Способ тренировки оксидно-полупроводниковых конденсаторов

Способ тренировки оксидно-полупроводниковых конденсаторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(11) 445936

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистииеских

Республик

{61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлеио2Т.И.72 (21)T848598/26-9 (51) M Кл.

Н ОХу тз/ОО

Н OIg 9/05 с присоединением заявки—

Государственный квинтет

Совета Мнннстрва СССР но делам нэверетеннй и открытий (82) Приоритет—

Опубликовано05.I0.746юллетень № 37 (45) .Дата опубликования описанияХ5.I2,74 (53) УИК 62I.396.69

:62I .3I9.4 (088.8) (72) Автор . изобретения

М.И.Хлопин (71) Заявитель СКБ при Новосибирском заводе радиодеталей (54) СПОСОБ ТРЕНИРОВКИ ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

КОНДЕНСАТОРОВ

Изобретение относится к технологии изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов .

Известен способ тренировки 5 оксидно-полупроводниковых конденсаторов, оснонанный на выдержке их под йапряжением, с целью отбраковки конденсаторон со скрытыми дефектами и стабилиза- 1о ции электрических параметров конденсаторов, попадающих н годную продукцию.

Цель изобретения — уменьшение токон утечки, отбраковка а потенциально ненадежных конденсаторон и ускорение процесса— достигается тем, что по данному способу конденсаторы выдерживают под напряжением постоянно- 2с го тока, равным напряжению промежуточной формвоки при нанесении последнего полупроводникового слоя на конденсаторный алемент. 25

Танталовые аноды (номинал

6 в х I00 мкф) оксидируют в водном растворе ортофосфорной кислоты при напряжении 45 в. Окси-. диронанные аноды пропитывают солью нитрата марганца, помещают в печь при ЗЗО С, а затем дополнительно формуют (для устранения дефектов, возникших при высокотемпературном разложении нитрата марганца) н водном растворе

° ° ксусной кислоты при напряжении

О в . Цикл пропитка — пиролитическое разложение — дополнительная формовка повторяют до 30 раз .

На поверхность анодон наносят слой марганца, затем графита и, наконец, металла методом шоопиронания. Конденсаторные алементы впаинают н корпус с изолятором, после чего конденсаторы тревитют при напряжении ЗО в в течете 6 час.

Составители Д Д цщцоцая

Р д „-„,,5 фЕдОтОВ !еврея Б (ЕцщНа Коррек1ор РеКИСЕАЕВа

Изд. и 6/5 Тираж ®(Подписное

Заказ f34

11НИИ!1И Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 1!3035, Раугнская наб., 4

1!реанрнятие «Патент», Москва, Г-59, Баре>кковская наб., 24

Способ тренировки оискдно-полупроводнииовых нонденсаторов, основанный на выдержие их под напряжением, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью уменьшениятонов утечяи, отбрацовни потенциально ненадежных ионденсаторов и ускорения процесса, конденсаторы выдерживают псу .апряжением, равным напряжению промежуточной формовни при нанесении последнего полупроводникового слоя на элемент ионденQ8T0P8