Устройство отображения информации

Устройство отображения информации

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ п1 434618

Союз Советских

Социалистических

Республик (Gl) Зависимое от авт. свидст=льства (22) Заявлено 23.11.71 (21) 1716853/26-9 (51) М. Кл. Н 04п 5/66 с присоединением заявки ¹ (32) Приоритет

Опубликовано 30.06.74. Бюллетень ¹ 24

Дата опубликования описания 11.11.74

Гасударстееииы и комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и аткро1тий (53) УДК 621.397 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. Е. Васильков и М. Н. Красильников (71) Заявитель Ленинградский ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени горный институт HM. Г. В. Плеханова (54) УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ

Изобретение относигся к области оптикоэлектроники и может использоваться для безынерционного получения изображений, отражающих какую-либо информацию, а также для телевизионного экрана больших размеро в.

Известно устройство, содержащее электронно-лучевую трубку (ЭЛТ), электрооптичсский кристалл, проекционную оптику, источник света и поляризационпую призму.

В этом устройстве элекгрооптический кристалл помещен внутри ЭЛТ, что ухудшает,работу ЭЛТ и ведет к потере со временем нужных свойств кристалла из-за непосредственного попадания на него электронного потока.

Целью изобретения я вляегся улучшение качества формируемого изображения и упрощен ие уст р ой сто а.

Это достигается тем, что в гсредлагаемом устройстве электрооптический к1ристалл располагается сна ружи ЭЛТ и контактирует с ее металловолокопным экраном через тонкое диэлектрическое зеркало. Оптическое изображение, содержащее информацию, получается в отраженном от этого зеркала свете.

В этом случае кристалл не подвергается непосредственному действию электронного пучка ЭЛТ и не связали с внугренним объемом трубки. Соответственно отпадают трудности, связанные с размещением кристалли2 ческой пластинки в вакуумной колбе ЭЛТ, когда осложняется обезгаживание, и другие технологические операции. Упрощается также монтаж кристаллической пластины с прозрач5 ным контрэлектродозц

На чертеже показана принципиальная схема предлагаемого устройства.

Пластина 1 электрооптического кристалла

Z- среза располагается вне ЭЛТ 2, контакти1р руя с ее металловолоконным экраном 3 через тонкий иммерсионпый слой 4 жидкости и тонкое диэлектрическое зеркало 5. С другой стороны к пластине кристалла приклеен прозрачный копгрэлектрод б, который соединен с источником 7 модуляционного напряжения (источником видеосигнала) . ЭЛТ имеет системы: фокусировки 8 и отклонения (сканирования) 9. На одной оси с ЭЛТ находятся линза 10, поляризационная призма Глазе20 брука 11 из шпата и экран 12 (плоскость действительного изображения) . На оси, перпендикулярной к оси ЭЛТ, напротив призмы 11 располагаются копденсо рная линза 13 и источник света 14.

25 В качестве электрооптического крисга лла целесообразно использовать кри галлы из веществ с наибольшим электрооптическим эффектом, т. е. с минимальным управляющим напряжением, пап ример кристаллы КДеП, у

30 которых полуволновое напряжение составля434618

3 4 ет величину порядка 3 — 4 кв, Электрический ми, примерно нулевой, потенциал. При достаконтакт контрэлектрода 6 с кристаллом мо- точно тонких зеркале и иммерсионном слое, жет быть осуществлен путем склейки эпок- когда потерей напряжения на них можно сидной смолой. принебречь, можно считать, что электронный

Контрэлекпро д 6 целе сообразно выполнить 5 луч как бы электрически соединяет через в виде стеклянной подложки (пластинки) с штырьки участки кристалла, находящиеся нанесенным на нее тонким слоем закиси оло- над ним, с «землей», играя роль прост|ранства. Тонкое диэлектрическое зеркало 5 может венного коммутатора (ключа). Источ ник 7 бысть нанесено на наружную поверхность ме модуляционного напряжения подключен к талловолоконного экрана 3 ЭЛТ или на по- 10 контрэлектроду 6 кристалла и, следовательлпрованную поверхность к ристалла. его из но, создает меняющуюся,во времени разность готавливают путем напыления нескользких потенциалов между его наружной (правой на слое|в сульфида цинка и ириолита по извест- чертеже) гранью и участками другой грани, ной технологии. Электрический контакт меж- расположенными, против штырьков экрана, ду криетал личеокой пластиной 1 и зебр калом 5 15 когда на эти штырьки, попадает электронный целесообразно создать с помощью среды, луч. Совместное действие элекцроиного луча имеющей коэффициент п|реломления, равный и модуляционного напряжения создает на коэффициенту п реломления кристалла (им- кристалле потенциальный рельеф, отображамерсионный слой). В качестве такого ве- ющий информацию. Получаемый потенциальщества может, например, использоваться мас- 20 ный,рельеф имеет в определенной мере дисло или смесь масел. В этом случае отпадает кретиый характер, соответственно расположенеобходимость в полировке поверхности жри- нию металлических штырьков в экране трубсталла, об ращеннной к зеркалу. Фокусирую- ки. Чем тоньше пластина кристалла, тем шая 8 и отклоняющая 9 системы ЭЛТ вы- сильнее выражена дисиретность потенциальполняют обычные функции и могут быть сде- 25 ного рельефа. При наличии на кристалле IIOланы электростатическими. тенциального рельефа световой поток по выВ качестве источника света 14 могут ис- ходе из кристалла имеет по поперечному сепользоваться ксеноновая или ртутная лампы, чению соответствующую фазовую модуляцию. имеющие малый раз мер святящегося пятна и С помощью призмы 11, играющей роль скребольшие мощности излуче|ния. 30 щенного анализатора, фазовая модуляция

