Оптоэлектронный ключ на п-р-п транзисторах

Оптоэлектронный ключ на п-р-п транзисторах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

пц 443484

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

И АВТОРСКОМУ СВйдЕТЕЛЬСТВУ

Союз. Советских

Сойиалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 28.03.73 (21) 1899241/26-9 с присоединением заявки ¹ (32) Приоритет

Опубликовано 15.09.74. Бюллетень № 34

Дата опубликования описания 28.03.75 (51) M. Кл. Н 03k 17/78

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.382(088.8) (72) Авторы изобретения

Д. В. Игумнов, H С. Громов и Г. В. Королев

Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (71) Заявитель (54) ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ KJl1OЧ НА и-p-и ТРАНЗИСТОР

Изобретение относится к области радиотехники и применяется в качестве основного элемента самых разнообразных схем.

Известны оптоэлектронные ключи на и-р-zz транзисторах.

Однако для построения электронных ключей с хорошей помехозащищенностью и»адежностью, способных качественно выполнять своп функции при положительных температурах, часто необходимо использовать дополнительный источник запирающего напряжения.

Кроме того, для реализации схем, использующих источник запирающего напряжения, часто приходится выбирать большой номинал резистора в цепи запирающего смещения, ITO усложняет интегральное исполнение схем.

С целью устранения дополнительного источника запирающего напряжения в предлагаемом ключе включены светодиоды в цепи коллекторов и фотодиоды между коллекторами предыдущих и базами последующих транзисторов, причем светодиод в коллекторе предыдущего транзистора оптически связан с фотодиодом в цепи базы последующего транзистора.

На чертеже представлена схема предлагаемого оптоэлектронного ключа.

Двухкаскадная схема электронного ключа состоит из светодиодов 1 и 2, фотодиодов 3 и

4, резисторов 5 и 6 и биполярных транзисторов7и8.

При запертом транзисторе 7 на базу транзистора подается положительный потенциал

5 через резистор 5, светодиод 1 и фотодиод 4, в результате чего транзистор S находится в открытом (насыщенном) состоянии. При открытом (насыщенном) транзисторе 7 по цепи: резистор 5 — светодиод 1 — транзистор 7 про10 текает достаточно большой ток, вызывающий генерацию квантов света в светодиоде 1, которые, попадая на фотодиод 4, генерируют в нем фото-э. д. с. Получаемое при этом (вентильное) напряжение на фотодиоде 4 знаком

15 минус приложено в базе транзистора, в результате чего транзистор запирается. Величину запирающего (вентильного) напряжения на фотодподе 4 удобно задавать с помощью резистора 5, номинал которого при заданном

20 Е-„определяет ток светодиода.

Таким образом, несмотря на отсутствие доI полнительного источника запирающего напряжения схема электронного ключа характери25 зуется надежным запиранием транзистора.

Предлагаемый оптоэлектронный ключ может явиться основным элементом целого ряда импульсных схем (логические ячейки, триггер и т. д.).

443484

Предмет изобретения

+F„

Составитель С. Поликарпов

Техред T. Миронова

Редактор T. Морозова

Корректор Л. Котова

Заказ 689/1 Изд. № 1108 Тираж. 811 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр, Сапунова, 2

Оптоэлектронный ключ на и-р-п транзисторах, отличающийся тем, что, с целью устранения дополнительного источника запирающего напряжения, в нем включены светодиоды в цепи коллекторов и фотодиоды между коллекторами предыдущих и базами последующих транзисторов, причем светодиод в коллекторе предыдущего транзистора оптически

5 связан с фотодиодом в цепи базы последующего транзистора.