Запоминающий элемент

Запоминающий элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 439847

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 03.04.72 (2 () 1766830/18-24 с присоединением заявкн— (32) Приоритет—

Опубликовано 1508.74. Бюллетень № 30

Дата опубликования описания 17.04.75 (51) M.1,.÷. G 11c 11/22

Государственный комитет

Совета Министров СССР

fIo делам изооретений и открытий (53) УДК 681.327.6 (088.8) (72) Автор изобретения

В. M. Петров

Московский ордена Трудового Красного Знамени институт стали и сплавов (71) Заявитель (54) ЗАПОМИ НАЮЩИ Й ЭЛ ЕМ Е НТ

Известны запоминающие элементы, выполненные на основе сегнетоэлектрической пластины, например, монокристалла триглицинсульфата с нанесенными соответствующим образом проводящими и полупроводящими электродами. Однако эти элементы недостаточно надеждины из-за явления «устало. сти» сегнетоэлектрика, а также имеют малую помехоустойчивость.

Описываемый элемент отличается тем, что в нем сегнетоэлектрическая пластина выполнена из керамического твердого раствора, например, Pb/Хг, Ti, Sn/03, что повышает надежность устройства в работе и увеличивает помехоустойчивость элемента. В качестве полупровод никовой пленки может быть выбран легированный поверхностный слой сегнетоэлектрической пластины.

На фиг. 1 представлен описываемый запоминающий элемент, разрез; на фиг. 2 — схема вкл|очения элемента.

Основой элемента служит сегнетоэлектрическая пластина I, выполненная из керамического твердого раствора с прямоугольной петлей диэлектрического гистерезиса, например, Pb/Zr, Ti, Sn/О,. На одну грань пластины нанесен проводящий электрод 2, например, напылением или вжиганием индия или серебра.

На другой грани пластины над электродом 2 размещена тонкая, толщиной порядка 100А, полупроводниковая пленка 3, изготовленная, например, напылением окиси олова или путем легирования поверхностного слоя сегнетоэлектрической пластины. X. краям полупроводниковой пленки 3 подключены проводящие электроды 4 и 5. К электроду 2 подключена схема записи информации (на чертежах не показана). Электроды 4 и 5 и расположенная между ними пленка 3, имеющая сопротивление R, а также внешний резистор 6 входят в схему считывания. Информация хранится в объеме сегнетоэлектрической пластины 1 между электродом 2 и пленкой 3, образующими конденсатор 7. На одной сегнето, электрической пластине монтируется ряд запоминающих элементов.

Запись информации на запоминающем элементе осуществляется подачей на электрод

2 импульса положительной (запись «1») или отрицательной (запнсь «О») полярности амплитудой, большей коэрцитивного напряжения сегнетоэлектрика. По цепи записи электроды 4 н 5 н пленка 3 имеют малое сопротивление па корпус 8 (землю), и в пластине

1 происходит поляризация сегнетоэлектрика.

После прекращения действия импульса в сегнетоэлектрике длительное время сохраняется

30 остаточная поляризация Р, направление ко439847

Предмет изобретения

1 Ц

Составители В. Рудаков

Текред Г, Дворина

Редактор Л. Тюрина

Корректор В. Брыксина

Заказ 752! Изд. Х> 1915 Тира>к 591

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

МОТ, Загорский цех торой Опрсдс.«1>1 TcH хр«1нив!ым числом («1>> или «0»).

Считывание основано на сегнетоэлектрическом эффекте поля, заключающемся в резком изменении числа носителей в поверхностном слое сегнетоэлектрика при изменении знака поляризации P. Сопротивление R полупроводниковой пленки 3 сильно зависит от направления Р, т. е. от записанного числа. Импульс считывания, подаваемый на электрод

4, проходит или не проходит на выходной электрод 5 в зависимости от величины R. О хранимом числе в запоминающем элементе судят по величине импульса считывания на резисторе 6, сопротивление которого выбирают равным среднему геометрическому максимального и минимального значения R.

Для считывания могут использоваться как видео-, так и радиоимпульсы. Считывание может также производиться световым лучом, так как коэффициент отражения и коэффициент пропускания полупровод:1иковой пленки вблизи края собственного поглощения зависят от знака P.

11 «1К11М ООРаЗОМ, В ОПИСЫ13«1ЕМОМ ЗаПОМ!111«1. ющем элементе считывание осуществляется без разрушения информации, а также существенно снижается число циклов переполяризации, что позволяет избавиться от явления

«усталости» сегнетоэлектрика.

Ip 1. Запоминающий элемент, содержащий ссгнетоэлектрическую пластину, на одной грани которой размещен проводящий электрод, и на другой — тонкая полупроводниковая пленка, к краям которой подключены другис проводящие электроды, отлича1ощийся тем., что, с целью повышения надежности в работе и увеличения помехоустойчивости элемента, сегнетоэлектрическая пластина выполнена из твердого керамического раствора.

2О 2, Запомина1ощий элемент по п. 1, отличающийся тем, что, в качестве полупроводниковой пленки выбран легированный поверхностный слой сегнетоэлектрической пластины.