Полупроводниковое устройство

Полупроводниковое устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(II) 456437

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

K ЛАТЕ НТУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (51) М. Кл. Н 011 7/34 (22) Заявлено 14.02.72 (21) 1747998/26-25 (32) Приоритет 17.03.71 (31) 125302 (33) США

Государственный комитет

"авета 1ииннстров СССР по делам изобретений н открытий (53) УДК 621.382(088.8) Опубликова11о 05.01.75. Бюллетень ¹ 1

Дата опубликования оппса I;III 24.03.75 (72) Автор изобретения

Иностранец тельной плоскости также некопланарна к двум другим частям 5 и 6 и расположена перпендикулярно им. Металлический проводник в виде пленки 8 имеет промежуточные параллельные боковины 9 и 10 и поднимается по соединительной плоскости с плоскости 2 изолятора 4 до плоскости 1 изолятора 3.

Изобретение не ограничивается металлическими пересечениями ступеней между двумя слоями изоляторов. Оно применимо также и там, где осажденная металлическая полоска должна пересечь высокую ступень. Такие ступени могут встретиться, например, между толстыми изоляторами и основным полупроводниковым материалом на границах контактHbIx. вводов, а такхке в эпитаксильных кремниевых приборах на сапфировой подложке, где металлическая пленка должна подниматься с сапфировой подложки до поверхности изделия.

Полупроводниковое устройство, например на кремнии, имеющее ступенчатый рельеф и плоскость, соединяющую верхние и нижние ступени, диэлектрическое покрытие, например окисел кремния, и металлическую пленку, 13аспо:10?1:енную на верхней и нижней cTvlleнях и соединительной плоскости. о т л и ч а ю(61) Зависимый от патента

Изобретение относится к полупроводникоВым устроЙствам, имеlощим слОи Осажденного металла. Такие устройства содержат основание из полупроводникового материала с изолирующим покрытием различной толщины, 5 на котором твердо закреплены проводники в виде металлического слоя.

К устройствам этого типа относятся МОПинтегральные схемы (металл — окисел — полупроводник), состоящие из большого количест- 10 ва полевых транзисторов с изолированным затвором, причем в зоне затвора транзисторов применяют относительно тонкий изолятор, а в зонах, окружающих транзисторы, — относительно толстое изоляционное покрытие. 15

В устройствах, имеющих металлические слои, пересекающие высокие ступени, для повышения процента выхода годных изделий соединительным поверхностям придают форму ступеней с не менее чем двумя некопланар- 20 ными частями.

На фиг. 1 показана конструкция предложенного полупроводникового устройства, аксонометрическая проекция; на фиг. 2 — то же, вид сверху. 25

Соединительная плоскость размещена между плоскостями 1 и 2 изоляторов 3 и 4 и состоит из двух некопланарных частей 5 и 6, являющихся несовпадающими параллельными плоскостями. Третья часть 7 (фиг. 2) соедини- 30

Предмет изобретения

456437 ней мере, две некопланарные поверхности в месте перехода металлической пленки с верхней ступени на нижнюю.

7О

&wc 7

Составитель М. Королев

Редактор Т. Орловская Текред А. Камышникова Корректор Л. Котова

Заказ 6!3/11 Изд. М 366

ЦНИИПИ Государственного комитета ио делам изобретений и

Москва, 7К-35, Раушскаи

Типографии, пр. Сапунова, 2 щ е е с я тем, что, с целью предотвращения нарушения сплошн ости металлической пленки, соединительная плоскость имеет, по крайТираж 833 Подписное

Совета Министров СССР открытий наб., д. 4i5