Негативный фоторезист
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ОПИСАН Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ ц 454526
Саиз Севетских
Социалистических
Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 31.12.71 (21) 1731868. 23-4 с присоединением заявки № (32) Приоритет
Опубликовано 25.12.74. Бюллетень № 4i
Дата опубликования описания 27.02.75 (51) М. Кл. 6 03с 1 70
G 03с 1!52
G 03с 1/68
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытии (53) УД1, 541.147.4-7iо (088.8) (72) Авторы изобретения Ю. И. Кольцов, Д. Д. Мозжухин, В. Г. Никольский и А. А. Петюшин (71) Заявитель (54) НЕГАТИВНЪ|й ФОТОРЕЗИСТ
0,6
Изобретение относится к составам негативных фоторезистов и может быть использовано в процессах фотолитографии.
Известны негативные фоторезисты, в состав которых, кроме растворителя, входит бисазидный фотоинициатор (сшиватель) и пленкообразующая компонента — олигомер, содержащий ненасыщенные олефиновые связи.
Однако эти фоторезисты не обладают достаточной стойкостью к кислороду воздуха, что характерно для всех композиций, содержащих смолы с ненасыщенными двойными связями.
Кислородное старение фоторезистов ухудшает их защитные и адгезионные свойства.
Лдгезия пленки фоторезиста к некоторым полупроводникам и диэлектрикам (например, к стеклу) неудовлетворительна.
Приготовление пленкообразующей компоненты этих фоторезистов — трудоемкий технологический процесс, а получаемые сополимеры зачастую содержат примеси низко- и высокомолекулярных фракций. Первые являются причиной плохих физико-механических свойств сополимера (например, неполное высыхание пленки при первой термообработке), вторые приводят к дефектам пленки фоторезиста в виде сгустков («островков») при ее формировании.
Цель изобретения — разработка состава негативного фоторезиста, лишенного этих недостатков.
Для -этого предлагается при содержании в качестве фотоинициаторов ароматических или алифатических бисазпдов в качестве пленкообразующей компоненты в состав фоторезпста вводить эпоксидную смолу дифенолпропанового ряда с температурой размягчения
50 — 150 С и мол. в. 800 — 9000 прп следующем
10 количественном соотношении исходных компонентов, вес.о о: смола 6 — 20; бисазидный фотоинициатор 0,5 — 3,5; растворитель (диоксан+
+циклогексан) 20 — 80.
Негативный фоторезист предлагаемого со15 става обеспечивает отличную адгезию к металлам, полупроводникам и диэлектрикам (Cr, А1, Cu, Ag, Si, SiO, SiO, GaAs и др.), химическую стойкость к щелочам и азотной, соляной, серной, плавиковой кислотам. С псполь20 зованием этого фоторезиста получены негативные изображения размером 2 мкм с клином проявления 0,1 — 0,5 мкм (толщина пленки фоторезиста около 0,5 мкм) при минимальном «уходе» геометрических примеров.
25 Пример 1.
Состав фоторезиста, вес. %
Эпоксидная смола
Э-49 (МРТУ6-10-606-66) 11,4
Диазидобензальметил30 циклогексанон
454526
Предмет изобретения
3,5
Составитель А. Мартыненко
Корректор T. Добровольская
Редактор Н. Джарагетти Техред T. Миронова
Заказ 250/13 Изд _#_ 239 Тираж 506 Подписное
ЦНИИПИ Государственного когиптета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Рауеаская паб., д. 4/5
Типография, ир. Сапунова, 2
Диоксан 40
Циклогексанон 48.
Время термообработки при 95 С составляет
2,5 час, толщина пленки фоторезиста 0,8—
0,9 мкм, разрешающая способность 100 лин/мм.
Пример 2.
Состав фоторезиста, вес. /о
Эпоксидная смола
Э-44 (ТУ-ЗЗП-61) 10
Диазидобензальметилциклогексанон 2
Диоксан 40
Цикл огексанон 48.
Время термообработки при 95 С составляет
2 час, толщина пленки 0,4 — 0,5 мкм, разрешающая способность 500 лин/мм.
Пример 3.
Состав фоторезиста, вес. о/о
Эпоксидная смола
Э-41 (ТУ ЯН-335-62) 9,5
Диазидобензальметилциклогексанон
Диоксан 39
Циклогекса ион 48.
Время термообработки при 95 С составляет
1 час, толщина пленки фоторезиста 0,5—
5 0,7 мкм, разрешающая способность 200 лин/мм.
Негативный фоторезист, состоящий из плен10 кообразующей компоненты — эпоксидной смолы, бисазидного фотоинициатора и органического растворителя, отличающийся тем, что, с целью улучшения его защитных и адгезионных свойств, в качестве пленкообразую15 щей компоненты введена эпоксидная смола дифенолпропанового ряда с температурой размягчения 50 — 150 С и молекулярным весом
800 — 900 при следующем количественном соотношении исходных компонентов, вес.о/о:
20 Смола 6 — 20
Бесазидный фотоинициатор 0,5 — 3,5
Растворитель (смесь диоксана с циклогексаном) Остальное,