Способ измерения вторичноэмиссионных параметров материалов
Патент 445944
Авторы
Классы МПК
Способ измерения вторичноэмиссионных параметров материалов
Иллюстрации
Реферат
О П И ©А..Н И И
ИЗОБРЕТЕН ИЯ (11), 445944
Союз Советскин
Сонреакистическик
Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено08. I0.7Х (21) 7704209/ с присоединением заявки (32) Приоритет
Опубликовано05Л0.74 Бюллетень № 37 (45)! Дата опубликования описания Х5, I0,7 (5l) М Кл.
Н 0I j 43/00
Гасударственный маиитет
Совета инннстров СССР ао делан нзеоретеннй и открытий
УЗ) УД1(,621.383.,292 (088.8) (72) Авторы изобретения
А.С.Черкасов, Р.P.Èáðàãèìoâ и АЛЛачин (71) Заявитель Московский институт электронного машиностроения (54) СПОСОЬ И8МЕРЕБИ ВТОРИЧНОЭМИССИОННЫХ
ПАРАМЕТРОВ МАТЕРИАЛОВ
ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Г
Известны импульсные способы измерения вторичноэмиссионных параметров материалов с помощью импульсов первичного электронного потока, длительность и частоту которых выбирают такими, чтобы обеспечить минимальный заряд на мишени. При этом не достигается высоная точность измерения, поснольну не учитываются паразитные импульсы, на— примр третичные с ноллейтора, четверичные с мишени и т.д.
С целью увеличения точности измерений путем выделения паразитных импульсов длительность импульса первичного электронного потока выбирают меньшей, чем время пролета первичного электронного потона до мишени, выделяют во времени импульс втоичного электронного потока без паразитных импульсов ) и
Г затем вычисляют коэффициент вторичной эмиссии.
Разделение во времени импульсов
5 возможно благодаря тому, что основной импульс вторичного йотона является первым, а паразитные импульсы сдвинуты на экране осциллографичесного устройства .
Способ измерения вторичноэмиссионных параметров материалов, ы включающий измерение параметров импульсов первичного элентронного потока и вторичного потока с мишени, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности
20 измерения, длительность импульса первичного электронного потона выбирают меньше, чем время пролета электронов до мйшени.