Способ нанесения фоторезиста на подложку

Способ нанесения фоторезиста на подложку

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О Л И С А Н И Е (II) 45I2I7

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВ7ОРСКОМУ СВНДЕТЕЛаСТBY - о(оз Советских ..а(. ::(стн !ес, и;

Республик (61) 3Яв исиз1(3(. О Г Яв г. ОE3iiдстс 1ьcòi3Я (22) 3;:яплси(i 07.!2.72 (: 1) 185 1887 26-9

1; . (1. Кл. .-1 E „1: 8 00

Б 05с 1, 00 ст О,?.. 1 7-1

iEÐ: С0С;1П::;CEIIIL..I Э.(131,И, «В

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (82) Прп«p: гег

0Ei O." "1" (" 1(3 25, 1.74 E(I(3, l - °;.,, (7 43 (58) У:.1,К 621.396.6-181.5 (088.8) . 1ат<1 Оп 0.11! Itx! i .

А. И. Старожилова и Ь. М. Городилов (71) Заявитель (54) СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА

НА ПОДЛО)ККУ

Предмет изобретения

Изобрстспие относится к электронной тсхE1tI 1" С И (10ЖСТ ОЬ!TЬ ИСПО 7ЬЗОВЯНО ПРИ П РОПЗ водствс полупроводниковых приборов, и. тегра.7E HhIx схем, печатных плат.

Известны способы нанесения фоторсзиста па подложку, основанные иа p7cIIbi Iciillli фоторсзиста и осаждении его пя подложку, Однако известные способы характср11зу«1т— ся большим расходом фоторезиста.

Целью изобретения является уменьшсиис расхода фоторезиста.

Для этого осаждспис фоторсзиста произво;IEET E3 температурном поле.

При выходе из сопла воздушный поток с неосевшими частица 1и фоторезист» направляется в плоскопараллслbный канал, в котором температура верхней степки выше температуры нижней стенки. При этом происходит осаждсцие частиц фоторсзиста под действием сил тяжести и тсрмофорстических спл, воз 11«;IE0111»x вс iexc713IIC создания градпапта температуры и обуc 70В.7EI 137!OEIEEIx отталкиваEIIIe частиц фоторсзпстя от и(гретого тел",.

В результате действия терм офорстических

55 си. l и cEI,I тяжести IlpOlicxoдит дополпитс, 1ьиoс oc;I?«.7clllic частиц фоторезиста пя под.1ож«и. Этот СПОсОб 1«озголяст зп:1 п(тсльио сп11зить расход фоторсзиста за счет создания ияправлс(шого ламипарцогO пото«а. движу10 п1сгося 13 т(3к(п(с11!1тмpll011 по 1с, 15 Способ папссения фоторезиста иа подлож«у, ociioi3aiiiEE. иа распылении фоторезиста и

Осяждспии c Ã"O пя подлож«, О т л li ч я ю Ill и ис я тем, что, с целью умспьшсиия рясхО;Iя фоiорезистя, осажzeEIIIe его иа подложку про20 изводя I в температур!!Ом )lo,lñ.