Время-импульсный модулятор телефонного канала для малоканальных радиорелейных станций

Время-импульсный модулятор телефонного канала для малоканальных радиорелейных станций

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П (>i> 438104

Совхоз Советских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 15.06.73 (21) )936480/26-9 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 30.07.74. Бюллетень № 28

Дата опубликования описания 27.12.74 (51) М. Кл. Н 03k 7,, )О

Государственный комитет

Совета Министров СССР

А0 делам изобретений и открытий (53) УДК 62).376.6 (088.8) (72) Авторы изобретения

С. А. Мусаеляи, В. Г. Павлов и Г. С. Эйдус (71) Заявитель (54) ВРЕМЯ-ИМПУЛЬСНЫЙ МОДУЛЯТОР ТЕЛЕФОННОГО

КАНАЛА ДЛЯ МАЛОКАНАЛЪНЫХ РАДИОРЕЛЕЙНЬ!Х

СТАН ЦИ Й

Изобретение относится к технике времяимпульсной модуляции (ВИМ) и может использоваться в малоканальных радиорелейных станциях с ВИМ, а также с импульснокодовой модуляцией в качестве промежуточного преобразования низкочастотного сигнала.

Известны устройства, в которых между выходом транзисторного ключа с трансформаторным управлением и накопительным конденсатором включен кремниевый диод, который принудительно запирается с помощью дополнительного форсирующего транзистора в момент окончания импульса опробования.

В результате, накопительный конденсатор изолируется от насыщенного транзисторного ключа мгновенно. Во время линейного разряда накопительного конденсатора кремниевый диод удерживается в запертом состоянии с помощью резистора утечки, включенного параллельно форсирующему транзистору. Это, в свою очередь, резко снижает требования к обратному сопротивлению транзисторного ключа, в частности, появляется возможность использовать германиевые транзисторы.

Недостаток известных устройств состоит в том, что при их использовании в радиорелейных станциях с временным уплотнением телефонных каналов имеют место сильные взаимные помехи; наличие импульсного трансформатора, с помощью которого управляется транзисторный ключ, затрудняет осуществление микроминиатюризации устройств.

5 Цель изобретения — уменьшение взаимных помех между каналами.

Эта цель достигается тем, что другой выход генератора опорных импульсов через дополнительно введенный узел управления подклю10 чен к базе и эмиттеру транзисторного ключа.

Узел управления состоит из токозадающей цепи, подключенной к эмигтеру управляющего транзистора с коллекторной нагрузкой, при этом база транзистора подсоединена к

15 источнику порогового напряжения.

На чертеже приведена блок-схема предлагаемого модулятора.

Время-импульсный модулятор телефонного канала для малоканальных радиорелейных

20 станций содержит усилитель 1 модулирующего сигнала, связанный через буферный резистор 2 с транзисторным ключом 3, база и эмиттер которого подключены к генератору 4 опорных импульсов через узел 5 управления, 25 состоящий из токозадающей цепи 6, источника 7 порогового напряжения и нелинейной цепи 8 ограничения. Токозадающая цепь 6 выполнена, например, в виде дифференцирующей RC-цепи. Нелинейная цепь 8 ограни30 чения образована последовательным соедине438104

3 нием резистора 9 и перехода коллектор-база управляющего транзистора 10. Транзисторный ключ подключен к динамической резистивно-транзисторной нагрузке 11, управляемой генератором 4 опорных импульсов, а через кремниевый диод 12 — к накопительному конденсатору 13, который соединен с генератором 14 постоянного тока и компаратором

15. На выходе компаратора включен формирователь 16 сигналов.

Устройство работает следующим образом.

Генератор 4 опорных импульсов воздействует на базу транзисторного ключа 3 через управляющий транзистор 10. При этом в течение действия опорного импульса базовый ток транзисторного ключа 3 имеет экспоненциальную форму и полностью определяется параметрами дифференцирующей токозадающей цепи, подключенной к эмиттеру управ ляющего транзистора 10. Начальная величина базового тока транзисторного ключа 3 выбирается с запасом, такой, чтобы транзисторный ключ 3 сразу переключался в насыщенное состояние. При этом максимальная величина начального зарядного тока ограничивается буферным резистором 2, включенным в коллекторную цепь транзисторного ключа 3.

