Стекло для микропроводов
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ОП ИСАНИНА
ИЗОЬВЕтИНИЯ
К АВйОРСХОМУ СВИДЙТИЙЬСУВУ мге ЬгЛ т (11), 443002
Союз Соввтсмих
Социалистимеских
Реслублик (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 25.О2.72 (21) 175ОЗО6/ г г с присоединением заявки - 2" "" (51} М Кл.
С 03с 3/04
Гвсудорственный комитет
Совете Министров СССР оо лелем иэооретений
N открытий (32) Приоритет—
Опубликовано 5,09. 746юллетеиь № 34
145);,Дата опубликования описания 25.09.74 (531 УЛ.К
666. 112. 6 (088.8) (72) Авторы изобретения
С.П. Обидина, Л.А. Денисова, О.B.Äàâûäîâà и
В.Й. Вахрамеев
{71) Заявитель (54) СТ ЛО gm МИНРОПРОВОДО
720 не ме нее
I55O
Изобретение относится к составу стекла для литья микропроводов с жилой из тугоплавких высокоомных металлов и сплавов.
Известно стекло включающ е
Si 02, В203, ВаО, К2, Иа20, kt203
7л О.
Предложенное стекло обеспечивает стабильный процесс литья микропроводов, характеризуется высокой температурой размягчения, высо. кой вязкостью в литьевом диайазоне температур (500-I600"C), повышенной химической устойчивостью.
Это достигается тем, что стев ло содержит, вес,@
° ° тОг гОз 3- 6
ВаО f,— 3
КгО - 3
Маго Х- 2
1го 2- 5
n0 - 3- 5
Li20 0,5-IПримефный состав стекла, вес. фе тОг 84 го 4 аО 2 го Х,5
5 2О Х
Pi20 0,5
AD@1 kg 3
7.пО 4
Физико-химические свойства
1О стекла
Коэффициент линейного теущчеекщоолеееврение О fioC
Температура расширения, оС
Температура, при которой вязкость стекла равна I03 пуаз,оС
Электрическая прочность стекла на переменном токе
2О при частоте 50 гц 65
Хймическая устойчивость (g потерь в весе по отношению к воде) 0 Ä03
Стекло рекомендуется варить в .5 газоалектрических ванных печах пе2 -риодического действия емкостью f„5
В следу1Оаих КОЛиЧествах, Ъ1 0
Заказ
3 445002 т, бассейн которых выложен кварце- ненты» вйм огнезцоРом. Температура варки вес. д
J55Q-Х62ЬЧ .
ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Стекло для микропроводов,вклв чающей 02, Вд03, ВаО, К20, М20с кп О,® 2О, отйичающееся тем, что, с целью повыше ля температурй размягчения, химстойкостк в вязкос ти. оно содержит указанные компоСоставитель И. lQpHQBCKB$l
Редактор Э . ШИОйЕВа Техред f ..ИйСИЛййай Корректор g, Ыд,д вмаа-
4 Изд. М V„
Тираж ЩЯ Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, 113036, Раушская иаб., 4
Предпрнятие «Патент», Москва, Г-69, Бережковская наб., 24
82-86
3-6
Х-3
1-3
-5
3-5
i-3 и,ко ме того, 0,5-g