Трехпозиционное устройство

Трехпозиционное устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

м щу) т

<>КНТ

О П И С ЯЧЧ "й

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 440334 (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 13.12. 71 (21) 1723664/18-24 (51) М. Кл. 6- 05 3 6/02

Государственный момитет

Совета Министров СССР мо делам изооретеммй и открытий с присоединением заявки ¹ —(32) Приоритет—

Опубликовано 05.11.74. Бюллетень №41

Дата опубликования описания 25.04 75 (53) УДК 62-50(088.8) (72) Авторы изобретения

А. А„Федосов и А. Я. Бичуцкий (71) Заявитель (54 ) ТРЕХПОЗИШИОННОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к области технических средств релейно-импульсных систем автоматического управления и может быть использовано в качестве выходного каскада системы управления, нагруженного на 5 два исполнительных органа, создающих управляющее воздействие разных знаков.

Известно трехпозпционное устройство, цепи управления тиристоров в котором выполнены на трансформаторах из микронного 10 пермалоя с прямоугольной петлей гистерезиса.

Однако такое устройство обладает низкой помехозащищенностью.

Uemь изобретения — повышение помехо- l5 устойчивости устройства.

Эта цель достигается тем, что трехпозиционное устройство содержит второй и третий транзисторы, коллекторы которых подключены к концам первой и второй вторич- 20 ных обмоток импульсного трансформатора, эмиттеры — соответственно к катодам второго и третьего тиристоров, а базы — к соответствующим вторичным обмоткам опорного трансформатора. 25

На чертеже представлена схема трехпозиционного устройства.

Трехпозиционное устройство содержит четыре тиристора 1-4. Аноды первых трех тиристоров соединены с плюсовой шиной источника постоянного напряжения, к которой через последовательно соединенные резистор 5 и первичную обмотку 6 импульсного трансформатора, шунтированную пере». ходом катод-анод диода 7, подключен коллектор управляющего транзистора 8, Управляющий переход гасящего тиристора 1 через последовательно соединенные переходы катод-анод разделительного диода 9 и динистора 10 подключен к катоду шунтируюшего диода 7 и к первой обкладке накопительного конденсатора 11. Управляющий электрод рабочего тиристора 2 через последовательно соединенные переход катоданод разделительного диода 12 и ограничительный резистор 13 подключен к началу первой первичной обмотки 14 импульсного трансформатора. Управляющий электрод рабочего тиристора 3 через последовательно соединенные переход катод-анод раздели449334

55 тельного диода 15 и ограничительный резистор 16 подключен к началу второй вторичной обмотки 17 импульсного трансформатора. Катоды тиристоров 2 и 3 соответственно через шунтирующие резисторы

18 и 19 соединены с анодами разделительных диодов 12 и 15, а через гасящие конденсаторы 20 и 21 — с катодом тиристора 1 . Катод тиристора 1 через последовательно соединенные ограничительный резистор 22 и переход анод-катод дополнительного тиристора 4, шунтированного резистором 23, соединен с минусовой шиной источника постоянного напряжения, к которой подключены непосредственно эмиттер управляющего транзистора 8, катод туннельного диода 24, модулятор 25, вторая обкладка накопительного конденсатора

11, через нагрузки 26 и 27 — катоды рабочих тиристоров 2 и 3 и через последовательно соединенные третью вторичную обмотку 28 импульсного трансформатора и ограЕГичительный резистор 29 — управляюi!El!(электрод тиристора 4. База транзистора 8 соединена с анодом диода 24, а через

Ограничительный резистор 30 — с выходом л>одуляте>ра 25. Первый вход модулятора

25 соединен с 1<сточнЕЕколе сигнала Й

Второй — с источником переменного напря>лен<<я, к которому подкпючена первичная .><>Мотка опорного трансформатора 31, КлюE>E;t< Еранзисторы 32 и 33 коллекторами

>!.>Гек><к>че>>ы соответс! Вее<но к концам пер-!. >Й 14 и второй 17 вторинных обмоток

>>л>><уле>с>Ее>го TpQH(:ôî(>t EQTUðQ, эмиттерами— соответс<венно к катодам тиристоров 2 и

3, а базак>и — к соответствующим вторичны>;! Обмоткам трасформатора 31.

