Способ измерения однородности постоянного магнитного поля в сверхпроводящем соленоиде с ферромагнитным экраном

Способ измерения однородности постоянного магнитного поля в сверхпроводящем соленоиде с ферромагнитным экраном

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (!!) 451028 (6!) Зависимое от авт. свидетельства— (И) М. Кл. (ot зз/оа (22) Заявлено 16 05.72 (21) 1785149/18-10 с присоединением заявки—

Гааударственный камнтет

Совета Министров СССР аа делам изобретений н аткрытий (32) ПриоритетОпубликовано 25.11.74 Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 15.i2.74 (53) УДК 621 317.4

О88.8) (72) Авторы Я. Л. ШАМФАРОВ, Т. А. СМИРНОВА, A. В. ТРИДУБ и Н, Т, ЧЕРПАК изобретения (71) Заявитель ИНСТИТУТ РАДИОФИЗИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ АН УКРАИНСКОЙ CCP (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ОДНОРОДНОСТИ ПОСТОЯННОГО

МАГНИТНОГО ПОЛЯ В СВЕРХПРОВОДЯШЕМ СОЛЕНОИДЕ С ФЕРРОМАГНИТНЫМ ЭКРАНОМ

Изобретение относится к области изме= эения магнитных полей и может найти применение при разработке сверхпроводяших еоленоидов с ферромагнитными экранами с высокой однородностью магнитного поля.

Известны способы измерения магнитных полей с высокой однородностью с помошью .электронного парамагнитного (ЭПР) или ядерного магнитного резонанса (ЯМР).

Эти способы сложны и трудоемки, так как требует наличия криогенного оборудования, специальных приспособлений для перемещения соленоидов относительно датчиков магнитного поля, расположенных в жидком гелии, внутри сосуда Дьюара, наличия ВЧили СВЧ -техники, Цель изобретения — упростить процесс измерения однородности магнитного поля.

Для этого соленоид при комнатной температуре запитывают переменным током определенной амплитуды и частоты и измерян>т распределение переменного магнитного поли с помошью, например, пробной катушки.

I Частота и амплитуда переменного тока, I при которых измеренная таким способом

1 однородность поля будет идентичной с однородностью постоянного рабочего магнитного поля при гелиевой температуре, определяются из уравнения

«Ф в, в р

t/ü а- ал Рл

10 где — толшина ферромагнитного экрана;

 — постоянное магнитное поле в соленоиде;

B — максимальное постоянное магнит15 ное поле в экране;

 — максимальное значение амплитуп ды переменного магнитного поля в соленоиде;

Вэ - максимальное значение амплитуп ды переменного магнитного поля в экране; т Д = (g е1 ф - глубина скин - слоя; — электрическая проводимость экрана;

25 ) - частота переменного тока;

451 028

Сост а в и тел ь М . КЛЬ! КОВ едак1ор0.СТЕНиНа Техред Я.ПотапоВа Корре. р!

Заказ gP Pg Изд. 34 f// Тираж gg

Подписное

1ЦМИИПП i осударсзвенното комитега Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, ) И035, Раушская иаб., 4

Прел..рая ив «Патент», NocYBB, Г.59, Бережковская наб., 24

JU — магнитные проницаемости матер риала экрана в постоянном рабоО чем и переменном измеряемом ° магнитных полях

Предмет изобретения

Способ измерения однородности постоянного магнитного поля в сверхпроводяшем соленоиде с ферромагнитным экраном, :основанный на сравнении распределения

:постоянного и переменного магнитных полей, отлич,зющийся тем, что, с целью упрощения процесса измерения оънордности магнитного поля с достаточной точностно, соленоид при комнатной температуре запитывают переменным током определенной

;амплитудь1и частоты и измеряют распреде ление переменного магнитного поля,