Устройство для полунепрерывного литья труб

Устройство для полунепрерывного литья труб

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П., И.C А Н--Й Е

ИЗОБРЕТЕН ЙЯ

К АВИРСКОМУ СВКДНесдЬСе ееУ (11), 44I094

Союз Соаетсннк

Соцналнстнческнк

Ресаублнк

/ (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 0 И. H (21$7I0703/22-2 (51) М Кл.

В 220 II/04 с присоединением заявки—

Гасударстеенный кенктет

Севета Мкнкстреа СССР

IIo делан кзоеретеннй

N еткрытнй (32) Приоритет—

ОпубликованоХ).08.74 Бюллетень Ме 32 (45) Дата опубликования описания%.12. 74 (53) УДК 621, 746.

27(0I3B,.8

Б.Д.Ха алин В.А.Давыдов В.Г.Иванов,Л.Б.Гольдштейн, Ю.С.Озимин,АЛ.Меламед,Г.М.Йайденов,A. А.Послятур, И.Н.Тихомиров,Й.А.Рыжайков,Ю.А.Поповцев,Л.И.Паршукаы, R.Â.Мартемьянов,Г.Н.Красносельских,В.А.Горбунов, В.Я.Лукашин,B.Á.Ïîëü и В.С.Ивлиев (72} Авторы изобретения (7)) Заявитель (54> УСТРОИСТЮ ДЛЯ ПОЛУНЕПРЕРЦВНОГО ЛИТЪЯ ТРУБ

Изобретение относится к области непрерывного или полунепре-! рывного ли-ья металлов.

Известны устройства для полунепрерывного литья труб из чугуна с шаровидным графитом, включающие наружный кристаллизатор, формирующий внешнюю стенку трубй, и внутренний кристаллизатор (ойравкае дорн, формирующий внутреннюю стен-,О ку. В верхней части, в зоне, соответствующей началу кристаллизации и формированию поверхностного слоя отливки, наружный и внутренний кристаллйзаторы имеют цилиндрические стенки. Однако они неприемлемы. Чугун с шаровидным графитом без структурно свободного цеиентита в литом состоянии характеризуется значительной величиной предусадочного расширения, в 8-IO раз превосходящей предусадочное расши ение серого чугуна. ель изобретения - улучшение условий теплоотвода и повышение качества труб.

Для этого в предлагаемом g.с","т.ройстве конусность выполнена на участке, составляющем 30-70% высо-. ты внутреннего кристаллиэатор, при этом увеличение диаметров внутреннего и наружного кристаллизаторов равно 0,5-2,0 о, а отношение приращений диаметров наружного и внутреннего кристаллиэаторов равно

На фиг. I изображено описываемое устройство, первый вариант; на фиг. 2 - то же, второй вариайт; на фиг. 5 - разрез по А-А на фиг.

2.

Увеличение диаметра внутреннего кристаллиэатораТнаходится в пределах, соответствующих величине предусадочного расширения чугуна с шаровидным графитом, и составляет с- ° /об = D,6 о, увеличение диаметра может быть доведено до 2 ае т.е. до величины, превышающей предусадочное расшйрение. В этом случае небольшов растяжение стенки трубы беэ

44I094 м

3 нарушения ев сплошности обеспечивается пластичностью чугуна с шаровидным графитом в зоне высоких температур, при которых протекает преду садочйое ра сши ре ние.

Увеличение диаметра внутреннего кристаллизатора I выполняется на участке, составляющем 30-704 его высоты, т.е. / -.Н(з-М)

Этот участок соответствует реализации предусадочного расширения (с учетом различной скорости извлечения).

Внут енний кристаллизатор I в нижнеи части (в зоне контакта с отливкой при срыве) может быть выполнен как с ум.=;ньшением диаметра 4 = с4 (0,99-0,98) так и цилиндрическим (см. фйг. f), при этом срыв обеспечивается за счет большои величины предусадочного расши ения.

1а р уж ы и кри с та лли за т ор 2 также выполнен с увеличением диаметра в направлении движения металла. Поскольку уклон, равный д- Х

f00 = IO0 5 - ?02;4, соответствует или превйшает предусадочное расширение, давление отливки на наружный кристаллизатор и, следовательно, их силовое взаимодействие минимальны. Нижняя часть наружного кристаллизатора 2 выполнена цилиндрической Д,=д, (I,OO-I OI).

Важным условием обеспечения качества отливок является правильное соотношение между профилями наружного и внутреннего кристаллизаторов. Разработанная конструкция характеризуется отношением при ра ще ни й,:.,и амв тр ов на руж ного и внутреннего кристаллизаторов, равным —,", -- = 1,O-I,2. Такое соотношейие я ляется ойтимальным, поскольку, если уклон на наружйом кристаллизаторе будет меньше, чвм на внутреннем, может произойти защемленив, а если значительно больше, то образование зазора приво- дит к снижению интенсивности теплоотвода.

Указанные соотношения конструктивных параметров обеспечивают предупреждение образования утяжин в режиме непрерывной отливки. При полунепрерывнои отливке в началь5 0

3<)

4 ный период формирование поверхностной корочки протекает в контакте с частью внутреннего кристаллизатора, имеющеи уменьшение диаметра в направлении разливки, или в контакте с цилиндрической частью.

В этих условиях профиль нв может предотвратить образование зазора и появление утяжин. Для предотвращения появления утяжин необходимо исключить значительные местные деформации корочки за счет равномерного распределения деформации.Для этого на нижней части внутреннего кристаллизатора I нанесена насечка (углубления) глубиной 0,5-2 мм с шагом 5-50 мм (в зависимости от диаметра отливаемых труб,. величина которого колеблется в пределах

ХОО-ХОЖ мм) . Отпеч ат ки н а сечки образуются на отливке и обеспечивают распределение деформаций по периметру. Поскольку насечка нанесена на той части, где диаметр внутреннего кристаллизатора остается постоянным или уменьшается в направлении движения металла, наличие насечки нв препятствует срыву.

Разработанная конструкция позволяет получать качественные трубы из чугуна с шаровидным графитом без структурно свободного цементита в литом состоянии.

ПРЕДАДЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Устройство для полунепрерывного литья труб из чугуна с шаровидным графитом, включающее внутренний и наружнйй кристаллизаторы с конусной рабочей поверхностью, расширяющейся в направлении движения металла, о т л и ч а ю щ ее с я тем что, с целью улучшения условий теплоотвода и повышения качества труб, конусность выполнена на участке, составляющем

50-70 0 высоты внутреннего кристаллизатора, при этом увеличение диаметров внутреннего и наружного кристаллиэаторов равно 0,5-2,0$ а отношение приращений дйаметров наружного и внутреннего кристаллизаторов составляет I,O-I,2.

44I094

u2. Z

Составитель К,л. ЯЯДДИЯ8

РедакторTi IOymeaa Техред Н,Gemma

Подннсное

Предприятие «Патент», Москва, Г-59, Бережковская наб, 24

Заказ Фф Изд. 1й57 Тираж ЯЯ

ЦНИИГ1И Государственного комитета Совс1а Министров -СССР но делам изобретений н открытий

Москва, 113035, 1 аушская наб., 4