Фотоэлемент вентильного типа

Фотоэлемент вентильного типа

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Класс 21 g, 2Ч

АВТОРСНОЕ СВИДЕТЕЛЬСТВО НА ИЗОБРЕТЕНИЕ

: -" : - - l- - З Н Д,, "Ъ 33

t wali Ä

I - " > И О т К К А

ОПИСАНИЕ фотоэлемента вентильного типа.

К авторскому свидетельству В. П. Жузе, заявленному

20 декабря 1934 года (спр. о перв. № 159330).

0 выдаче авторского свидетельства опубликовано 30 сенгяб я 193о года.

Твердые электронные выпрямители и фотоэлементы требуют в качестве необходимого условия для выпрямления и получения фотоэффекта наличия между металлом и полупроводником тонкого зазора порядка 10 см (см. 1. Frenkel u.

А. joffe Phys. Zs. d. Sowietunicn, 1, 60, 1932) или же тонкого плохопроводящего слоя толщиной 10 — 10 см (см. ту же — 5 в 1 работу или книгу R. Ф.Иоффе. Электронные полупроводники).

Меняя свойства этого слоя (запирающий слой) и его толщину, можно в достаточно широких пределах менять свойства выпрямителей и фотоэлементов.

Теоретическая возможность создания выпрямителей и фотоэлементов вентильного типа из самых разнообразных веществ по схеме: металл †плохопрово. ший слой — электронный полупроводник известна.

Большой интерес при этом представляет задача получения запирающих слоев искусственным путем.

Предлагаемое изобретение имеет целью разрешить указанную задачу изгс товления, фотоэлемента вентильного типа с запирающим слоем на границе

„полупроводник-металл" (совершенно необходимым для возникновения в системе, при освещении, фотоэлектродвижущей силы), полученным искусственным путем, что позволяет варьировать свойства фотоэлемента.

Произведенные исследования показали, что для возникновения фотоэлектродвижущей силы в фотоэлементе вентильного типа запирающий слой должен обладать большим внутренним фотоэффектом наряду с большим сопротивлением. В качестве одного из материалов, удовлетворяющих указанным выше условиям, является, например, сернистый таллий, применяемый для из отовления так называемых .таллофидных" фотоэлементов (фотосопротивлений).

Согласно изобретению, в качестве запирающего слоя в фотоэлементе вентильного типа применяется сернистый таллий (Т1, S), искусственно наносимый одним из известных способов, например испарением в высоком вакууме, на электронный полупроводник. На этот слой таким же путем наносится лз> полупрозрачный металлический электрод. Толщина запирающего слоя лежит в пределах от 5.10 до 1.10 см.

Предмет изобретения.

Фотоэлемент вентильного типа с искусственно изготовленным запирающим слоем, отлйчающийся тем, что запирающий слой толщиной от 5,10 до

1,10 ся, состоит из сернистого таллия (Т!зS) на который одним из известных способов наносится полупрозрачный металлический электрод.

Тил.,г1роялолиграф". Та:.,бх.саая, 12.. ак. 51л7