Мультивибратор
Патент 442564
Авторы
Классы МПК
Мультивибратор
Иллюстрации
Реферат
Qn HCAHNE
ИЗЬБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СЮЩИВЛЬСТВУ (И).: 44Щф
Р (61) Зависимое от авт.свид-ва (22) Заявлено 25.01.73 (21) 1877642А26-9 с присоединением заявки М32) Приоритет(51) М. Кл.
Н ОЗК 3/282 йарвуетвеивй квинтет ффввта Эеиииетрев СССР ае делам иэебретений и атирмтий (53) УДК 621.373. ..431.1 (О88.8), 621.373.52(088.8) Опубликовано 05.09.74.Бюллетень М 33
Дата опубликования описания О6-08.75 т (72) Авторы изобретения
П. Н. Димитраки и Ч. Г. Мовиляну (7)) Заявитель
Кишиневский государственный педагогический институт им. И. Крянгэ (54} МУЛЬТИВИВРАТОР
Изобретение относится к импульсной технике.
Известен мультнвнбратор, содержащий два транзистора, эмиттеры которых объединены и подключены к одному полюсу источника питания, и R-С- 4R структуру.
Бель изобретены я - упрощение мультивнбратора н повышение его надежности.
В предлагаемом мультивибраторе базы транзисторов подключены к одним разноименным выводам Я-С- КЯ структуры, два других одноименных вывода которой подсоединены ко второму полюсу источника nul
I тания, а коллекторы - к промежуточным
I выводам R-С- Я Я структуры.
На чертеже приведена принципиальная схема устройства.
Мультивибратор содержит транзисторы
1 и 2, змнттеры которых объединены и подключены к одному полюсу источника питания и 1т-С- г(R структуру 3.
Базы транзисторов подключены к разнонменным выводам 4 и 5 структурвт 3 соответственно. Два других разноименных вывода 6 и 7 структуры 3 подсоединены I йо второму полюсу источника питания (клемма 8). Коллекторы транзисторов под- соединены к промежуточным выводам 9 и:
10 структуры 3 соответственно.
Работает мультивибратор следующим образом.
В исходном состоянии транзистор 1 открыт, а транзистор 2 закрыт. Напряже ние на базе 1 близко к нулю. Напряжение на.
10 базе транзистора 2 отрицательно. Это, напряжение стремится к значению напряженнч источника питания с по- .
; стоянкой времени, зависящей от величины распределенной емкости и сопротивления
15 резистйвного слоя NR структуры 3.
Когда напряжение на базе транзистора
2 достигает порогового напряжения срабатывания, транзистор приоткрывается и передает через коллектор и распределитель20 ную емкость структуры 3 отрицательный скачок на базу транзистора 1 в сторону его запирання. С коллектора транзистора
1 положительный скачок напряжения через распределительную емкость структуры 3
25 передается на базу транзистора 2, еще
442564
Составитель 1() Яркин.
Т«ред И.Карандашова КоРРектоР Ц.Epыксинa
Редактор Б.федотов ).в .
Заказ а ) Я Изд. М . Я/ Тираж 81 1
Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, 113035, Раушская наб., 4
Предприятие сПатент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24 больше приоткрывая его. Таким образом )
1аазвивается лавинообразный процесс.
Ло окончании регенеративного процесса напряжение на коллекторе транзистора 1 устанавливается близким к напряжению источника питания. Напряжение на коллекторе транзистора 2 близко к нулю. Напряжение на распределенной емкости (между базой транзистора 1 и коллектором транзистора 2) стремится.к значению напряжения источника питания с постоянной времени, зависящей от сопротивления резистивного слоя и величины распределенной емкости структуры 3. Когда напряжение на базе транзистора 1 достигает порогового напряжения срабатывания, транзистор начинает открываться. Начинается регенеративный процесс. Отрицательный
4 скачок с коллектора транзистора 1 передается на базу транзистора 2 через распределенную емкость структуры 3. Далее все процессы повторяются.
Предмет изобретения
Мультивибратор, содержащий два транзистора, эмиттеры которых объединены и подключены к одному полюсу источника пи-. щ тания, К-С- NR структуру, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью его упрощения и повышения надежности, базы транзисторов подключены к одним разноименным выводам К-С- И R, структуры, 15 два других разноименных вывода которой подсоединены ко второму полюсу источника питания, а коллекторы - к промежуточным выводам Я-С- N R структуры.