Генераторчастотно-модулированных колебаний

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАЙИ Е ()432659

Союз Советских

Социалистических

Республик (б1) Зависимое от авт. свидстсльствл 369675 ! 22) Заявлено 23.08.71 (21) 1691261/26-9 с присоединением заявки,%в (32) Приоритет—

Опубликовано 15.06.74. Бюллетень ¹ 22

Дата опубликования описания 21.0-1.75!

51) Ч. Кл. Н 03с 3/06

Государственный комитет

Совета Министров CGCP по делаи иэооретений и открытий (53) 4 ДК 621 395 64 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. И. Черныш и А. М. Черныш (71) Заявитель (54) ГЕНЕРАТОР ЧАСТОТНО-МОДУЛИРОВАННЫХ

КОЛ ЕБАН И Й

Изобретение относится к устройствам формирования частотно-модулированных колебаний систем передачи дискретной информации iio каналам переменного тока, преимущественно, в диапазоне тональных частот.

По основному авт. св. 369675 известен генератор частотно-модулированных колебаний, в котором модуляционная индуктивность включена между синфазными выходами усилителей обратной связи и объединена ио маг- !О

kIIITkloму потоку с основной некоммутируемой индуктивностью последовательного колебательного контура LС.

Недостатком известного генератора является ограничение допустимой девиации .BcToTII величиной добротности колебательного контура и величиной напряжения источника питания.

С цел(ио расширения модуляционной характеристики в предлагаемом генераторе между выходами модуляционной индуктивности и коллекторами выходных транзисторов усилителей обратной связи включены рлзвязывающис диоды в направлении проводимости коллекторных токов выходны: транзисторов а переходы коллектор-эмиттср выходных транзисторов усилителей обратной связи шунтированы резисторами.

На черте>ке приведена электрическая схема предлагаемого генератора частотно-модулированных колебаний.

Колебательный контур I, 2 и ) включен между входом усилителя Обратной связи нл транзисторах 4, 5 и его выходом нл транзисторах 6, 7.

Модуляционная индуктивность 8 последовательно с резистором 9 включена между

CIIH$B3HI>I)tIt 13ыходл. >!и Tp;1H3iICTOpOB 6, 7

10. 11.

Диоды 12 — 1). предотвращающие шунтирование обмотки 8 переходами база-ко tëåêтор транзисторов 6, 7 и 10, l l Bкл!Оч(иь! следовлтсльно в коллскторныс цсitit этих транзисторов.

Резисторы 16 — 19 начального смс!цени,I вк, !ючсны Ilklp0.1лсл1>но кОллсктор-эв!иттсрны»1 переходам тр:HBисторов 6, 7 и 10, 11.

Ъ стройст!3 1 20 и 2 1 фор >>! и рова и ив (III H(IIoB управления, вы(!олиснные г> виде контактов перскл(очсния, 3лдлют режимы работы трлнзист,)ров 6, 7 и 10, 11.

Рсз !стор 22 начального смещения и Ориентировки усилителей Обрлтиой связи улучшает

l c. IoÂI!k! 13030Уждс!)и!! колсО!lний в Ген(ораторе.

Рл,Hotloëÿðíûñ источники питания Е, и

1 > генератора вкгио !сны послсдоватсл! но и

СОГЛ ЛСНО.,! > )659

Рсз|!Сторы 22-- 26 Обеспечивают lie«pcl)i, ность колебательного процесса В контуре 1, 2, 8 гсп|сратора за счет сипфазиого с направлением тока в контуре иодкл!Очсиия транзисТороВ 6, 7 и, ill 10, 1 1 K l! PTo ill (((< 1)! I IHT(l 11115!

Еl |- 2.

Прс (73ã3ñ()Hûé генератор p300Tяст следующим Образом.