В течение опорного импульса, по мере увеличения напряжения на накопительном конденсаторе 13, величина зарядного тока, протекающего через транзисторный ключ 3, уменьшается экспоненциально; Поэтому с точки зрения снижения степени насыщения транзисторного ключа 3 к концу опорного импульса форма базового тока выбрана также экспоненциальной.

- Е1ли напряжение низкочастотного сигнала на"вйходе усйАителя 1 больше порогового натфяжения ограничения источника 7, то накопительный конденсатор 13 заряжается тольЙб до этого порогового напряжения. При этом переход коллектор-база управляющего транзистора 10 открывается, и в базе транзисторного ключа 3 фиксируется пороговое напряжение источника 7.

""Буферный резистор 2 включен в цепь коллеКто ра" транзи сторного клю ча 3. При таком вклйчении буферный резистор 2 выполняет функцию не - только ограничителя зарядного тока, нб и ограничителя мощности, рассеиваемой на транзисторном ключе 3, когда наЙфяжение на выходе усилителя модулирующего сигнала больше порогового напряжения ограничения источника 7. Действительно, пока найряженйе на накопительном конденсаторе

Ц йе достигает порогового напряжения ограйичения источника 7; транзисторный ключ 3 находится в насыщенном состоянии за счет йад*енйя напряжения входного сигнала на буф ерном рези сторе 2.

" Резистор 9, включенный между . базой и эмиттером транзисторного ключа 3, необходим для утечки обратного теплового тока.

Во время действия опорного импульса динамическая нагрузка ll практически не влияет на процесс заряда накопительного конденсатора 13. В момент окончания опорного импульса кремниевый диод 12, включенный в зарядную цепь, принудительно запирается с помощью форсирующего транзистора, входящего в состав динамической нагрузки 11.

В результате, накопительный конденсатор 13 изолируется от насыщенного транзисторного ключа 3 мгновенно. Тем самым требования по быстродействию к транзисторному ключу

3 облегчаются. Действительно, коллекторный ток транзистора 10 обеспечивает переключение транзисторного ключа 3 только из запертого состояния в насыщенное. При этом инерционный процесс восстановления обратного сопротивления ключа 3 пе влияет на начало преобразования напряжения на конденсаторе 13 во временной интервал.

В течение линейного разряда накопительного конденсатора 13 кремниевый диод 12 удерживается в запертом состоянии с помощью резистора утечки, включенного параллельно форсирующему транзистору. При достижении напряжения на конденсаторе 13 некоторого уровня, при котором срабатывает компаратор 15, на выходе устройства формируется импульс ВИМ.

Такое выполнение модулятора обеспечивает малые взаимные помехи между каналами, кроме того в устройстве отсутствует намоточное изделие (импульсный трансформатор), что позволяет легко изготовить предлагаемый модулятор в виде одной микросхемы.

Предмет изобретения

1. Время-импульсный модулятор телефонного канала для малоканальных радиорелейных станций, содержащий последовательно соединенные усилитель модулирующего сигнала, буферный резистор и транзисторный ключ, к эмиттеру которого подключены динамическая резистивно-транзисторная нагрузка, соединенная с генератором опорных импульсов, и последовательно соединенные диод, компаратор и формирователь импульсов, причем к входу компаратора подключены одновременно накопительный конденсатор и генератор постоянного тока, отличающийся тем, что, с целью уменьшения взаимных помех между каналами, другой выход генератора опорных импульсов через дополнительно введенный узел управления подключен к базе и эмиттеру транзисторного ключа.

2. Модулятор,по п. 1, отличающийся тем, что узел управления состоит из токозадающей цепи, подключенной к эмиттеру управляющего транзистора с коллекторной нагрузкой, при этом база транзистора подсоединена к источнику порогового напряжения.

438104 Г I

Составитель В. Павлов

Техред 3. Тараненко

Корректор Л. Царькова

Редактор М. Бычкова

Типография, пр, Сапунова, 2

Заказ 3508/16 Изд, № 1879 Тираж 811 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5