Способ определения скорости образования дефектов в полупроводниковых материалах под действием нейтронного излучения

Способ определения скорости образования дефектов в полупроводниковых материалах под действием нейтронного излучения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

111 440104

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик ф . (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 26.03.73 (21) 1897594/26-25 с присоединением заявки № (51) М. Кл. G Olt 3/00

Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

Опубликовано 05.07.75. Бюллетень № 25

Дата опубликования описания 19.11.75 (53) УДК 539.1.074 (088.8) (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

Е. А. Крамер-Агеев и А. Г. Пархомов

Московский ордена Трудового Красного Знамени инженернофизический институт (54) спОсОБ ОпРеделения скОРОсти ОБРАВОВ ая.

ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИА

ПОД ДЕЙСТВИЕМ НЕЙТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Государственный комитет (32) Приоритет

Изобретение относится к определению радиационной стойкости материалов, в частности к измерению скорости образования радиационных дефектов в полупроводниковых материалах под действием нейтронного излучения.

В настоящее время для этой цели измеряют плотность потока быстрых нейтронов. Используя расчетные или измеренные спектры нейтронов, рассчитывают часть энергии, возникающей при нейтронном облучении атомов отдачи, и диссипированную в процессах упругих столкновений с атомами среды. Выход дефектов считается пропорциональным этой части поглощенной энергии нейтронов. Этот метод характеризуется необходимостью знания энергетического спектра нейтронов в месте облучения; сложностью расчетов; значительной погрешностью определения скорости образования дефектов, связанной с низкой точностью значения спектров нейтронов, и с приближениями, принятыми в расчетах диссипированной энергии; невозможностью определения скорости образования дефектов непосредственно во время облучения.

Для проведения измерения непосредственно в эксперименте и повышения точности измерений предлагается одновременно измерять калориметром мощность полной поглощенной дозы в данном полупроводниковом материале и полупроводниковым детектором, изготовленным на основе того же материала, часть мощности поглощенной дозы, расходуемой на ионизацию и возбуждение атомов, и по их разности оценивать скорость образования дефектов.

Разность сигналов U калориметра и приведенного сигнала 1 полупроводникового детектора U — КТ характеризует долю поглощенной интенсивности излучения, преобразованную в

1о кинетическую энергию смещенных атомов, т. е. в соответствии с современными представлениями скорость генерации дефектов в исследуемом полупроводником материале. Коэффициент связи К можно определить, облучая калориметр и полупроводниковый детектор гамма-излучением. Практически вся поглощенная энергия гамма-квантов тратится на ионизацию и возбузкдение атомов. Поэтому .можно считать, что в поле гамма-излучения U — КТ=

20 =О, т. е. К= Г.//1.

Таким образом, по данным измерений калориметром и полупроводниковым детектором легко определить величину, пропорциональнню скорости образования дефектов в данном

25 полупроводниковом материале под действием нейтронного излучения.

Преимущества предлагаемого способа заключаются в возможности непосредственного без последующих расчетов определения ско30 рости образования дефектов; независимости

440104

Предмет изобретения

Составитель А. Балашов

Техред Т. Курилко

Редактор Л. Тюрина

Корректоры: E. Давыдкина и В. Дод

Заказ 3073/3 Изд. № 873 Тираж 619 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 получаемых результатов от спектра нейтронов; возможности получения результатов непосредственно во время облучения.

Способ определения скорости образования дефектов в полупроводниковых материалах под действием нейтронного излучения, о тл ич а ю шийся тем, что, с целью проведения измерения непосредственно в эксперименте и повышения точности измерений, одновременно измеряют калориметром мощность полной

5 пог. ощенной дозы излучения в полупроводниковом материале и полупроводниковым детектором вклад мощности дозы на ионизацию и возбуждение атомов и по их разности оценивают скорость образования дефектов.