Способ удаления выступающих дефектов с поверхности эпитаксиальных слоев

Способ удаления выступающих дефектов с поверхности эпитаксиальных слоев

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

п11 433570

СПИ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 10.08.70 (21) 1471164!26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 25.06.74. Бюллетень № 23

Дата опубликования описания 25.12.74 (51) М. Кл. Н Oll 7/00

В 240 3/34

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР во делам изооретений и открытий (53) УДК 621.382 002 (088.8) (72) Авторы изобретения

А. М. Чеховской, В. В. Митрофанов и С. А. Смирнов (71) Заявитель (54) СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ВЫСТУПАЮЩИХ ДЕФЕКТОВ

С ПОВЕРХНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению, в частности к эпитаксиальцой технологии изготовления полупроводниковых приборов, и направлено на повышение качества поверхности эпитаксиальных слоев полупроводникового материала.

В процессе эпитаксиального выращивания по известной технологии на поверхности эпитаксиального слоя часто наблюдается рост выступов в виде отдельных пирамид или их группировок. Выступы имеют острые вершины и достигают в высоту 30 — 40 мкм. Эти выступы являются дефектами поверхности эпитаксиального слоя, и .при проведении .в дальнейшем операций фотолитографии они образуют выколы на рабочей поверхности фотошаблонов, значительно уменьшая срок их службы, а также снижая процент выхода годных структур после каждого совмещения.

Возможно уменьшение величины выступающих дефектов на поверхности эпитаксиального слоя путем электрохимического травления.

Однако при этом происходит стравливание части эпитаксиального слоя, в результате чего полное удаление выступающих дефектов становится невозможным в связи с тем, что высо-.а выступов в ряде случаев соизмерима с толщиной эпитаксиального слоя.

Известен также способ повышения качества поверхности изделий, включающий шлифование с использованием шлифовальной жидкости. Но применяемые при этом абразивные инструменты и» пригодны для обработки эпита cèàльных слосв, потому что зерна абра5 зива, удаляя выступающие дефекты, могут повредить эпптаксиальный слой.

Цель изоорстения — создание способа, позволяющего повысить качество поверхности эпитаксиальных слоев, т. е. удалить острые

10 выступающие дефекты без влияния на остальную поверхность эпитаксиального слоя.

Это достигается тем, что предварительно всю поверхность эпитаксиального слоя окисляют, а шлифование осуществляют с по15 мощью плоского полировальника с канавками.

На чертеже схематически представлена полупроводниковая пластина с эпитаксиальным слоем на операции обработки с помощью

20 плоского полировальника.

По предлагаемому способу после эпитаксиального выращивания слоя 1 на полупроводниковой пластине 2 всю поверхность эпитаксиального слоя 1 окисляют. Окисел выполня25 ет функцию защитного покрытия, предотвращающего возможность образования на поверхности эпитаксиального слоя 1 царапин отколовшимися частицами выступов 3 при дальнейшей обраоотке. Для этого также меж30 ду поверхностью эпитаксиального слоя 1 и

433570

Составитель П. Варлет

Текред Г. Васильева Корректоры: И. Позияковская и Л. Котова

Редактор A. Батыгин

Заказ 3307/19 Изд. № 968 Тираж 760 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская иаб., д, 4!5

Типография,;:,;. Сапунова, 2 плоскостью полировальника 4 создают топкий слой шлифовальной жидкости 5, например, слой глицерина. Шлифовальная жи„5 препятствует непосредственному соприкосновению полировальника 4 с поверхностью эпитаксиального слоя 1.

К помещенной на плоскости полировальника 4 полупроводниковой пластине 2 прикладывают нормальное усилие Р, обеспечивающее выдавливание из под пластины 2 лишней жидкости 5 и образование между поверхностью эпитаксиального слоя 1 и плоскостью полировальника 4 зазора, величина которого меньше высоты выступов 3. При перемещении пластины 2 по поверхности полировальника 4 происходит сошлифование (скалывание) выступов 3, а образовавшиеся осколки скапливаются в канавках полировальни",а 4.

Описанный способ обеспечивает эффск . ив»ос удаление выступающи. дефектов с поверхности эпитаксиальных слоев и, таким образом, способствует повышению качества их поверхности. При использовании этого спосоо ба интенсивность износа фотошаблонов уменьшается примерно в три раза, что приводит к увеличению процента выхода годных полупроводниковых структур.

Предмет изобретения

Способ удаления выступающих дс;:ектов с поверхности эпитаксиальных слоев, включающий шлифование с использованием шлифовальной жидкости, отличающийся

15 тем, что, с целью повышения качества поверхt. îñTè, предварительно вс1о поверхность эпи-. аксиального слоя окисляют, а шлифование осуществляют с помощью плоского полировальника с канавками.