Кристаллизатор

Кристаллизатор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сокзэ Советскиз

Соцмалмстическнк

Республик 446202 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 23.07.73 (21) 1947815/22-02 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл.з

С 21 С 5/56

Государственный комитет

СССР (53) УДК 621.365..3 (088.8) Опубликовано 30.05.80. Бюллетень № 20

Дата опубликования описания 05.06.80 до делам изобретений и открытий

Б. И. Медовар, В. Л. Шевцов, Г. С. Маринский, И. И. Кумыш, В. П. Сердюкова и В. И. Саган (72) Авторы изобретения

Ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени институт электросварки им. Е. О. Патона (71) Заявитель (54) КРИСТАЛЛИЗАТОР

Изобретение относится к спецэлектрометаллургии, в частности к кристиллизаторам для электрошлакового переплава металлов и сплавов.

Известны кристаллизаторы для электрошлакового переплава металлов и сплавов расходуемых электродов, охлаждаемые жидкостями или газами, движущимися в горизонтальных или наклонных каналах, причем каналы эти расположены равномерно по высоте кристаллизатора. При этом идет одинаково интенсивное охлаждение стенки крис- о таллизатора выше уровня жидкого шлака, в зоне шлаковой ванны, а также в зоне слитка. Как показали исследования, тепловой поток, поступающий на стенку кристаллизатора от боковой поверхности шлаковой ванны, в 2-5 раз больше, чем тепловой поток от закристаллизовавшегося слитка, и значительно больше, чем излучение от зеркала шлаковой ванны на стенку кристаллизатора выше уровня жидкого шлака.

Такая разница в тепловых потоках, 2о воспринимаемых различными зонтами кристаллизатора, при одинаковом охлаждении их приводит к неравномерному нагреву стенки кристаллизатора по высоте и, как следствие, к ее деформации.

Кроме того, при одинаковом охлаждении требуется большой расход теплоносителя.

Целью изобретения является обеспечение равномерного нагрева стенки кристаллизатора по высоте, уменьшение деформации и снижение расхода теплоносителя.

Для этого в предлагаемом кристаллизаторе выполнены охлаждающие горизонтальные или наклонные каналы с различным расстояниемем.

При этом расстояния между каналами охлаждения выше и ниже зоны контакта кристаллизатора с боковой поверхностью шлаковой ванны выполняются в два-пять раз больше, чем в зоне шлаковой ванны. При этом зона наибольших тепловых нагрузок — часть стенки кристаллизатора, контактирующая со шлаковой ванной, — подвергается наиболее интенсивному охлаждению, а остальные части кристаллизатора менее интенсивно охлаждаются в соответствии с их тепловой нагрузкой.

Это позволяет по крайней мере вдвое снизить расход теплоносителя на охлаждение кристаллизатора, обеспечить равномерный

446202

Формула изобретения

Составитель Р. Зельцер

Редактор Е. Месропова Техред К. Шуфрнн Корректор Г. Назарова

Заказ 2869/43 Тираж 608 Подписное ь1НИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1! 3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патентв, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 нагрев его и соответственно исключить его деформацию.

На фиг. 1 изображен предложенный кристаллизатор; на фиг. 2 — разрез стенки.

Описываемый кристаллизатор включает подводящий коллектор 1, охлаждающие каналы 2, стенку 3 кристаллизатора, шлаковую ванну 4, выплавляемый слиток 5 и отводящий коллектор 6.

Охлаждающая среда, например вода, поступает в подводящий коллектор 1 и распределяется по горизонтальным каналам 2, расположенным в стенке 3 кристаллизатора на различном расстоянии друг от друга в зоне шлаковой ванны 4, формирующего слитка 5 и выше уровня зеркала шлаковой ванны.

Отобрав тепло от стенки кристаллизатора, охлаждающая среда поступает в отводящий коллектор 6.

Так как расстояние между каналами в различных зонах кристаллизатора выполнено пропорционально тепловым нагрузкам этих зон, то количество отводимого тепла также пропорционально тепловым нагрузкам.

Это обеспечивает равномерную температуру стенки по высоте и исключает ее деформацию.

Кристаллизатор для электрошлакового переплава, содержащий гильзу с горизонтальным или наклонными каналами в ее стенках, отличающийся тем, что, с целью снижения расхода теплоносителя, каналы в зоне шлаковой ванны расположены с шагом, в

2-5 раз меньшим, чем шаг между каналами остальной части кристаллизатора.