Способ определения кислотопроницаемости фоторезистивной пленки

Патент 436606

Авторы

Иллюстрации

Показать все

Реферат

<»> 436606

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Ссиислистических

Реслублии (61) Зависимое от авт. свидетельствавЂ” (22) Заявлено 17.04.71 (21) 1646064 23-4 (5!) М. Кл. G 01п 27/60

G 01п 15/08 с присоединением заявкивЂ” (32) ПриоритетвЂ”

Опубликовано 05.05.75. Бюллетень ¹ 17

Дата опубликования описания 30.!0.75

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 543.25:778..347(088.8) (72) Авторы изобретения

Л. Л. Сидорова и Л. Ф. Велликок (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КИСЛОТОПРОНИЦАЕМОСТИ

ФОТОРЕЗИСТИВНОИ ПЛЕНКИ

Изобретение отноаится,к апособу определения кислотопроницаемости фоторезсистивIHbIx пленок, применяемых,в электронной с1ромышленно сти.

Известен способ определения кислотопроницаемости фото резистианых |пленок .методом

МОП-структур, который заключается в том, что на окисленную плас71ину со слоем фоторезиста напыляют àлюм иний iH после фотогравировки измеряют вольт-ампирные характеIpHc7IH!IIH .полученных МОП-структур.

Известный способ очень трудоемкий и, кроме того, не обеспечивает достаточной точности определения, поскольку,при определении дефектов в диэлектрической пленке двуокиси кремния после фотолитопрафончесих процессов не исключаются дефекты самой окисной пленки, а также при этом проверяют лишь небольшую часть поверхности пластинывЂ” в тех местах, где созданы контакты.

Для снижения трудоемKoc7EH и повышени. точности определения предлагается способ определен ия кислотоп роницаемости фоторезистивной плен!он, за ключающийся в том, что электропрафичеоким методом измеря!От количество дефектов в диэлектрической пленке H", подложке до и после полного фотолптографпческого цикла без экспонирования, и по разносви этих величин судят о кислото!1роницаемости фоторезистивной лленки.

Сущность c:!особа состоит в том, что окисленную кремниевую подложку подвергают электрографии и количество дефектов (сквозHbIx ilop B окисной пленке) фикаиру!От на фотобумаге. Далее на этой же подложке проводят полный фотолитопрафический цикл за исключением о Iepazl!EI экспонирования; фоторезист снимают, а окисленную подложку снова подвергают электрографии. По,разности количеств отпечатков пор на фотобумаге после фотолитографии и до нее рассчитывают кислотопроницаемость фоторезиста (количество пор на 1 !1л1е пленки).

Предлагаемый cëîñoá дает возможность выявить дефекты по всей площади окисной лленкп, полученные только за счет пористостп фоторезистивной,пленки. При этом исключаются так7!е трудоемкие операции,,как создание, контактов и измеренеие пап|ряжения проооев.

Пример. Окисленную кремниевую;1одIожк 1 .!Окрыт lo д113.7ектри 1еско!! пленкой дв1 0:ii!cII крез!11 ия, вз!есте с влажной фотобумагой зажима!От между двумя электродами, пропускают ток, затем 1роявляют фотобумагу и визуально подсчитывают количестдсфектов ox;lcllol! и 7ен!iiI, заф|1кс1117ованных на фотобумаге в в:1де черных точек. После отмывки EI Tcрмообработки на эту же

Ii,.i асти!г! НгпiocEET методом цептриф гllpoBH