Способ получения покрытий вольфрама
Патент 449116
Авторы
Классы МПК
Способ получения покрытий вольфрама
Иллюстрации
Реферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЮТИЛЬСТВУ (и) 449П6
Соез Со -=..;.скин
Сощталнстннеских
Респубттнк
I (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено24.01. 74 (21)I5022IG/22-I (51) М Кл.
С 23с И/00 с присоединением заявки
Гасударстаанвй каматат
Савата Мннастраа СИр аа делан нзааретенай и аткрнтнй (32) Приоритет—
Опубликовано05.Н. 74 Бюллетень № 47 (45}! Дата опубликования описания Б. Х2. 74 (Я} Ь ДК 669.056.
:669.276
088-8 : (72) Авторы изобретения
Г.Д.Кузнецов и А.А.Бабад-Эахря ин (71) Заявитель (54} СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЙ ЭОЛЬФРАЖА
Изобретение относится к области покрытиИ металлических изделий путем термического разложения соединений на их поверхности.
Известен способ получения покрытиИ вольфрама путем термического разложения хлорида вольфрама в тлеющем разряде. Однако отмечает ся невозможность получения покрытий с аксиальной текстурой /ЫО/, что снижает работу выхода электронов с эмитирующей поверхности.
По предложенному способу процесс осуществляют при температуре ЕВОО-7600оС расходе хлорида вольфрама K 2-2,5 г мнн, плотности тока 50.40 ма/см и йапряжкHmm горения разрща ХООТА-13000 в.
Это способствует получению покрытий с аксиальной текстурой
/ ПО/.
Энергетические параметры термиссионных преобразователей в конечном итоге определяются работой выхода электронов с эми- }
2 тирующей поверхности. Работа вы=хода электронов в значительной степени зависит от ориентации зерен / текстуры/ в поверхност— ном слое при их соответствующе1ь огранке. Наибольшая работа вы:о= да электронов наблюдается для текстуры / ИО/. Одним из путей создания необходимой эмитирующей поверхности катода ТЭП является нанесение на конструщио)ш поверхность изделия — катода вольфрамового покрытия.
Требуемый тип текстуры /ПО/, }s дающий наибольшую работу. выхода, получают лишь при определенном сочетании нескольких параметров процесса. Так увеличение расхода хлорида с 1,2 до 2,5 г/мин, 2о плотности тока с 50 до 80 ма/см2 и напряжения горения разряда с
I000 до ХЗОО в приводит к образованию вольфрамового покрытия с аксиальной текстурой /ИО/.
Изменение указанных параметров в большую или меньшую сторону
449П6 составитель Я Осина
6Филиппова текред Н.сенина
Бакан
Ивд. гй 559 Тираж Г!одиисиое
IIIIII!IIIII Государственного когннтета Совета Министров СССР о делан изобретений и открытий
Москва, 113035, Раушская нао., 4
I Iредириятие <Патент», Москва, .Г-59, Бережковская наб., 24
3 уменьшает степень совершенства текстуры /ПО/ и приводгт к появению ориентировки /I00/ или
Ш/ соответственно. Для исключения возможного влияния подложки на образование определенного . типа текстуры используют спеченные образцы из карбида циркония.
Аналогичные результаты получают и при иснользовании отожжеыных при I800 С молибденовых образцов, в которых обнаружена весьма слабо выраженная текстура /ПО/.
Перед проведением процесса образования вольфрамового покрытия с текстурой /ПО/ реакционный объем тщательно очищают и обезгаживают при температуре стенок
I50-200оС и разрежении IO мм рт,ст. Затем нагревают гексахлорид вольфрама и устанавливают требуемый его расход Я,2-2,5 r/ мин m давление 2-6 мм рт.ст./, Прикладывают высокое напряжение между покрываемым изделием — катодом и вспомогательным злектро4 дом, зажигают тлеющий рцзря;ц с необходимой плотностью /50-80ма/
mi и напряжением горения /I000-I300 в/. Температура на образце катодЕ поддерживается в пределах I300-I600oC. Длительность процесса IÎ-30 мин толщина осадков изменяется от 30-250 мк.
Таким образом, проведение процесса образованйя вольфрамового покрытия при указанных условиях обеспечивает формирование в слое аксиаяьной текстуры/ПО/.
ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕБ1Я
Способ получения покрытий вольфрама путем термического разложения хлорида вольфрама в тлеющем разряде, о т л и ч а ю щ и йс я тем,что, с целью получения окрытий с аксиальной текстурой
ПО/, процесс осуществляют йри температуре I300-1600оС, расходе хлорида вольфрама I 2-2,5 д/мин,, плотности тока 50-86 ма/си и напряжении горения разряда
I000- ЗОО в.