Материал для высокоомных резисторов

Материал для высокоомных резисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И C А Н И Е i!! 438050

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Е АВТОРСКОМУ СВЙДЕ1ЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 10.07.72 (21) 1807697/26-9 с присоединением заявки ¹ (32) Приоритет

Опубликовано 30.07.74. Бюллетень № 28

Дата опубликования описания 14.01,75 (51) М. Кл. Н Olc 7/02

Государственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений л открытий (53) УДК 621.396.6-181. .48 (088.8) (72) Авторы изобретения

М. С. Блудов, В. В. Богаткова и А. А. Слягин (71) Заявитель

1 (54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ВЫСО КООМН ЫХ РЕЗИСТОРОВ

Изобретение относится к электронной технике, к изготовлению схем и пленочных резисторов.

Известен состав для получения проводящих покрытий высокого удельного сопротивления на основе Сг — Ti — SiO.

Недостаток указанного состава состоит в низкой термостойкости и трудности получения положительных значении ТКС.

Цель изобретения — увеличение термостойкости резисторов и смещение нх ТКС в область положительных значений.

Эта цель достигается тем, что в состав испаряемого материала введен алюминтй.

Полученные термической возгонкой в вакууме проводяшие покрытия подвергаются термической обработке на воздухе, при этом происходит частичное окисление мегBJI;IH÷åских компонентов материала покрытия.

Поскольку удельный вес окисла алюминия больше удельного объема металла, то при окислении алюминия происходит уплотнение покрытия, препятствующее проникновению кислорода и дальнейшему окислен:!o.

Спекание проводящего покрытия, содержащего алюминий, при высокой те !пературе происходит без глубокого окисления других металлов, например хрома.

Одновременно с улучшением термостойкости у покрытий, содержащих алюминий, происходит смещение ТКС в область положительных значений с увеличением содержания алюминия в материале.

Проводящие покрытия, толщиной 0,1—

0,15 мкм, полученные испарением в вакууме материала Cr — Ti — SiO — А1, могут подвергаться термообработке 30 — 60 мин при 500—

550 С.

Потери проводимости при этом не наблю10 дается, как это происходит у некоторых покрытий из Cr — Ti — SiO. Температурный коэффициент сопротивления можно изменять в пределах (— 100 — +200) .10 1/ С, изменяя содержание алюминия от 0 до 9% по весу.

15 Предпочтительное содержание алюминия в составе 2 — 6%.

Предмет изобретения

Материал для высокоомных резисторов, 20 содержащий хром, титан и моноокись кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения термостойкости резисторов и смещения их ТКС в область положительных значений, в него введен алюминий при следую25 щем количественном соотношении исходных коз!По1!ентсв (В Вес. /! ):

Хром 26 — 60

Титан 10 — 30

Моноокись кремния 20 — 60

Алюминий 2 — 9.