У|..цк>ЙЕ<:Ее>о работает следующим обра.<ОЛ!.

1ff>tt входном сигнале Я/ равном нулю, н>н<ряжее>ие на выходе модулятора 25 и на бнз» транзистора 8 равно нулю, и трап:>по.<х>р 8 закрыт, В этом случае через уцрцвлякицнй переход тиристора 1 по цепи

5 -1()-9-1-22-23 (ГЕли 4) течет ток. Ти-!

2Е<<..! 2р 1 BKJEIo Еается и через гасяший

«ОЕ>де!<се>те>р 20 или 21 выключает .тирисг<>(> 2 или 3, если один из иих был вклю i<1!! Г!<2сле перезаряда конденсатора 20 ил1!

2 через тиристор 1 течет ToK Ilo IIBtltt 3-.

22-23, величина которого <2пределяется

< ОП(2<?1 ИВЛЕНИ!"ЛЕ BE I(IОКООМНОГ0 (2B IÈÑTÎ(>tt

23. В этом режиме устр >й< тво ирактиче<.><

1О

При входном сигнале Й.ЩГопределенной величины в один из полупериодов опорного напряжения диод 24 переключается на диффузную ветвь вольт-амперной характеристики, напряжение на нем и на базе транзистора 8 резко возрастает, и транзистор 8 открывается; На первичной обмотке 6 импульсного трансформатора появляется напряжение. Ток,протекающий во вторичных облеотках, включает один из тиристоров 2 или 3 и тиристор 4, Выбор тиристора 2 или 3 и соответственно нагрузки 26 или

27 осуществляется транзисторами 32 и

33, один из которых в этот полупериод открыт. Если открыт транзистор 32, то включается рабочий тиристор 2, так как через управляюший переход тиристора 2 за счет напряжения на вторичной обмотке 14 импульсного трансформатора течет ток по цепи 14-13-12-2-32-14. !мпу>еьс напряжения, возникаюший на обмотке 17, не должен лопасть на управляющий переход тиристора 3, так как транзистор 33 в это время закрыт. Однако — за счет емкостей

МОнта2ка и неу!Г!2аВляемых ГЕроводГГл1остеГГ транзистора 33 сушествует некоторое е<а>Гр><-. жение помехи, Чтобы это напряжение не попало на управляющий переход тиристора 3, разделительный диод 1 5 и уГ<равляюший пе-, реход тиристора 3 шунтированы резистором

1 9» При этОм tr <<» ty tie< EIQtlpst2tteltttsI > Вознике<к>щий на обмотке 1 7 делится на сопротивлениях резистора 1 9 и закры О! О 1 р<>нзистора 33 (сопр<>Еиь2!енГ>ел< резистора 16 пренебрегаел! ) . TQl! как сопротивление резистора 19 много меньше <:Опротивления закрыто! О транзистора 33, то помеха на резисTof2c" .! 9 > tå .Иь ма>ЕГ<, Вклк)ч<<В>!<ий<ся Tl! f>lt(тор 2 ч<: (jb> конд(н<"QTe>f> 20 в!!к>Еюч<>е>! Ttt(2ttc.:Eu(> 1 . .!!ерезаряд конденсатора 2О прс>исх<>дит по це>пи 2-202 2 — 1, 1 (o м <.-.(2е ЗЕЕ(л1дл! K< >HEI<>tt<. Q I < >f>Q 2 0 ТОК заряда уменьшает< я, и тири<.тор 4 Выключе!ется. Г.Е<ЕльнРЙее<ий! .>е>(2ЯГ! конденсец! Ора 2 0 и коле!Ее!!О! Токов утечки происходят через B!)I(:ОкООл!Пый >ези<. то(> 2 . Ла сч< т

Ееизкооь<ИОГ О f >E>зи<: t (>f>rt 2 2 l> Еи(>Е<стО()а 4

ОбЕСПЕЧИВаЕТСЯ би< "l рОдЕЙСТВИ< устройства и егО BEE< ОкиЙ ts. It д, Ла первый попуиериод опо >lt<>! <2 напряжения накопительный конден<: tT<>f> 1. (через

Е<е(2иичную обмотку 6 ил>пуеи,оно! О t(> ttt<:— форматора и открытый Е1>QH: It<:.Iîð и (2е>з(>!<жает< я почти до нуля.

