Запоминающий элемент

Запоминающий элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

on исамаа

ИЗОБРЕТЕНИЯ п11 4390I5

Союа Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 20.04.73 (21) 1910158, 18-24 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.08.74. Бюллетень № 29

Дата опубликования описания 30.01.75 (51) М. Кл, G llс 11./08

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 681.325.66 (088.8) (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

Е. П. Балашов, А. О. Тимофеев и Л. А, Шумилов

Ленинградский ордена Ленина электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина) (54) ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение может быть использовано в

ЗУ с неразрушающим считыванием двоичной информации, имеющих структуру 2Д.

Известны запоминающие элементы на трансфлюксоре с одним большим и двумя малыми отверстиями, расположенными по одну сторону от большого отверстия, с обмоткой восстановления состояния «1», расположенпой в крайнем малом отверстии, числовой обмоткой считывания и разряднон выходной обмоткой.

Однако такие запоминающие элементы имеют недостаточно высокое отношение сигнал/помеха.

Описываемый запоминающий элемент отличается тем, что, с целью повышения отношения сигнал/помеха, числовая обмотка считывания прошита в одном направлении через большое отверстие и крайнее малое отверстие и дважды в противоположном направлении через центральное малое отверстие, а разрядная выходная обмотка прошита через крайнее малое отверстие трансфлюксора.

На фиг. 1 изображен предлагаемый запоминающий элемент; на фиг. 2 — переходы элемента при записи и при неразрушающем считывании.

Запоминающий элемент (ЗУ) содержит трансфлюксор 1 с одним большим и двумя малыми отверстиями, расположенными по одну сторону от большого отверстия, числовую обмотку считывания — записи 2, прошитую в одном направлении через большое и крайнее малое отверстия и дважды в противоположном направлении через центральное отверстие, числовую обмотку восстановления состояния «1» 3, расположенную в крайнем малом отверстии н разрядную выходную обмотку — разрядную обмотку записи 4, прошитую через крайнее малое отверстие.

10 На фиг, 2 отражен процесс записи информации при использовании элемента в долговременном ЗУ с одновременной заменой всей

«ранимой информации.

На первом этапе записи все элементы ЗУ

15 переводят в промежуточное состояние «П» путем подачи числовых токов I„„в обмотку

2 и разрядных токов 1,< ., в обмотку 4. Затем выполняют выборочную запись «О» путем подачи числового тока I„„. в обмотку 2 и раз20 рядного тока записи «О» I<„, в обмотку 4.

В следующем такте осуществляется дозапись

«1» числовым током 1„, подаваемым в обмотку 3.

25 Неразрушающее считывание реализуют путем подачи чередующихся импульсов числового тока считывания 1, в обмотку 2 и числового тока восстановления 1, в обмотку 3.

Сигналы «1» и «О» различают по амплиту30 де напряжения на разрядной выходной обмотке 4.

439015

Предмет изобретения

Фиг i

lpga

„а

Фиг 3

Составитель А. Тимофеев

Техред Т. Миронова Корректор 3. Тарасова

Редактор Л. Утехина

Заказ 114/2 Изд, № 179 Тираж 591 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Запоминающий элемент, выполненный на трансфлюксоре с одним большим и двумя малыми отверстиями, расположенными по одну сторону от большого отверстия, с обмоткой восстановления состояния «1», расположенной в крайнем малом отверстии, числовой обмоткой считывания и разрядной выходной обмоткой, отличающийся тем, что, с целью повышения отношения сигнал/помеха, числовая обмотка считывания прошита в одном направлении через большое отверстие и крайнее малое отверстие и дважды в противоположном направлении через центральное малое отверстие, а разрядная выходная обмотка прошита через крайнее малое отверстие трансфлюксора.