Способ получения циркониевых покрытий

Способ получения циркониевых покрытий

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДВТВЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистииеских

Реслублик (11), 449П5 (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) ЗаявленоТ6, 05, 72 (21}1785158/22-Х (51) M Кл.

С 23 с 9/IO с присоединением заявки

Государстеенный коннтет

Совета Мнннстраа СССР оо делам неааретеннй н открытей (32) Приоритет-Опублинованс05.8.74 бюллетень ¹4I

I (4 ) дата опуб.;икования описания75. I2.74 (55) УДЕ 62I+785 5 (088 ° 8) Р2) Авторы изобретения

Л.Е. Ивановский, О.С. Петенев, В.П.Батухтин и

P.È. Новиков (71)Заявитель Институт элктрохимии увальского научного пентра

А3Г СССР (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЦИРКОНИЕВЫХ ПОКРЫГИй

Изобретение относится к области получения металлических покрытий из расплава солей.

Известен способ получения циркониевых покрытий погружением -изделия в расплав галогенидов циркония и щелочных металлов в присутствии порошка циркония. Однако в этом случае образуется сплав циркония с металлом основы, причем в 1О большинстве случаев покрытие имеет плохую адгезию с основой и высокую пористость.

По предложенному способу тем 15 пературу изделия поддерживают на

50-IOO Ñ ниже температуры расплава. Это повышает скорость осаждения покрытий и получают высококачественные циркониевые покрытия вне зависимости от материала под- 2О ложки.

Процесс осуществляют следующим образом, В приготовленный расплав галоденидов щелочных металлов и

2 циркония, содержащий определеннов оличество порошка циркония не менее I $}, погружают изделие, температуру которого поддерживают ниже температуры расплава на 50-100о

Время осаждения покрытия определяется его требуемой толщиной.В среднем для получения покрытия толщиной 20-25 мкм требуется

I час. Покрытия отличаются высокой плотностью, равномерностью и хорошей адгеэией с основой.

Расплав готовят следующим образом. Сначала в инертной атмосфере аргона или гелия наплавляют галогенид щелочного металла например,хлорид или бромид, или их смесь. После этого в солевой расплав добавляют заданное количество галогенида /хлорида или бромида/ циркония и металлический цирконии, необходимый для восстановленйя его ионов до равновесного состояния. После не ме-.

I-нее чем получасовой выдержки

3 расплав готов к получению нокрытий.

ПдимерТ. Расплав содержит

450 r аквимолекулярной смеси хлоридов натрия и калия и 60 г тетрахлорида циркония. Этот расплав выдерживают в течейие I,5 час в контакте с 20 r порошка металлического циркония, после чего в него опускают кварцевую пробирку диаметром 20-25 мм, охлаждаемую воздухом изнутри.

Температурарасплава 800оС,пробир ки 700 оС™ после выдержки в течение 4 час на стенках пробирки получается сплошное равномерное циркониевое покрытие толщиной

ХОО мкм.

Пример 2. Расплав предстаьляет собой 45о г аквимолекулярной смеси бромидов, калия и цезия, в который добавлено 50 г дибромида циркония. После получасовой выдержки расплава в него погружают стальную трубу диаметром

I5 мм с внутренним воздушным охлаждением. Температура расплава800оС при температуре изделия—

750оС. После часовой выдержки образуется циркониевое покрытие толщиной 20 мкм.

449П5

Ш ЖМЕТ ИЗОБРЯТЕНИя

Способ получения вых покрытий в расплав галогенидов к и погружением из е щелочных металлов в

Вышения качества покрытий и скОосаждения, процесс осущестпд тОмперятуре изделия на

С ниже температуры распла4

В атом случае металлическиу цирконий образуется в расплаве за счет реакции диспропорционирования двухвалентного циркония.

5 Цирконий может такие вводиться в pacruraa за счет электрохимичес кого растворения циркониевого анода.

1О Предложенный способ повышает в несколько раз скорость осаждения циркониевых покрытий и получают высококачественные циркониевые покрытия как на металлических так и на неметаллических поверхностях. (»ос i авизель Л, КИЗЗНОВЭ! еиак ор ! елН. Сенина кор!,ек р: Г Ба!(аьаноь

О. Фи!Рппощ

Заказ 55»М Н"> )ф /р и!,ва, ру

Полиисиое

I!!!!!Ill!!1 ос иарс веииого комвгс<.i (ои а Мииис)ров ((ХР ио илзаи изоб!и гсиий и оа кры i tlh

Москва, ! !(!35, Ра!иими иаб., 4 !!!и иирииаш !из игз, Мослиа, .5и, (! !нкккивскаи иаб., 24