Пиковый детектор

Пиковый детектор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е (11> 44430 F0

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 01.08.72 (21) 1816952/26-9 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 25.09.74. Бюллетень ¹ 35

Дата опубликования описания 03.04.75 (51) М. Кл. Н 03d 1, 06

Государственный комитет

Совета Министров СССР (51) УДК 621.376.23 (088.8) Ilo делам изобретений и открытий

ВПАВ (72) Автор изобретения

В. В. Тихомиров

Институт биологической физики АН СССР (71) Заявитель (54) ПИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР

Изобретение относится к амплитудным детекторам и может быть использовано в устроиствах восста новления огибающей импульсных последовательностей.

Известен пиковый детектор, содержащий два транзистора одного типа проводимости, базы кото рых подсоединены к источнику входного сигнала, накопительный конденсатор и источник постоянного напряжения.

Однако такой детектор характеризуется,невысокой точностью детектирования, особенно коротких импульсов, из-за шунтирования зарядного транзистора входным переходом

1 аз рядного.

Цель изобретения — повышение точности детскти рования.

Это достигается тем, что к коллектору первого транзистора подключена база транзистора с противоположным типом проводимости, коллектор которого соединен с эмиттером второго транзистора, а эмиттер — с источником постоянного нап1ряжения.

Изобретение поясняется принципиальной схемой.

Пиковый детектор содержит транзисторы 1 и 2 одного типа проводимости, накопительный конденсато р 3, одна из обкладок которого подключена одновременно к эмиттеру первого и коллектору второго транзистора, а вторая — к общей шине, источник постоян,ного напряжения Е„, соединенный через резистор 4 с коллектором первого транзисто ра, дополнительный резистор 5 и дополнительный транзистор 6 противоположного транзисторам 1 и 2 типа проводимости. Базы транзисторов 1 и 2 подсоединены и источшгку входного сигнала, эмиттер транзистора 2 через дополнительный резистор 5 подключен к общей шине. К коллектору транзистора 1

10 подключена база транзистора 6 с противополож ным типом IlpOBoäèìîñòè, коллектор которого соединен с эмпттером второго транзистора, а эмнттер — с источником;юстоянного напряжения Е„.

При воздействии на вход детектора импульса, амплитуда которого превышает напряжение на накопительном конденсаторе, то есть при выполнении условия U;) U; ь где

20 U; — амплитуда i-го импульса, U; 1 — амплитуда (i — 1) импульса, открывается т1ранзистор 1 (зарядный) и начинается процесс заряда накопительного конденсатора 3 до напряжения E„. П ри этом транзистор 6 откры25 вается и потенциал эмиттера транзистора 2 (разрядного) поднимается до напряжения, близкого E„, и таким образом, п|ри выполнении вышеуказанного условия для любой амплитуды приходящего импульса входной пе30 реход транзистора 2 оказывается закрытым, 444300

Составитель Г. Челей

Техред T. Миронова

Корректор М. Шнпкова

Редактор А. Морозова

Заказ ?39/3 Изд. № 400 Тираж 81! Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Когда очередной импульс из детектируемой последовательности оказывается меньше по амплитуде, чем ему предшествующий, то ,пе рвый транзистор закрывается, при этом транзистор б будет закрыт, а транзистор 2 открыт для разряда накопительного конденсатора 3 до напряжения амплитуды импульса.

Итак, включая дополнительный транзистор б можно исключить .паразитное шунтирование цепи зарядного транзистора входным переходом разрядного и повысить коэффициент использования вольт-секундной площади детекти руемых импульсов.

Предмет изобретен ия

Пиковый детектор, содержащий два транзистора одного типа проводимости, базы которых подсоединены к источнику входного сигнала, накопительный конденсатор, одна из обкладок которого подключена однов ременно к эмиттеру первого и коллектору второ5 го 11ранзистора, à вторая кобщей шине, и источник постоянного напряжения, соеди ненный через резистор с коллектором первого транзистора, п ри этом эмиттер,второго транзистора через дополнительный резистор .под10 ключен к общей шине, отличающийся тем, что, с целью повышения точности детектирования, к коллектору первого транзистора подключена база транзистора с п ротиво1положным типом проводимости, коллектор

15 кото|рого соединен с эмиттером второго транзистора, а эмиттер с источником постоянного напряжения.