Способ выращивания алмазов

Способ выращивания алмазов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(И1444448

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 30.08.71 (21) 1695248/23-26 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 23.12.81. Бюллетень № 47 (45) Дата опубликования описания 23.12.81 (51) М Клз

С 01В 31/06

Государственный комитет

СССР (53) УДК 666 233 (088,8) оо делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

В. В. Дигонский, М. С. Друй, М. И. Сохор, В. Г. Сыркин, Л. И. Фельдгун и А. А. Уэльский

/ (71) Заявитель (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ АЛМАЗОВ

Изобретение относится к синтезу алмазов, а именно к синтезу алмазов в метастабильных условиях из газовой фазы, и может быть использовано в химической и станкоинструментальной промышленностях.

Известен способ синтеза алмазов при давлении 0,01 — 1,0 мм рт. ст. и температуре

800 †16 С на затравочных кристаллах алмаза с использованием газообразных источников углерода.

Однако в известном способе синтеза в качестве источников углерода применяют окись углерода, углеводороды, что делает процесс малоэффективным.

Цель изобретения — повысить эффективность процесса наращивания алмазов.

Это достигается тем, что в качестве источника углерода используют карбонилы переходных металлов V — VIII групп периодической системы элементов или их производные, такие как Cr (СО);, Мо (CO) 6, I.e(CO); и т. д.

Предлагаемый способ осуществляют, например, синтезом в аппарате из молпбденового стекла диаметром 90 мм с электронагревателем из графита, на который помещают лодочку из молибденовой фольги, содержащую 1 карат естественных кристаллов с размером зерен 160 мк.

Под нагревателем располагают тигель с карбонилом рения в количестве 0,1 г. Аппарат продувают в течение 5 мин аргоном, затем создают вакуум 10 — мм рт. ст., после чего включают электронагреватель, температуру которого поднимают до -1000 С.

1О В это время температура алмазных зерен близка к 800 С. За 10 ч привес алмаза cocraвнт 0,0001 r.

Формула изобретения

Способ выращивания алмазов при давлении 0,01 — 1,0 мм рт. ст. и температуре 800—

1600 С на затраво нных кристаллах алмаза

>î с использованием газообразных источников углерода, отл и ч а ющп и с я тем, что, с целью повышения эффективности процесса, в качестве источника углерода используют кароони Ibl переходных металлов

> VIII групп Периодической системы элемен тов плп их производные.