Мостовой усилитель
Иллюстрации
Показать всеРеферат
0 Л И (ю А иа ие К Е р„, лиитто
k)3GSPE7EH ИЯ
Союз Советских
Социалистических
Респубттик (61) Зависимое от авт. свидетельства251625 (22) Заявлено 06. 12. 72 (21)T852942/26-9 (51) M K
H 03 3/04 с присоединением заявки
Гасударственный ноинтет
Совета Министров СССР во делан нваоретеннй н открытей (32) Приоритет
ОпубликованоЖ09. 745юллетень № 36 (53) УЛК 62I.375.
- 026(088. 8) Дата опубликования описания 25Я,74, (72) Автор изобретения
В.И.СТЕПАНОВ
ТОМСКИЙ ОРДЕНА ОКТЯБРЬСКОЙ РЕВОДИЦИИ И ОРДЕНА ТРУДОВОГО
КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ПОЛИТЕХНИЧБ ."КИИ ИЕ".ТИТУТ ива. С.М.КИРОВА (71) Заявитель (54> МОСТОВОЙ УСИЛИТЕЛЬ
Изобретение может быть использовано, например, в устройствах электропривода.
По основному авт. св. 251б25 известен мостовой усилитель. Однако в таком усилителе транзисторы, коллекторы которых подключены к источнику питания, работают в линейном режиме, что приводит к их нагреву, уменьшению к.п.д. и снижению надежности усилйтеля.
Целью изобретения является уменьшение мощности рассеяния на транзисторах.
Это достигается тем, что в каждом плече предлагаемого мостового усилителя минус источника питания через диод подключен к це,пи из двух последовательно соединенных резисторов, место соединения которых через конденсатор подключено к эмиттеру транзистора этого же плеча.
На чертеже. изображена принципиальная схема предлагаемого мос2 тогого усилителя.
Усилитель содержит транзисторы 1-1, оееиоиоры 5-8 оонротивление нагруени р, диоды 10-1я и конденсаторы I4 и 15. Минус источника питания через диод Ш подключен к цепи из двух последовательно соединенных резисторов 5 и б, место соединения которых че1ез конденсатор ТМ подключено к эмиттеру транзистора 2, а также через диод П к аналогичйой цепи из двух резисторов 7 и 8, место соединения которых через конденсатор
Х5 подключено к эмиттеру транзистора w. Коллектор транзистора I соединен с базой транзистора 2 непосредственно и ерез диод I220 с эмиттером этого транзистора и с сопротивлением н1.грузки 9. Коллектор транзистора 3 подключен к базе транзистора М непосредственно и через диод IB — к эмиттеру
25 этого транзистора и к второму вы445II
3 воду сопротивления нагрузки 9.
Мостовой усилитель .работает следующим образом
Есла я первыйлолупериод к базе транзистора I приложей положительный потенциал, а к базе транзистора 3 - отрйцательный n( тенциал источника управляющего сигнала, то транзистор I находит-,, ся в закрытом состоянии, а транзис о тор 3 — в открытом состоянии.
Транзистор 2 открывается в первоначальный период работы под действием тока базы, величина которого определяется сопротивлением резисторов 5 и 6. Ток от источника питания проходит по цепи, транзистор Э, диод IS, сопротивление нагрузки 9, транэйстор 2. Одновременно ток источника .питания протекает по цепи: транзистор 3, иод ТЗ, конденсатор I5, резистор, диод П. Конденсатор I5 заряжается в соответствии с поляр- ы ностью, указанноИ на чертеже. Ilaдение напряжения на диоде IS используется для запирания транзистора ч.
При смене полярности источни1 . ка управляющего сигнала транэисто
7 4 ры I и Ф открываются, а транзисторы 3 и2. я Ток базы трайзйстора 4 устанавливается резистором 8 от напряжения заряда конденсатора I5. Диод П предотвращает разряд конденсатора через веиктар 7
В следующий период ток базы транзистора 2 устанавливается ре зистором 6 от напряжения заряда конденсатора I4. Подбором сопротивлений резисторов 5-8 и величин . емкостеИ конденсаторов I4 и I5 моз но обеспечить ключевоИ режим ра-боты транзисторов 2 и 4.
Предмет изобретения
Мостовой усилитель по авт. св. М 25I625, о т л и ч-а ю щ и И.
<с я тем, что, с целью уменьшения мощности рассеяния на транзисторах, в каждом его плече минус источника питания через диод подключен к цепи из двух последовательно соединенных резисторов место соединения которых через конденсатор подключено к..эмитте.ру транзистора этого же плеча.
Составитель редактор 3, КО Й9403Я Тех редЯД Г©ИДЯ Корректор И ° ÏOÇÍßÊOÍÑÊ ñ Я
Закаэ 41 И.д. М >о 1 и раж бэ т Подписное
1111ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам иэобретений и открытий
Москва, 113035, Раушская наб., 4/ф
Предприятие «Патент>, Москва, Г-59, Бережковская наб., 24