе.

Уменьшение количества глицина (15 г/л) по сравнению с вводимым в известных растворах (30 г/л) повышает в 2 — 3 раза стабильность раствора и обеспечивает высокое качество сцепления и сплошность получаемых покрытий.

5 Оптимальный состав раствора для получения покрытия на полупроводниковых структурах содержит (рН 5 — 5,5), г/л: хлорида никеля — 18 — 25, гипофосфита натрия — 25 — 85, янтарно-кислого натрия — 22 — 30, глицина—

10 до 15. Покрытие осуществляют при нагревании раствора до 90 — 95 С.

Предлагаемый раствор может найти применение для получения легирующих покрытий, причем содержание фосфора в покрытии до15 стигает 10%.

Раствор для осаждения слоев никеля на

20 полупроводниковые структуры, содержащий хлорид никеля, гипофосфит натрия, натриевую соль органической кислоты и глицин, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью улучшения прочности сцепления между полупроводнико25 вой структурой и контактными слоями и улучшения сплошности покрытия, количество глицина взято не более 15 г/л.