Амплитудный модулятор
Иллюстрации
Реферат
АМПЛИТУДНЫЙ МОДУЛЯТОР СВЧ-диапазона,содержащий управляемый . сверхпроводящий элемент, включенный в плечо Y -циркулятора, отличающийся тем, что, с целью • увеличения быстродействия и расширения полосы пропускания, сверхпроводящий элемент выполнен в виде сверхпроводящей пленки, к двум концам которой подсоединены контакты для подведения управляющего тока.iсл
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН
„„SU„„448517 (51)4 Н 01 P 1/16
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
H АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTMA (21) 1881281/26-09 (22) 16.01,73 (46) 15.12.86, Бюл. И 46 (71) Институт радиофизики и электроники АН УССР (72) И.И.Еру, С,А .Песковацкий и В,А.Кащей (53) 621,372(088.8) (54) (57) АМПЛИТУДНЫЙ МОДУЛЯТОР
СВЧ-диапазона, содержащий управляемый . сверхпроводящий элемент, включенный в плечо Y -циркулятора, о т л ич а ю шийся тем, что, с целвю . увеличения быстродействия и расцмрения полосы пропускания, сверхпроводящий элемент выполнен в виде сверхпроводящей пленки, к двум концам которой подсоединены контакты для подведения управляющего тока.
1 448517
Изобретение относится к области криогенной пленочной радиоэлектроники СВЧ-диапазона и может найти широкое применение в различных радиоэлектронных системах СВЧ-диапазона с амплитудно-модулированным режимом работы, Известен сверхпроводящий модулятор, состоящий иэ отрезка линии передачи или резонатора, выполненного 10 из сверхпроводника и включенного в разрыв линии передачи. Для создания амплитудной модуляции СВЧ-сигнала, передаваемого по этой линии передачи, на сверхпроводящий элемент на- 15 кладывается внешнее магнитное поле, превышающее по напряженности крити" ческое значение и создаваемое внешним соленоидом при пропускании через него управляющего тока, Тем са- 20 мым сверхпроводящий элемент переводится в состояние с нормальной проводимостью, что изменяет вносимое им затухание, Такая схема управления проводимостью сверхпроводящего элемента из-за наличия в ней соленоида. обладает относительно большой постоянной времени, что существенно ограничивает быстродействие модулятора (не более 10 -10 4 с) ° Кроме того, волноводный вариант такого модулятора не может обеспечить достаточно глубокой модуляции, а резонаторный позволяет получить глубокую модуляцию лишь в очень узкой (в меру своей добротности) полосе частот.
Целью изобретения является повышение быстродействия, расширение полосы пропускания и обеспечение большей глубины модуляции.
Для этого сверхпроводящий элемент выполняют в виде сверхпроводящей пленки, к двум концам которой подсоединены контакты для подведения управлявшего тока..На чертеже дана схема предложенного модулятора.
Модулятор состоит из циркулятора (который может быть выполнен в пленочном исполнении и охлажден до гелиевых температур), в плече 1 которого расположена тонкая сверхпроводящая пленка. Пока пленка находится в сверхпроводящем состоянии,вся энергия СВЧ, поступающая в плечо 1 циркулятора из плеча 2, отражается от пленки и направляется в выходное плечо 3. Затухание модулятора в этом состоянии определяется только прямыми потерями циркулятора, которые при гелиевых температурах очень малы.
При пропускании через пленку управляницего тока, величина которого больше критической (при уровне модулирующей мощности 1 Вт эта величина превышает
200 мА), пленка переходит в состояние с нормальной проводимостью. Вследствие этого уровень мощности в плече
3 падает до величины, определяемой степенью рассогласования сопротивления пленки волнового сопротивления
25 плеча 1 пиркулятора. При толщинах
100-300 A сопротивление пленки,. отнесенное к квадрату ее поверхности, составляет в нормальном состоянии десятки омов и поэтому такая пленка
ЗО легко может быть приведена в соответствие с плечом 1 циркулятора. Следовательно, в закрытом Состоянии уровень мощности в выходном плече 3 циркулятора может быть сделан сколь
З5 угодно низким, Таким образом, при пропускании через сверхпроводящую пленку управляющего тока можно получить любую (вплоть до 100X) амплитудную модуляцию проходящего через
4Q это устройство СВЧ-сигнала.
Отсутствие в предлагаемом модуляторе соленоида, необходимого в известных сверхпроводящих модуляторах для создания управляющего магнитно45 ro поля, позволяет существенно повысить быстродействие и довести его до 108-10 с. С другой стороны, отсутствие резонансных элементов в этом модуляторе обеспечивает ему большую
В
50 широкополосность.
ВНИИПИ Заказ 6973/2 Тираж 597
Подписное Произв.-полигр. пр-тие, r.. Ужгород, ул. Проектная, 4