Способ изготовления мдп-структур на основе арсенида галлия

Способ изготовления мдп-структур на основе арсенида галлия

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советски» вил (1 07

ОП ИСАНИK

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Соцнапнстнцескк»

Респубакк

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт, свид-ву2 (51) й, Кл.

Н 01 l 29/00 (22) Заявлено 29.06.71 (21)1675070/26-25 с присоединением заявки №(23) Приоритет(43) Опублнковано05.12.77, Бюллетень №4 о (45) Дата опубликования описания 20.12.77

Госудврстеее»нй кекетет

Совета Мел»стреа СССР ее делан»зоеретел»е

» аткрытнй (53) УДК621 382 002 (088.8) Б. С. Лисенкер, И. Е. Марончук, Ю. Е. Марончук и О. В. Сеношенко (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

Институт физики полупроводников Сибирского отделения AH СССР (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-СТРУКТУР HA ОСНОВЕ

АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Изобретение относится к электронике, а именно к способам изготовления полупроводниковых приборов на основе МДП-структур из арсенида галлия.

Известен способ получения МДП-струк» тур, заключающийся в том, что на арсени де галлия выращивается слой двуокиси кремния путем термического разложения тетраэтоксисилана.

В другом известном способе слой двуокиси кремния Qi0 выращивается на ар сениде галлия в результате термического разложения тетраэтоксисилана при темпера- 15 туре более 550 С, Однако IpBHHljbl раздела арсенид галлиядиэлектрик, полученные известными спсг. собами, неудовлетворительны, поскольку плотности поверхностных состояний на них 0 более 10 см.

1.1елью изобретения является получение границы раздела полупроводник - диэлектрик с низкой плотностью поверхностных состояний, 25

Для этого перед нанесением диэлектрика поверхность арсенида галлия обрабатывают в парах гидразина при 600-620 С.

В качестве прототипа изобретения избран способ получения МДГЪ-структур на основе

GI» А 5 с использованием g 10

Существо предложенного способа закночается в том, что в газотранспортной сис» теме при 1 550-750 С на пластинах или эпитаксиальных слоях (се Д g выращивают слои двуокиси кремния, образуюшег<г ся при термическом разложении тетраэтоксисилана. В результате такого отжига образуется промежуточный слой диэлектрика

Я се N.

Механизм образования промежуточного слоя Ст се М, начиная с критической толщины слоя, состоит в диффузии азота через наросший слой, который в данных условиях играет роль маскирующего покрытия, затрудняющего проникновение загрязняющих компонентов к границе, раздела, В результате получается граница раздела С а АЕ - слй с плотностью поверхностных состояний поЙ рядка 2 ° 10 см .

11осле выращивания промежуточного слоя

Q o И создающего хорошую границу раздела, выращивают слой основного диэлектрика, который обеспечивает высокие рабочиенапряжения, Основной слой диэлектрика

5 получают любыми известными ниэкотемпера турными способами.

В газотранспортной системе, использую щейся для выращивания слоев диэлектрика, в зоне образцов устанавливают 1 600V

620 С. Очищенный гаэ-носитель (Н ) барботируется через гидразин, который разлагается в зоне образца @a AS с выделением свободного азота. Поскольку при этой температуре значительная диссоциация и удаление мышьяка, происходит реакция азота с g ot A S с образованием (» с» Х

С достижением критической толщины (j a Й основным механизмом роста становится диффузия азота через образовавшийся слой G с» Н, что обеспечивает образование границы раздела GO/ Аб - с» М в химически чистых условиях. После образования промежуточного слоя Q сл Й температуру в зоне

07

4 о образцов понижают до 550 С и в реактор вводят пары тетраэтоксисилана, который разлагается с выделением двуокиси кремния, в результате чего происходит рост основного слоя диэлектрика.

Полученные структуры имели плотность поверхностных Чостояний на границе раздела {2-3) ° 10 см 2

Формула изобретения

Способ изготовления МДП-структур на основе арсейида галлия, включающий наращивание на поверхности полупроводника низкотемпературным методом диэлектрика, например пиролитического, э ) О 2 и последующее нанесение металлического электрода, отличающийся тем, что, с целью получения границы раздела полупроводник - диэлектрик с низкой плотностью поверхностных состояний, перед нанесением диэлектрика поверхность арсенида галлия обрабатывают в парах гидразина при 600-620 С.

С остави тень Н. Зол отухи на

Редактор А. Зиньковский Техрец Н. Анцрейчук Корректор Е. Папп

Заказ 4739/10 Тираж 976 П оцписн ое

ЦНИИПИ Госуцарственного комитета Совета Министров СССР по цепам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-З5, Раушская наб., ц. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, уп. Проектная, 4