Диэлектрический материал

Диэлектрический материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

НИЕ ((() 454590

ОПИСА

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Реслублик

К ЛВтОИ:КОММ СВИДИТЕЛЬСтВМ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 21.08.72 (21) 1820998, 26-9 с присоединением заявки )че (51) М. Кл. Н Olb 3, 10

Н 051< 3/00

Совета Жинистров СССР ло делам изобретений (53) УДК 621.396.6-181.5 (088.8) Опубликовано 25.12.74. Бюллетень Ме 47

Дата опубликования описания 21.05.75 и открытий (72) Авторы изобретения

В. H. Алфеев, В. М. Шамрии, А. С. Битиньш, Е. А. Рубинова, Л. С. Белик и Н. А. Свербий (71) Заявитель (54) ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

Государственный комитет (23) Приоритет

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к технологии диэлектриков для интегральных СВЧ-схем, используемых в микроэлектронике.

Композиции ферритовых материалов с пассивными диэлектрическими материалами образуют. подложки для интегральных схем, габариты и параметры которых позволяют ооеспечивать микроминиатюризацию, улучшение параметров устройств на их основе.

Известен материал, полученный на основе системы СаΠ— V>Oq — Ti02 — FeqO>, который характеризуется малой шириной кривой ферромагнитного резонанса в интервале

77 — 4,2 К.

Однако известный материал характеризуется значительным коэффициентом потерь, включающим в себя не только диэлектрические потери, но и магнитные. Кроме того, при спекании известного диэлектрика с ферритовым материалом той же системы, граница их стыковки является механически неустойчивой при охлаждении и многократном термоциклировании в интервале температур 298 — 80 К.

Целью изобретения является улучшение диэлектрических свойств материала, обеспечения возможности спекания его без загрязнения с ферритовым материалом той же системы.

Для этого компоненты материала берут и следующем соотношении, мол.%.

СаО 47,8 — 48,1 2(- з 9,6 — 9,7

5 TiO 18,8 — 19,0

) е20з 23,4 — 23,6.

В качестве исходных компонентов используют СаСО3, Fe>03, V>O>, TiO>, которые наве10 шиваются в заданном соотношении, проходят операцию вибропомола и смешение в вибромельнице в течение двух часов, после чего следует предварительный обжиг в капселях в течение четырех часов при 1100 С, затем виб15 ропомол и смешивание в вибромельнице; формование образцов заданной формы производят методом прессования при удельном давлении 1,5 Т/см с добавкой пластификатора—

10о/о-ного водного раствора поливинилового

20 спирта.

Спрессованные образцы спекаются при

1250 С с выдержкой в течение 10 час и последующим свободным охлаждением. После спе25 кания полученные заготовки поступают на механическую обработку.

Контроль диэлектрических параметров производят на специальной установке резонатор30 ным методом на частоте f=9365 Мгц в дпапа454690

Предмет изобретения

Составитель 3. Гилинская

Техред Т. Миронова Корректор А. Степанова

Редактор А. Зиньковский

Заказ 892/10 Изд. М 361 Тираж 760 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 зоне температур 130 — 293 К. Полученные материалы обладают следующими параметрами при Т=130 К; диэлектрическая проницаемость в =9,8, tg6 (5 10 — 4. Проведенные исследования диэлектрических свойств группы материалов в системе СаΠ— Ъ Оз — Т10 — Ге203 показали, что получение диэлектрического материала с малыми значениями tg6, с заданной величиной в возможно лишь при указанном выше соотношении исходных компонентов. Увеличение других немагнитных компонентов шихты (CACO>, V Oq) не позволяет получить диэлектрические материалы, а лишь ухудшает магнитные свойства ферритов. Введение указанного количества TiO> в исходную шихту приводило к разложению твердого раствора, образующего магнитную структуру.

Диэлектрический материал на основе системы СаΠ— V>Oq — Т102 — FeqO>, преимуще5 ственно для изготовления подложек криоэлектронных интегральных СВЧ-схем, содержащих элементы из ферритового материала, отлич а ю шийся тем, что, с целью улучшения диэлектрических свойств материала, обеспече10 ния возможности спекания его без загрязнения с ферритовым материалом той же системы, его компоненты взяты в следующем соотношении, мол. /о.

СаО 47,8 — 48,1

15 VgOg 9,6 — 9,7

TiO2 18,8 — 19,0

Ре Оз 23,4 — 23,6.