Материал для высокоомных резисторов

Материал для высокоомных резисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(11) 442576

ИЗОБРЕТЕМ Ия

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 25.0Х. 73 (21)1877656/269 (51) М Кл. НОАС 7/04 с присоединением заявки—

Государственный номнтет

Совата Министров СССР по долам иэооретений и открытий (32) Приоритет—

Опубликовано 0-"л 09. 746юллетень № 33 (45) .Дата опубликовании описания14. П. 74 (53) УДК

621.396.6.KBi .5.

Н.А.СЕЕИМОВ, В.Н.ЧЕРНЯЕВ и l0.Г.ОБИЧКИН (72) Авторы изобретения (54) МАТЕРИАЛ ДИ ВЫСОКООМНЫХ Р1ВИСТОРОВ

25 j

Изобретение относится к технике напыления резистивноемкостных, резистивных, совмещенных интегральных и тонкопленочных микросхем, которые применяются в радиоэлектронной аппаратуре и вычислительной технике.

Известен материал для высокоомных резисторов, содержащий хром в и моноокись кремйия.

Цель изобретения — разработка резистивного материала с высоким чдельным сопротивлением — 100

Ъщ/квадрат до Х Мом/квадрат и получение отрицательного температурного коэффициента сопротивления.

Нредлагаемый ВВтериал отлича- 2„ ется тем, что он дополнительно содержит сйталл.

Изменяя процентное содержание ситалла, можно изменять удельное сопротивление материала.

Так, при изменении содержания ситалла от 40 до 80 вес.% удельное сопротивление меняется от 100

Ком/квадрат до I MoM/êâàäðàò.

11рименение данного резистивиого материала дает возможность изготовить резисторы до 5Ц 1у1ом с ТКС порядка -47 + 10) 10 Х/град.

ПРИМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Материал для высокоомных ре-, зисторов, содержащих хром и моноокись кремния, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения удельного сопротивления и получения от ицательного температурного коэ ента сопротивления, он дополнительно содержит ситалл при следующем количественном соотношении исходных компонентов (весД):

Моноокись кремния 2-6

Сит алл 40-80

Хром остальное