Магниторезистор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

о п и с А тгтг

ИЗОБРЕТЕН И

<1т1 443342 "юз Советских

Сацизвистлчвских

Ресвтблик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 09.02.73 (21) 1880519 18-1 (51) М. Кл. G 01г 33 00 с присоединением заявки №

Государственный комитет

Совета Министров СССР (32) Приоритет

Опубликовано 15.09.74. Бюллетень М 3

Дата опубликования описания 27.05.75 (53) УД1 621.317.421.2 (088.8) по авпам изобретений и открытий (72) Автор изобретения

Ш. С. Сафинов

Уфимский авиационный институт им. Серго Орджоникидзе (71) Заявитель (54) МАГНИТОРЕЗИСТОР

Предмет изобретения

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для измерения магнитной индукции.

Известны магниторезисторы, основным недостатком которых является значительная зависимость их сопротивления от температуры.

Для устранения температурной погрешности в предлагаемый магниторезистор введен дополнительный электрод, разделяющий рабочее тело магниторезистора на две части, причем обе части включены в соседние плечи мостовой измерительной схемы, а одна из них защищена магнитным экраном.

На чертеже показан описываемый магниторезистор, состоящий из магнитодиэлектрической подложки 1, покрытой пленкой полупроводника 2, центрального электрода 3, периферийного кругового электрода 4 с проходным изолятором 5, концентрично расположенного с контактами (4 и 3), отвода 6 и магнитного экрана 7, охватывающего часть рабочего тела.

Магнитный экран 7 состоит из двух одинаковых обручей, которые при их сваривании между собой, например, давлением, по внешнему ранту зажимают рабочее тело внутренним рантом по круговому отводу 6, так что экран выполняет еще роль электрического контакта. соотношения радиусов RI u Rz выбирают так, чтобы отвод 6 разделял пленку полупроводника 2 на части с равными омическими сопротивлениями. Обе части включаются в мостовую схему с потенциометром 8,;JpH помощи которого производится уравновешивание мос5 та.

Так как обе части магниторезистора выполнены на одной и той же пленке полупроводника 2, они имеют одинаковые температурные коэффициенты сопротивления. Поэтому мосто10 вая схема при изменении температуры не будет претерпевать разбаланс.

Если же на магниторезистор будет действовать магнитное поле, то изменится омическое сопротивление только одной его части, тай как

15 вторая охвачена магнитным экраном 7, и на диагонали моста появится сигнал в виде напряжения, пропорционального измеряемому полю.

Магниторезистор, состоящий из рабочего тела в форме диска с электродами в центре и по окружности, отличающийся тем, что, 25 с целью устранения температурной погрешности, диск разделен на две части дополнительным электродом, причем обе части включены в соседние плечи мостовой измерительной схемы, а одна из них защищена магнитным экра30 ном.

443342

Составитель М. Клыков

Техред T. Миронова

Корректор Л, Денисова

Редактор С. Хейфиц

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 1213/9 Изд. № 1274 Тираж б78 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5