П р и и к л 10 ч с н и l и с т О ч и и к О в и и т 1 и и 51 В О 3 и ика!от псрскодныс процессы в колес)атсльиом контуре 1, 2, 8, обеспечивающие возбуждение колебаний в генераторе. Поддср?канис непрерывного колебательного процесса осу! II(!Ствляется с помощью резисторов 22 — 26. Ток колебательного контура управляет транзисторами ус|(л(|тслсй обратной связи, ряботакниими в pc>K;!ìå переключения.

Включение диодов 12 — !5 !И)зьоляст искл(ос(1! ть и(к нтирова нис модул 5(цион ной Обмотки 8 исрскодями база — коллектор транзисторов 6, 7 или 1О, 11 в зависимости От поло>кения контактов устройств 20, 21 формирования сигналов управления.

1Цунтирование модуляционной обмотки в течение части периода колебаний приводит к снижен шо эф(рсктивной добротности контур я и искажсишо формы напряжения ия выходе. (1,l О (ы 12 — 15 включены встречно для напряжения иа модуляционной обмотке oTI(oc!(тельно полярности источников питания. Повышение добротности контура генератора ведет к увсличешио напряжения иа модуляционной иидуктивиости 8, а наличие развязывающих ((иодов 12 — 15 позволяет снять ограничение на всличину этого напряжения относительно величии источников питаш!я

Е„Е2, в рсзульта7е чего достигается расширение модуляционной характеристики генератора.

Шунтирование коллектор-эмиттерных переходов транзисторов 6, 7 и 10, 11 резисторами 16 — 19 позволяет уменьшить отрицательное действие развязывающик диодов 12 — 15

В М 0 М (. и Т 11 С Р С К. |0 -! С 1(! 1 5(, H 3 !! P 1! М С P, T j) >!! 1 3 l! С—

ТороВ 5, 7 i(4, 6, Koi 13 ToK .Опту р3 мсияст свое направление. ! сзисторы 16 — 19 ограни швают iio всли5 !((Ho ток c )Io((I 11!!51;l, 15! ToKoB Ko 1(.o>!TP. 1BHol 0 контура в момент изменения положений транзисторов 6 или 7, 10 !(ли 11. В этот исрсходH11!i \!Омсl!T, когд>1 ток В конту ре меняет н3

l! j) 3 B 7сниС, Tp3 Н311С1 Оры 4, 5 HQ B OCTO51H!i!( иоддср?к и Вать режим H3chliilcHii» Вы хо;(нык транзисторов 6, 7 и 10, 11. Выкодныс транзисторы 6, 7 и 10, 11 остаются иа этот момент в иясьицснии зя счет эффекта рассасыванп» исосиовных носителей ири малом коллекторном токе колебательного контура 1, 2, 8. При

Выходе из насы|цения этик транзисторов вступают в действие сопротивления смещения резисторов 16 — 19, способствуя завершению процесса изменения режимов транзисторов 4, 5.

Таким образом, диоды 12 — 15 осуществляют развязку напр»жеиий HcTo»H(IKoB питания Ii наиря>кения «а иидуктивности 8, чем и достигается эффект расширения модуляционной характеристики генератора за счет увеличения допустимой девиации частот при повышении добротности контура и снижении

BP1(Iчин II31iP»?KcHHЙ иcTo»il(IKoB 1!Ит(!пи51.

Предмет изобретения

Генератор частотно-модулированнык колебаний ио авт. св. ¹ 369675, отлича!О(иийся тем, ITo> с целью расширеш!я модуляционной характеристики, мс?кду выходами модуляционной индуктивиости и коллекторами выходных транзисторов усилителей обратной связи включены развязывающие диоды в направлении проводимости коллекторных токов

40 вь(ходных транзисторов, а переходы коллектор-эмиттер выходных транзисторов усилителей обратной связи шунтированы резисторами.

432659

Корректор И. Симкнна

Редактор Т. Морозова

Заказ 250/567 Изд. № 1724 Тираж 811 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Миннстров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент»

1

Составитель В. Черныш

Техред А. Камышникова