Запоминающее устройство

Запоминающее устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

< ц 446И4

ОП И

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Респеолик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 31.08.70 (21) 1472336, 18-24 с присоединением заявки № (32) Приоритет (51) М. 1(л. 6 11с 13, 00

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий (53) УД1(681.32(088,8) Опубликовано 05.10.74. Бюллетень № 37 ! Дата опубликования описания 02.06.75 (72) Авторы изобретения

А. Е. Ашман, В. А. Кнох и М. С. Любчанский (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для построения памяти на магнитных элеменгах.

Известны запоминающие устройства (ЗУ), в которых применено формирование адресных токов выборки в магнитном накопителе с использованием транзисторов.

Однако построение таких устройств в ряде случаев затруднено из-за отсутствия транзисторов с требуемыми параметрами по допустимым токам и мощностям рассеивания. Кроме того, обеспечение необходимой стабильности токов управления при значениях этих токов, близких к предельным для используемых транзисторов, также затруднено.

Предложенное устройство содержит магнитный накопитель и схему выборки с формирователями, выполненными на транзисторах, объединенных в группы, и отличается тем, что первые электроды всех транзисторов каждой группы объединены и соединены с соответствующим входом магнитного накопителя, вторые электроды i=x транзисторов всех групп соединены с -ым выравнивающим резистором.

Это позволяет упростить устройство и повысить его надежность за счет того, что в нем для формирования адресных токов выборки допускается использование транзисторов с предельно допустимыми токами, меньшими, чем требуемые токи управления, при минимуме элементов в схемах самих формирователейей.

На чертеже дана схема предложенного ЗУ для случая, когда формирователи содержат по два транзистора в каждой группе.

Одновременно работающие в каждом из

IO двух различных типов формирователей, транзисторы 1 и 2 для одного типа формирователей и 3 и 4 для другого объединены в группы 5 и б соответственно. Со стороны подключения к магнитному накопителю 7 первые

IS электроды всех транзисторов каждой группы объединены и соединены с соответствующим входом магнитного накопителя. Со стороны подключения к источнику питания 8 вторые электроды i=x транзисторов соединены с i-ым

20 выравнивающим резистором 9.

В предложенном устройстве можно существенно расширить диапазон управляющих токов, что особенно важно для устройств, в которых применяются запоминающие элементы

25 с незамкнутой областью работоспособности и работающие в широком температурном интервале. Это позволяет резко повысить надежность работы ЗУ как из-за расширения области надежной работы элементов памяти, ЗО так и благодаря возможности использования

446114

Предмет изобретения

Соста::итель В. Игнатущеико

Техред В. Рыбакова Корректоры: В. Брыкснна и А. Степанова

Редактор Л. Утехина

Заказ 1" 8 11 Изд. М 55-1 Тираж 591 Подписное

ЦНИИПИ . осударстьенного комитета Совета Министров СССР

Il0 5Q. N i, обретении II открытии

Мог „а, 71, 55, Раушская паб., д. 4/5

Типографии, пр. Сапунова, 2 транзисторов с большим запасом по предельным режимам.

В устройстве использовано и выравнивающих резисторов (где п — число транзисторов в группе). Это позволяет сократить объем оборудования по сравнению со схемами, где на каждый транзистор устанавливается отдельный выравнивающий резистор, так как каждый такой резистор должен быть рассчитан на практически непрерывное обращение по одному адресу, что при высокой частоте требует применения резисторов большой мощности.

Запоминающее устройство, содержащее магнитный накопитель и схему выборки с

5 формирователями, выполненными на транзисторах, объединенных в группы, о т л и ч а юш, е е с я тем, что, с целью упрощения устройства и повышения с;о надежности, первые электроды всех транзисторов каждой группы

10 объединены и соединены с соответствующим входом магнитного накопителя, вторые электроды i=х транзисторов всех групп соединены с i-ым выравнивающим резистором.