Полосковый фазовращатель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

:Î П Й С А И и Е III)432843

ЙЗОБРЕТЕНЙЯ и АвтО?сиОму сВидете!)ьс !В1!

Сс!)3 СОеетеиих

Сооиэиистичесиих

Респтбиии (61) Зависих1ое от авт, свидетельства (22) Заявлено 03.05.72 (21) 1781634 26-9 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.07.75. Бюллетень № 25

Дата опубликования описания 17.11.75 (51), 31. 1хл. 11 0:.p l 18

Государственно!й комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и отирытий! 53) УД1х 621.372 (088.8) (72) Авторы изобретения

П. А. Воробьев и H. Д. Малютин

Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (71) Заявитель

Й ФАЗОВРАЩАТЕЛЬ ! (54) ПОЛОСКОВЫ

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к радиотехнике СВЧ.

Известные диадные фазовращатели с вносимыми неоднородностями, содержащие экранирующие пластины и центральный меандровый проводник, крити:ны к качеству регулиру!ощих элеме !тов, технологии изготовления и изменения температуры, Кроме того, анп имеют ограниченный диапазон изменения фазы.

С целью расширения пределов регулировки фазы в предлагаемом фазовращателе допо;Iнителъно установлена между БО 1.10?ккями металлическая пластина, отделенная от центрального проводника слоем материала, диэлектрическая проницаемость которого больше диэлектрическс!! проницаемости по;!ложек В

2 — 3 раза, а между металлической и экранпрующими пластинами вклю сН полупроводHHKOBbIH ДИОД.

На чертеже показан предлагаемый фазовращатель.

Он состоит из подложки 1, выполненной из керамики с;!иэлектрической проницаемостью (Б) 6 — 8, н3 которую нанесен меандровый проводник 2, слоя 3 материала с 3=20, дополнительной металлической пластины 4, подло?кки 5 и экранирую!цих пластин 6. По !ложка 5 выполнена из того же материала, что и подложка 1. Проводник 2 нанесен н3 подложку 1 методом позитивной фотолитографии, а пластины 4 и 6 нанесены на керамику БжигаI»iE3I серес;)Я B Ilo»l0?ILH3 . 1Iрсвсднпк 2 имеет выводы на торец подложки 1 Б Би.",e металлпзиро133нных выемок, пластина 4 также имеет

B b» 3 o;L Б БИДО . с т Я;l .111.311 P o i3 3 l! H o i l 11. 0 1Ц Я Д к и на торси слоя 3. 11ластппы 6 имеют 3»1130;LI I в виде металлизированных канавок на торцах подложек 1 и 5 li соединены очна с другой пайкой серебром пли припоем, содер?кащим серебро. Подложки 1 и 5 и слой 3 соединены между собой клеем..31сан:!ровый проводник 2 Является направ .5 .1яlощпм;!ля распространения Б диэ1сктрпчсских п0,1ложl:Ях сек,:!Ни кВ",:3и-TL:II-ВОС»lы.

При этом фазовая задержка зависит от длиН Ы П Р О Б 0,1 Í 11 1 3, В Е1 1! Ч!111 ", П Э Л С К T P 11 Ч C C К И Х проницаемостей подложек 1 и 5 и слоя 3 и Ю коффпцпента емкостной связи между соседними проводниками меандра. Изменением Величины емкости;,иода можно одновременно управлять значением эффективной дпэлектрпчес1 .Ой пpоницаcëlосTli В hя!!ялe paспросTpяне"5 ния электромагнитной волны и коэффициентом связи между соседними полсскамп IlpoB01,— ника 2. Когда величина емкости;!Иода минимальна, между проводниками мсан1р3 получаетсЯ ОсльпlаЯ емксстнаЯ связь. Обх слсвлен30 ная наличием пластины 4 и слоя 3 с большой

432843

Предмет изобретения

Составитель В. Болдырев

Техред Л. Казачкова

Корректор Е. Рожкова

Редактор T. Юрчикова

Заказ 2688/1 Изд. № 896 Тираж 833 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, ?К-35, Раушская наб., д. 4)5

Типография, пр. Сапунова, 2 диэлектрической проницаемостью, прн этом фазовый набег в линии минимален.

Полосковый фазовращатель, содержащий экраннрующие пластины, две диэлектрические подло?кки, на одну из которы.;: нанесен центральный меандровый проводник, и управляемый полупроводниковый диод, о т л ич а 1о шийся тем, что, с целью расширения пределов регулировки фазы, меж:1у подложками дополнительно установлена металлическая пластина, отделенная от центрального проводника слоем материала с диэлектрической пронпцаемостью, оольшей, например, H

2 — 3 раза диэлектрической проницаемости подложек, а между металлической и экранируюгцими пластинами включен упомянутый

10 диод.