Быстродействующий фототранзисторный оптрон
Иллюстрации
Показать всеРеферат
" «» !
fogy
О П И А-:Н--И Е (п) 445153
Союз. Советских,Социалистических
Республик
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 19;05.73 (21) 1916893/26-9 с присоединением заявки № (51) М. Кл. Н 03k 17/78
Государственный комитет (32) Приоритет
Опубликовано 30.09.74. Бюллетень № 36
Дата опубликования описания 28.03.75
Совета мнннстров СССР по делам нзобретеннй и открытий (53) УДК 621.382(088.8) (72) Автор изобретения
В. А. Горохов
Всесоюзный заочный электротехнический институт связи (71) Заявитель (54) БЪ|СТРОДЕЙСТВУЮЩИИ ФОТОТРАНЗИСТОРНЫЙ
ОПТРОН
Изобретение относится к полупроводниковой автоматике и может применяться в тех случаях, когда необходимо осуществлять коммутацию электрических цепей с высокой частотой переключения.
Известны фототранзисторные опторны, содержащие фототранзистор, оптически связанный с основным светоизлучателем, например светодиодом.
Однако известные фототранзисторные оптроны обладают сравнительно невысоким быстродействием.
Целью изобретения является повышение быстродействия оптрона.
С этой целью введены дополнительно вспомогательный светоизлучатель, например светодиод, оптически связанный с фотодиодом, который включен параллельно эмиттерно-базовому переходу фототранзистора, и схема управления, инверсный и неинверсный выходы которой подсоединены к основному и вспомогательному светоизлучателю,. соответственно.
На чертеже приведена схема быстродействующего фототранзисторного оптрона.
Предлагаемый оптрон содержит фототранзистор 1, например и-р-и типа, подключенный коллектором 2 и эмиттером 3 к коммутируемой цепи, состоящей из нагрузки 4 и источника 5 коммутируемого сигнала, фотодиод 6 подключен анодом к эмиттеру 3, а катодом— к базе 7 фототранзистора 1.
Схема 8 управления содержит два светоизлучателя, например светодиода, основной 9, 5 оптически связанный с фототранзистором 1, и вспомогательный 10, оптически связанный с фотодиодом 6, два ключа 11 и 12, подключающих светодиоды к источнику 13 питания и блок 14 управления, управляющий состоянием
10 ключей 9 и 10.
Устройство работает следующим образом.
Пусть в исходном состоянии управляющий сигнал отсутствует. Тогда блок 14 выдает такой сигнал, что ключ 11 разомкнут, а ключ 12
15 может быть как в разомкнутом, так и в замкнутом состоянии. В этом случае фототранзп. стор 1 имеет большое сопротивление, и наг рузка 4 оказывается отключенной от источника 5 коммутируемого сигнала.
2() Пусть подан управляющий сигнал. Тогда блок 14 выдает такой сигнал, что ключ 11 замыкается, а ключ 12 обязательно переходит в разомкнутое состояние. В этом случае фототранзистор 1 освещается и имеет малое сопро25 тивление, а фотодиод 6 не освещается и имеет большое сопротивление, препятствующее возникновению запирающего базового тока фототранзистора, что обеспечивает большую светочувствительность фототранзистора. Нагруз445153
Предмет изобретения
Г
1 ! !
l !
I ! ! !!
Г1
У/..
Составитель А. Дедюхин
Техред T. Миронова
Редактор М. Бычкова
Корректор Л. Котова
Заказ 689/б Изд № 1108 Тираж 811 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, 7Ê-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 ка 4 оказывается подключенной к источнику 5 коммутируемого сигнала.
Пусть в определенный момент to управля1ощий сигнал уменьшается до нуля. Тогда блок
14 выдает такой сигнал, что ключ 11 размы- 5 кается, а ключ 12 обязательно замыкается.
Время замыкания ключа должно быть больше времени рассасывания избыточных носитслей из базы фототранзистора. В этом случае в момент 4 фототранзистор имеет по прежнему 10 малое сопротивление, так как избыточные посители в базе не исчезают мгновенно, а рекомбинируют и рассасываются током базы фототранзистора за определенное время, равное
tIð „, т. е. нагрузка 4 оказывается подключенной к источнику 5 коммутируемого сигнала.
В момент to сопротивление фотодиода 6 резко уменьшается и на нем возникает фото-э. д. с., приводящая к возникновению рассасывающего тока базы, что существенно уменьшает время (рас по сравнению со случаем, когда этот ток равен нулю. Величина рассасывающего тока базы равна фототоку фотодиода. Таким образом, в предложенном оптроне существенно повышается быстродействие без снижения чувствительности фототранзистора к освещению.
Быстродействующий фототранзисторный оптрон, содержащий фототранзистор, оптически связанный с основным светоизлучателем, например светодиодом, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, в оптрон дополнительно введены вспомогательный светоизлучатель, например светодиод, оптически связанный с фотодиодом, который включен параллельно эмиттерно-базовому переходу фототранзистора, и схема управления, инверсный и неинверсный выходы которой подсоединены к основному и вспомогательному светоизлучателю, соответственно.