Устройство для задержки
Иллюстрации
Реферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДВИЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик (11) 4478I5 (61) Зависимое от авт. свидетельства(22) Заявлено 28.04. 73 (21ДЭ32ЧЗс 26-9 (51) М. Кл.
Н 03к 3/33
Н 03к 5/ТЗ с присоединением заявки
Государственный комитет
Совета Министров СССР оо делам нзооретеннй и открытий (32) Приоритет—
ОпубликованоЪ IO 74Бюллетень № 39
Дата опубликования описания 15 ° .I2, 74 (53) Уйк 62I.374.6 (088.81 (72) Автор . изобретения
M.À. Ананян (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ЗАДЕРЖКИ
Изобретение относится к импульсноИ технике и может быть использовано при создании генераторов импульсных последовательностей, блоков запаздывания и синхронйзации и т.д.
Известны устройства задержки, содержащие транзисторы разного типа проводимости и диод с накоплением заряда с цепями смещения.
Однако в известных устройствах ограничен диапазон регулирования задержки и время спада выходного сигнала существенно больше времени er1. нарастания.
Целью изобретейия является увеличение пределов регулирования задержки, повышение быстродейст-. вия и уменьшение времени нарастания и спада выходного сигнала. ,цля этого коллекторы транзйсторов n - р - у1- типа проводимости соединены между собой через диод с накоплением заряда. 1
Изобретение пояснейо чертежами
На фиг.I приведена принципиаль ная электрическая схема устройства; на фиг.2 - временные диаграммы.
Устройство задержки содержит транзистор E n. - p - Г - типа проводимости и транзистор 2 р -h, - р - типа проводимости, транзистор 5 и - р - n, — типа проводимости, диод Ф с накоплением заряда, переменный резистор 5, кондвйсаторы 6, 7, 8.
Устройство работает следующим образом.
В исходном состоянии транзисторы I и 2 закрыты за счет соответстввняо отрицательного и положительного смещения на их базах.
Транзистор 3 открыт и работает в линейном режиме на границе насыщения. Происходит накопление нвосу I новйых неравновесных носителей в
3. базе диода Ф с накоплением заряда по цепи: резистор 5 — диод Фтранзистор 3, отрицательный полюс источника питания, Входной сигнал отрицательной б полярности через разделительные конденсаторы б и 7 поступают на базы соответственно транзисторов
2 и 3. При этом транзистор 5 закрывается, а транзистор Х откры1О вается, на коллекторе последнего формируется перепад напряжения, который через разделительныИ конденсатор 8 поступает на базу транзистора I, открывая его.
Происходит рассасывание неосновных неравновесных носителей, из базы диода 4 по цепи: резистор 9
- диод Ф - транзистор l. По окон-, чании фазы высокой обратной проводимости диода Ф,.длительность которой регулируется изменением сопротивления резистора 5, происходит резкое восстановление обратного сопротивления диода Ф и на коллекторе транзистора 3 выделяется подожительный перепад напряжения.
С окончанием входнОГо Сигыазе с схема возвращается в исходное состояние.
Таким образом, на коллекторе транзистора 3 формируется выходной сигнал с амплитудой, опреде ляемой источником положйтельного постоянного напряжения Е, задержанныИ на время длительности фазы высокой обратной проводимости диода 4 . При атом время на« растания выходного сигнала определяется длительностью фазы резкого восстановления обратного сопротивления диода 4 а время спада сигнала - времвйем включения транзистора 3.
ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Устройство задержки, содержа-; щее транзисторы fl - -yе- tl, и р - g - р - типов проводимости и диод с накоплением заряда с цепями смещения, о т л и ч а ю щее с я тем, что, с целью увеличения пределов регулирования задержки, повышения быстродействия и уменьшения времени нарастаний и спада выходного сигйалаg кол лекторы транзисторов g, - р -gтипа проводимости соединены между собой через диод с накоплением заряда.
Редактор
Зи
Заказ ЯQ
СоставительМе ПОДфЩЮ38
Техред БеСЮНИЯВ Корректор Ц )(рц )3
Изд. Ю Iffy Тираж 3К
Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, 113035, Раушская наб., 4
Предприятие «Патент», Москва, Г-59, Бережковская ыаб. ° 24