Способ получения локального р—п перехода для полупроводниковых приборов

Способ получения локального р—п перехода для полупроводниковых приборов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ п1 4345I6

Союз Советских

Социалистических

Респуб:,ии (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 01.11.66 (21) 1110114/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 30.06.74, Бюллетень № 24

Дата опубликования описания 12.11.74 (51) М. Кл. Н 011 7 00

Гюоударотвеииый комитет

Совета Министров СССР ио делам изобретеиий и открытий (53) УДК 621.382:537. .311.33 (088.8) (72) Авторы изобретения

Г. А. Зеликмаи и И. Л. Цитовский

I (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛОКАЛЬНОГО р — n ПЕРЕХОДА

ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Способ относится к производству полупроводниковых приборов.

Широко известен способ получения локального перехода с помощью маски из пленки

SiO . Однако этот способ использует только диффузию из газовой фазы и имеет такие трудоемкие операции, как фотолитография.

Предлагаемый способ позволяет получить переход сложной конфигурации при размерах отдельных деталей менее 3 — 5 мм.

Для этого нг те части пластины полупроводникового материала, где не должна пройти диффузия, предварительно наносят защитный материал, растворимый в тех растворителях, в которых высушенный диффузант нерастворим. После этого раствор диффузанта наносят на всю пластину, высушивают, а затем защитный материал снимают, промывая пластины в соответствующем растворителе.

В качестве защитного материала используют битум.

Способ заключается в следующем. На промытую и обезжиренную после шлифовки пластину с помощью маски из металла на участки, где не должна пройти диффузия, наносят слой битума, например БН-4, хорошо растворимого в органических растворителях, например в толуоле или четыреххлористом углероде.

Далее любым известным способом наносят раствор солей, содержащий диффузант (алюминий). Пластину сушат до полного высыхания раствора (температура сушки не выше

5 температуры растекания битума — около

40 С). После этого битум снимают кипячением в четыреххлористом углероде или толуоле, при этом соли остаются на пластине. Затем производится диффузия. Алюминий диффун10 дирует только в месте его нанесения.

Диффузант с большим давлением паров можно наносить на пластину и перед нанесением битума. В этом случае поверхностная концентрация несколько повышается. Кроме

15 того, можно использовать пар из двух малолетучих диффузантов.

Предмет изобретения

1. Способ получения локального р — и пере20 хода для полупроводниковых приборов путем диффузии с использованием защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью получения перехода сложной конфигурации при размерах отдельных деталей менее 3—

25 5 мм, на те части пластины полупроводникового материала, где не должна пройти диффузия. предварительно наносят защитный материал, растворимый в тех растворителях, в которых высушенный диффузант нерастворим, 30 после чего раствор диффузанта наносят на

434516

Составитель М. Лепешкина

Техред 3. Таранеико

Коррекгор О. Тюрина

Редактор В. Дибобес

Заказ 2904/11 Изд. № 1752 Тираж 7GO Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 7Ê-35, Раушская наб., д. 4, 5

Типография, пр. Сапунова, 2 всю пластину, высушивают, а затем защитный материал снимают, промывая пластины в соответствующем р а створ ител е.

2. Способ по п. 1, отл и ч а ю щ и и ся тем, что в качестве защитного материала используют битум.