Время-импульсное делительное устройство

Время-импульсное делительное устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е пп 437088

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соватева

СОЦИаЛИСтИЦЕФКИ1а

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 02.01.73 (21) 1870235/18-24 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 25.07.74. Бюллетень № 27

Дата опубликования описания 30.!2.74 (51) M. Кл. G 06g 7/16

Государственный квинтет

Совета Миниотроа ИСФ по делам изо11ретвннв и открытий (53) УДК 621.335.5 (088.8) BГи7» (7P) Авторы изобретения

М. А. Замковой и Э. И. Султанов (71) Заявитель Казанский ордена Трудового Красного Знамени авиационный институт (54) ВРЕМЯ-ИМПУЛЬСНОЕ ДЕЛИТЕЛЬНОЕ УСТРОИСТВО

Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике.

Известны время-импульсные делительные устройства, содержащие транзисторы, включенные по схеме с общим эмиттером, источники питающего и смещающего напряжения, подключенные через резисторы соответственно к коллектору первого и базе второго транзистора, соединенной через конденсатор с коллектором первого транзистора, и источники входных напряжений, соединенные через резисторы соответственно с базой первого и коллектором второго транзистора.

С целью упрощения устройства в него введен концентрационный электрохимический диод, подключенный анодом к базе первого транзистора, а катодом — к коллектору второго транзистора.

На чертеже приведена схема устройства.

Устройство содержит транзисторы 1, 2, источник питающего 3 и смещающего 4 напряжения, соответствующие им резисторы 5, 6, конденсатор 7, источники входных напряжений 8, 9, соответствующие им резисторы 10, 11 и концентрационный электрохимический диод 12.

Принцип работы устройства основан на процессах, происходящих при переключении концентрационного электрохимического диода (ЭХД) 12 в прямом и обратном направлениях.

При приложении к ЭХД 12 прямого смещения начинается инжекция неосновных носителей в объем электролита. Наличие высокой концентрации .неосновных носителей вблизи микроэлектр ода резко уменьшает обратное сопротивление ЭХД 12. После переключения

ЭХД 12 на обратное направление неосновные носители беспрепятственно вытягиваются. По внешней цепи протекает большой обратный

N ток. До тех пор пока концентрация неосновных носителей вблизи микроэлектрода не упадет до нуля, величина обратного тока ЭХД 12 ограничивается лишь сопротивлением нагрузки, включенным последовательно с диодом.

15 Когда избыточная концентрация неосновных носителей вблизи микроэлектрода равна нулю, происходит резкое восстановление обратного сопротивления, падение напряжения на

ЭХД 12 резко возрастает.

20 Устройство работает следующим образом.

В исходном состоянии транзистор 1 открыт, ° транзистор 2 — заперт, конденсатор 7 заряжен.

Происходит разряд конденсатора 7 по цепи:

25 резистор 6, источник смещения 4, участок коллектор †эмитт транзистора 1. В это время в электрохимический диод 12, включенный в прямом направлении, инжектируются неосновные носители по цепи: источник напряжения

30 9 делимого токозадающий резистор 11, уча437088 сток база-эмиттер транзистора 1. По мере разряда конденсатора 7 ток разряда уменьшается, и при напряжении на базе транзистора 1, примерно равном нулю, происходит отпирание транзистора 2 и запирание транзистора 1.

Происходит лавинный процесс, транзистор 1 запирается, транзистор 2 отпирается. Конденсатор 7 заряжается по цепи: источник питания 3, резистор 5, участок база-эмиттер транзистора 2. Одновременно происходит вытягивание неосновных носителей в ЭХД 12 по цепи: резистор 10, источник напряжения 8 делителя, участок коллектор — эмиттер транзистора 2. При этом обратное сопротивление ЭХД мало и за счет падения напряжения на резисторе 10 удерживает транзистор 1 в запертом состоянии. Когда концентрация неосновных носителей вблизи микроэлектрода равна нулю, происходит резкое восстановление обратного сопротивления ЭХД 12. Напряжение на базе транзистора 1 стремится к нулю, транзистор 1 отпирается, схема возвращается в исходное состояние.

На коллекторе транзистора 1 выделяются импульсы положительной полярности с периодом Т

T= z+ z„ здесь т — время разряда конденсатора 7, т — время рассасывания неосновных,носителей в

ЭХД 12 (интервал между импульсами). Длительность импульса т постоянна. Величина заряда, инжектированного в ЭХД 12, определяется выражением

U(Q„:.1, ° т = и где R« — сопротивление резистора 11. Величина заряда, вытянутого из ЭХД 12 равна

Явых — я s—

5 о здесь R

B идеальном случае

10 здесь К, =, К, = —" — постоянные

Rii Rlp

Rlo величи.ны.

Таким образом, период следования импульсов пропорционален отношению двух электрических величин.

20 Предмет изобретения

Время-импульсное делительное устройство, содержащее транзисторы, включенные по схеме с общим эмиттером, источники питающего

25 и смещающего напряжения, подключенные через резисторы соответственно к коллектору первого транзистора и базе второго транзистора, соединенной через конденсатор с коллектором первого транзистора, и источники входЗ0 ных напряжений, соединенные через резисторы соответственно с базой первого и коллектором второго транзистора, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения устройства, оно содержит концентрационный электрохимичес35 кий диод, подключенный анодом к базе первого транзистора, а катодом — к коллектору второго транзистора.