Устройство для термической обработки полупроводниковых пластин

Устройство для термической обработки полупроводниковых пластин

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е (||) 443234

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Со|ее Советски||

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 26.02.73 (21) 1890862. 26-9 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 15.09.74. Бюллетень № 34

Дата опубликования описания 11.05.75 (51) М. Кл. F 26Ь 25.06

Государственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 537.311.33.002. .5(088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

1О. И. Прохоров, Г. К. Васильев и 3. И. Хорина (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Изобретение может быть использовано в операциях полимеризации и задубливания фоторезисторов, сушки лаков, компаундов и эпоксидных смол на металлических, полупроводниковых, диэлектрических подложках в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Известны устройства для термической обработки полупроводниковых пластин, содержащие размещенные в корпусе отражательный экран с водоохлаждаемой рубашкой, источник инфракрасного излучения и систему подачи газа.

Однако известные устройства предназначены для статической термической обработки изделий с периодической загрузкой и выгрузкой, в них невозможно равномерно облучать поверхность и согласовывать процесс удаления растворителя при сушке жидкой (влажной) пленки фоторезиста со скоростью нагрева подложки, кроме того, теплообмен подложки не интенсифицируется с окружающей средой.

С целью обеспечения возможности интенсификации теплообмена обрабатываемых пластин с окружающей средой предлагаемое устройство снабжено расположенной над отражательным экраном прозрачной пластиной с выполненными в ней сквозными наклонными отверстиями, служащими для проходки газа, а источник инфракрасного излучения расположен между отражательным экраном и прозрачной пластиной.

На фиг. 1 показано предлагаемое устройство для термической обработки полупроводниковых пластин, общий вид; на фиг. 2 — разрез по А — А на фпг. 1.

Устройство для термической обработки полупроводниковых пластин состоит из отража|о тельного экрана 1 с водоохлаждаемой рубашкой 2, в верхней части которого, над отражательньп| экраном 1, установлена горизонтальная плоская пластина 3 со шлифованной направляющей дорожкой (несущей плоско15 стью 4), выполненная из прозрачного термостойкого материала, например из кварцевого стекла. На несущей плоскости 4 выполнены сквозные наклонные отверстия 5, служащие для прохода газа.

Во внутренней части проточной камеры 6, имеющей входной штуцер 7, установлен источник 8 инфракрасного излучения. Над прозрачной пластиной 3 расположена крышка 9, 25 выполненная в виде отражательного экрана

10 с водоохлаждаемой рубашкой 11. Плоские щели 12 и 13 соизмеримы с геометрическими размерами обрабатываемых изделий и служат для подачи их на обработку и приема

3р после нее.

443234

11 7О

Фиа 1

Для проведения термической обработки изделий, например сушки фоторезистивных пленок на полупроводниковых пластинах, на источник 8 инфракрасного излучения подают напряжение питания, соответствующее требуемой температуре, определяемой по термодатчику на изделии при одновременной подаче воздуха (газа) через входной штуцер 7 в количестве и под давлением, обеспечивающими условия взвешивания обрабатываемого изделия над несущей плоскостью 4 под действием истоков газа, истекающих через отверстия 5 из проточной камеры 6, В зависимости от особенностей технологического процеса режим транспортирования изделий при термической обработке может быть задан либо непрерывный, либо импульсивный, поэтому термическую обработку как в первом, так и во втором случае проводят после того, как установлен квазистационарный тепловой режим.

Термическая обработка изделий в предлагаемом устройстве предпочтительнее с транспортированием изделий на импульсивной газодинамической подушке, так как в этом случае управление кинетикой нагрева и охлаждения изделий возможно в широком диапазоне за счет изменения частоты импульсов подаваемого воздуха (газа) в проточную камеру 6.

Непрерывный (периодический) приток свежего воздуха (газа) в проточную камеру

6 улучшает условия работы источника 8, повышая тем самым ресурс его работы.

5 Потоки воздуха, набегающие на поверхность изделия, повышают равномерность удаления растворителя из пленки. Сочетание лучистой инфракрасной энергии и транспортирования изделия па газодннамической (воз10 душной) подушке интенсифицирует процесс сушки.

Предмет изобретения

Устройство для термической обработки полупроводниковых пластин, содержащее размещенные в корпусе отражательный экран с водоохлаждающей рубашкой, источник инфра20 красного излучения и систему подачи газа, отличающееся тем, что, с целью обеспечения возможности интенсификации теплообмена обрабатываемых пластин с окружающей средой, оно снабжено расположенной над от25 ражательным экраном прозрачной пластиной с выполненными в ней сквозными наклонными отверстиями, служащими для прохода газа, а источник инфракрасного излучения расположен между отражательным экраном и

30 прозрачной пластиной.

443234

Корректор А. Степанова

Редактор Т. Морозова

Заказ 1063/4 Изд. ¹ 1210 Тираж 678 Подписное

Ц1-1ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 7К-З5, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Составитель Н. Блинкова

Техред T. Миронова