Подстроечный конденсатор

Подстроечный конденсатор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1 ! вате -1"1 i -

О П И- O A- Н И Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ (11), 449385

Союз Советских

Социалистимеских

Респубпик (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 05eOIe72 (21) I735I52/26(51) М Кл.

Нату г/00 с присоединением заявки—

Госуда рстаенный номнтет

Соаета Мнннстроа СССР по делам нзооретеннй н открытнй (32) Приоритет—

Опубликовано 05,II,ßþëëeTeHb - 4I (53) УДК QQI,3т9,4 (088 8) (45)! Дата опубликования описания IS.II.7 (72) Автор изобретения институт механики полимеров Щ Латвийской ССР (71) Заявитель (54) поДсУРокчкцК коЩЦщсщор

Изобретение Относится к прибой ростроению, hlGxeT быть использовано в приборах дпя определения характеристик или диэлектрических свойств конденсаторов.

Известны подстроечные конденсаторы, содержащие высокопотенКИЫЛЬНЫВе НИЭКОПОТЕНЦИаЛЬНЫЕеДО полнительные электроды и элемент пере стройки.

Цель изобретения - изменение емк Ост и HG расстоянии до стига ется тем, что в предлагаемом кОНденсаторе элемент перестройки выполнен в виде фазозрйцателя,выход которого подключен к дополнйтелькым алеитродам, а вход - к высокопотенциальнаму и низкопотенциальному элеитродам.

На чертеже йриведена схема подстроечного конденсатора.

Между основными висоиойотенциальным и низкопотенциальным электродами I и 2 размещены до2 волнительные электроды 3 и. 4,соеди ненные с выходами фазовращателя 5, входы которого подключены к электродам I и 2.

Жботает подстроечный конденсатор след, (ющим образом, Зажимы электродов I и 2 подключают к измерительной схеме, в которой необходимо изменить емкость. Дополнио тельные электроды 3 и 4 получают питание через фазовра1цатель 5.

Изменяя фазы напряжения по отйошению z напряжению питания электрода I И 2 От 0 да I80 т, МОЖНО

15 добиваться различного распределения напряженности пОля между электродами I,2 и дополнительными электродамй. При сдвиге фаз на IBO электроды I,Ç и 2,4 odga2о зуют электрическое йоле обикновенного плоскопараллельного конденсатора. При сдвиге фаз мезщу напряжениями, питеющими электроды I,2 и 3,4,до 0" картина поля

449 385

Составитель А « лУЛЛКОВ

Редактор Я.фЕдатоВ Текред Н .СРНИНЯ

Изд. 1а g5 Я. Тираж ЯФ

Подписное! IIII I111111 Государственного комнтега Совета Мнннстров СССI

ilo делан нзобретеннй н открытий

Москва, 113035, Раушская наб., 4

1!реднрннтне «Патент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24

3 между электродами резко меняется.

Taz как поверхностная плотность на электродах пропорциональна напряженности поля, сумма поверхностных зарядов, определяющая емкость ионденсатора, зависит от напряженности поля, т.е. от распределения эивипотенциальйых и токовых линий поля. Максимум емкости подстроечного конденсатора - при сдвиге @аз Т80о, с а минимум - при.сдвиге фаз питающих напря -.íèé до О . Пост пеннное изме»нение з от О до I80 приводит к плавному изменению емкости между этими крайними значениями. Таким 15 образом, емкостью подстроечного конденсатора можно управлять по

apozomm aa расстоянии а без при сутствия оператора.

ПРЕД4БТ ИЗОБИГЮИЯ

Подстроечный конденсатор, содержащий высокопотенциальные, низиопотенциальные, дополнитаиьные элект роды и элемент перестройки. о тличающийс я тем,что,с целью изменения емкости на рсстоянии,элемент перестройки выполнен в виде фазовраиртеля, выход которого подключен к дополнйтельным элеит» родам, а вход - и жсоиопотенциальному и низиопотенциальному электродам.