В е ледуЕощий нолуп< рнод i напряже<И<Я туннельный диод 24 и .Е!>Г>н:><><:t<)(> 8 возвраЕцаеотся в исходное сосЕОГЕИЕ<<.. Кон449334 денсатор 11 начинает заряжаться через резистор 5. Однако потенциал, до которого заряжается конденсатор 11 за полупериод, меньше напряжения пробоя динистора 10, и к началу следующего полупериода динистор 10 и тиристор 1 остаются выключенны« ми. Если входной сигнал .Ы остается на высоком уровне, то в следующий полупериод вновь открывается транзистор 8, и на управляющий переход тиристора 2 поступает включенный импульс, Г

Если входной сигнал уменьшается и в следующие периоды транзистор 8 не открылся, то продолжающееся увеличение напряжения на конденсаторе 11 приводит к пробою динистора 10 и включению тиристора

1. Вклняение тиристора 1 через конденсатор 20 приводит. к выключению тиристора 2 и нагрузки 26.

Предмет изобретения

Трехпозиционное устройство, содержащее четыре тиристора, аноды трех из которых соединены с плюсовой шиной источника постоянного напряжения, к которой через последовательно соединенные первый резистор и первичную обмотку импульсного трансформатора, шунтированную переходом катоданод первого диода, подключен коллектор первого транзистора, управляющий электрод первого тиристора через последовательно соединенные переходы катод-анод второго диода и динистора подключен к катоду шунтируюшего диода и к первой обкладке первого конденсатора, управляющий электрод второго тиристора через последовательно соединенные переход катод-анод .третьего диода и второй резистор подключен к нача-, лу первой вторичной обмотки импульсного трансформатора, управляющий электрод третьего тиристора через последовательно соединенные переход катод-анод четвертого диода и третий резистор — к началу второй вторичной обмотки импульсного трансформатора, катоды второго и третьего тиристоров соответственно через четвертый и пятый резисторы соединены с анодами третьего и четвертого диодов, а соответственно щ через второй и третий конденсаторы — с ,катодом первого тиристора, который через последовательно соедийенные шестой резистор и переход анод-катод четвертого тиристора, шунтированного седьмым резистором, 15 соединен с минусовой шиной источника постоянного напряжения, к которой подключены непосредственно эмиттер первого транзистора, катод туннельного диода, вторая обкладка первого конденсатора, через соот20 ветствуюшие нагрузки — катоды второго и третьего тиристоров и через последователь» но соединенные третью вторичную обмотку импульсного трансформатора и восьмой резистор — управляющий электрод четвертого

26.тиристора, база первого транзистора соедиt

1нена с анодом туннельного диода, а через

:девятый резистор с выходом модулятора, :первый вход которого соединен с источни ком сигнала, второй — с источником переЗО,менного напряжения, к которому подключена первичная обмотка опорного трансформатора, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что,c целью повышения помехоустойчивости устройства, оно содержит второй и третий транЗ5:.зисторы, коллекторы которых подключены соответственно к концам первой и второй вторичных обмоток импульсного трансформа тора, эмиттеры — соответственно к катодам второго и третьего тиристоров, а базы - к

40 соответствующим вторичным обмоткам опор

I ного трансформатора.

"- 449334

Составитель А.Федосов " ред И.Карандапова оррек top - - pe ö

Редактор и утехина ((НИИ!1И Государственного комитета Совета Министров СССР

»о делам изобретений и открытий

Москва, И3035, Раугнская наб., 4

Пред»рнятие «Патент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24

Заказ $ g ) g Изд. М /P6$ Т»раж Я, Подписное