Конденсорная линза 13 собирает свет источ- преобразуется в амплитудную модуляцию ника 14 и создает сходящийся пучок света. света.

Приз ма Глазебрука 11 поля!ризует свет ис- В РезУльтате этого после пРизмы може г точн ика и направляет его к линзе 10, которая быть получено видимое изображение, соотформирует параллельный пучок света, необ- 35 ветствующее,потенциальному рельефу и огоходимый для нормальной рабо1ты электрооп- бражающее требуемую информацию. тического кристалла. Параллельный, диней- Чем тоньше пластина кристалла, тем боно-поляризованный световой поток проходит лее распределение электрического поля,в нем через прозрачный ко нврэлектрод 6, пристал- приближается к «точечному», отражая дислическую пластину 1, отражается от диэлек- 40 кретную структуру экрана. Соответственно трического зеркала 5 и онава проходит через увеличивается контрастность изображения и кристалл в направлении призмы. Если на разрешение, определяемое в пределе числом гранях кристалла напряжение отсутствует, штырьков экрана. то идущий к призме световой поток сохраня- Электрооптические кристаллы обладают ет первоначальную поляризацию по всему се- 45 достаточ|но высоким удельным со проти влени. чению и направляется п ризмой к источнику ем, и образованный на них,потенциальный света 1 4. Прохождение световой энергии в рельеф может сохра няться сравнительно долнаправлении экрана 12 при этом отсутствует. го. Постоянная времени разряда заряженПризма играет роль анализатора с ортого- ных пластин кристаллов типа КД2П, КЛП нальной ориентацией поляризации относи- 50 при комнатной температуре составляет велительно исходной. чину, порядка 0,05 — 0,15 сек.

При движении электронного луча по экрану При телевизионной развертке смена кадров

ЭЛТ штырьки металлического экрана п риоб- происходит в течение 0,04 сек. Следовательретают равновесный потенциал. При выборе но, за время кадра разряд заряженных учаускоряющего электронный луч напряжения 55 сткав кристалла незначителен. Это предотбольше первого критического потенциала (по- вращает мерца ние экрана, снижает вребоватенциал, при котором коэффициент вто рич- ния к току электронного луча, который в ной эмиссии впе!рвые становится равным 1) данном устройстве выполняет одновременно равновесный потенциал изолированных функции записи и стира ния. При 75О/О модуштырьков равен примерно ускоряющему по- 60 ляции светового потока модуляционная хатенциалу. Поскольку ускоряющий электрод рактеристика устройства отображения, так

ЭЛТ заземлен (соединен с общей шиной), же как и классической элек вронно-лучевой как это показано на чертеже, то электронный трубки с люминесцентным экраном, квадралуч сообщает точкам,по верхности диэлектри- тична. На пряжение модуляции, подаваемое ческого зеркала, находящимся над штырька- 65 на кристаллы КД2П,,при двойном прохож434618

Предмет изобретения

Составитель М. Красильников

Редактор Е. Караулова Техред Н. Куклина Корректор О. Тюрина

Заказ 2973/11 Изд. № 1801 Тираж 678 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 денни света через кристалл в этом случае равно 1 кв. Высокие диэлектрические свойства кристалла позволяют формировать оптическое изоб ражение с высоким разрешением.

Устройство отображения информации, содержащее электронно-лучевую трубку с ме6 талловолоконным экраном, электрооптический кристалл с контрэлектродом, источник света. поляризационную призму и проекционную оптику, отл ич а юще еся тем, что, с целью

5 улучшения качества формируемого изображе ния, упрощения устройства, электрооптический кристалл с контрэлектродом устанавливается с внешней стороны электронно-.чучевой трубки перед металловолоконным экра10 ном, а между, кристаллом и экраном 1 омещен тонкий иммерсионный масляньш слой.