Установка для выращивания кристаллов

Установка для выращивания кристаллов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

445462

ИЗОБРЕТЕН Ия

Союз Соеетскмз

Соцмалистических

Ресеубпни (61) Зависииое от авт. свидетельства (22) Заявлено 23.03.7I (21)I63573g23-2 с присоединением заявки (32) Приоритет

Опубликовано 05.IQ74 Бюллетень № 37 (51) М Кл. В Gl) ?7/06

Гасударстаеииый комитет

Соавта Министров СССР оо делам изеоретеиий и открытий (53) УИК 62I.315.592. (088.8) (45)! Дата опубликования описания I5. Х2.7 и (72) Авторы С.В.Бодяченсний, Н.Б.Каган, В.Н.Климонициий, B.тт.Липон, изобретения В Я.Рейтерон, Г.К . Рубин, В .А .Сок олон, E.À .Ñélóí, И.АЛельдман и ".ß.Õàçàéîâ (71) Заявитель (54) УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится н областн выращивания ноисталлон.

В изнестнои устанонне для ныращинания нристаллон, работающей по методу Штобера и содержащей футеронанную печь с неподвижным тиглем ннутри и нагреватели, осевой градиент температуры создают потоном от нерхнего торцоного нагре- 1,1 нателя через тигель н холодильнин .

Однано при применении таних устанонон н процессе выращивания нристаллон форма фронта нристаллизации не управляется, что приводит н нозможности зарождения н оснонном блоне побочных кристаллон и образонания полинристалличесно2 струнтуры.

Кроме того, величина осевого градиента темйературы янляется прантичесни нерегулируемой нели.чийой и может не соотнетстнонать условиям проведения процесса .

) 25!

Во время перемещения фронта нристаллизации на высоте нристалла нелич на осеного градиента изменяется, что принодит н неоднородности снойстн нристаллизуемого материала.

По этим причинам процент ныхода годных нристаллон при ныращинании н известных установках мононристаллон больших диаметров или нристаллон с соотношением нысоты н диаметру менее 0,3 очень ненелин.

Цель изобретения — упранленив

Формой фронта кристаллизации.

Для этого н предлагаемой устанонне на всей внутренней поверхности печи установлены сенциониронанные нагреватели.

На чертеже изображена схема описынаемой устанонни, нид снерху.

Устанонна содержит нагренатели

I-4 с наждой торионой стороны

3 тигля и несколько например,три) боковых нагревателей б-7, тепло-. изоляцив 8 и неподвижный тигель S„

Боковые нагреватели управляют ормой фронта кристаллизации за счет регулирования соотношения радиального и осевого тепловых потоков в кристаллизуемом материале. Осевой градиент температуры создают тепловым потоком между верхним I,2 и нижними 3,4 торцовыми нагревателями.

Установка работает следующим образом.

После загрузки тигля и расплавления материала температуру нагревателей I-7 подбирают так, чтобы обеспечить необходимый температурный градиент по высоте расплава.

Изменяя по программе температуру торцовых нагревателей I,a и 3,4 добиваются равномерного перемещения фронта кристаллизации по высоте расплава . Боковые нагреватели 5-7 сохраняют чри этом постоянство соотношения радиальных и осевых тепловых потоков, управляя формой,фронта кристаллизации и обеспечивая ее постоянст445462

4 во во время всего процесса выращивания.

В момент окончания полного закристаллизовывания расплава

5, :в самом "холодном" участке крис талла температура должна быть не ниже температуры релаксации термических напряжений. Это полностью исключает растрескивание о полученных кристаллов .

По окончании процесса выращива ния с помощью нагревателей l-7 создают изотермические условия во всем объеме полученного крис талла, после чего проводят его отжиг по заданной программе.

ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ

20 установка для выращивания кристаллов по методу Штобера, содержащая футерованную печь с неподвижным тиглем внутри и нагревате ли, отличающаяся тем что, с целью управления формой фройта кристаллизации, на всей внутренней поверхностй печи установлены секционированные нагреватели.

445462

Заказ )

Изд. М 7БФ

Тираж 651

Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

Москва, 113035, Раушская наб., 4

Предприятие «Патент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24

Составитель 3« ЦОЙОДЩТЩ3

Редакторй«УЬНЧЭДОЯЯехредЯ gyp КорректорЯ Ц(д дщ