Двухоперационный тиристор

Двухоперационный тиристор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

петен:и; ничеснал

0 "Олио > е

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено ОЗО 169. (21) 1293512/26-25 с присоединением заявки ¹ 1880068/26-25 (23) Приоритет

Опубликовано 050679, Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 05 . 06 . 79

Государственны Й комитет

СССР ио дедам изобретений и открытый (72) Авторы изобретения

И. В. Грехов и И. A. Линийчук (7l) ЗаяВИтЕЛЬ Ордена Ленина физико-технический институт им. A. Ф. Иоффе (54 ) ДВУХОПЕРАЦИОННЫР 1ИРИСТОР

Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых переключающих приборов.

Известны двухоперационные тиристоры, содержащие планарный,эмиттер со слоем высокой концентрация у поверхности и базу со слоем повышенной концентрации примеси у анодного эмиттерного перехода,а также электроды к эмиттерам и ко второй базе. Однако известные тиристоры отличаются низким значением выключаемого тока

Лигач,пониженными частотными свойствами, высоким остаточным напряжением

0(дв H др °

Для улучшения электрофизических параметров в предлагаемом тиристоре планарный эмиттерный слой, через

1 который осуществляется управление, выполнен из двух однотипных областей с различной коицентрацией примеси, причем область, примыкающая к переходу, имеет меньшую концентрацию примеси по всей поверхности перехода, а широкая база содержит слой с повышенной концентрацией примеси переменной величины, при этом градиент концентрации направлен в сторону примыкающего к нему эмиттера.

Описаннйе конструктивные особенности тиристора позволяют повысить выключае мый ток за счет обеспечения необходимых величин коэффициентов усиления по току составляющих транзисторов ({р-р-р> ° n-p-n) при

{. выполн енин условя я « „.„+«„„„" 1, . Ма также за счет низкого сопротивления растекания управляемой базы и повышенного напряжения пробоя планарного эмиттера.

Наличие в слоЕ широкой базы тиристора области с повышенной концентрацией примеси, градиент которой направ.лен к анодному э>иттеру, позволяет существенно .уменьшить толщину базы без изменения величины I > п-р, что сокращает время переходных процессов включения и выключения.

Улучшение .частотных харак,.еристик достигается также за счет действия встроенного поля в широкой базе.

Структура может быть реализована при помощи ряда. последовательных диффузий или посредством эпитаксильного наращивания.

Предлагаемая конструкция двухоперационного.тиристора по сравнению с известными конструкциями имеет

45742 лучшие значения таких параметров . как выключаемый анодный ток, время включения и выключения и остаточное напряжение.

Формула изобретения двухоперационный тиристор р-п-,ð-птипа, содержащий планарный змиттер со слоем высокой концентрации у поверхности и базу со слоем повышен- р ной концентрации примеси у анодного эмиттерного перехода, а такЖе элек1

4 троды к змиттерам и ко второй базе, отли чающий с я тему чтоу, с целью повышения выключаемого тока и улучшения частотных характеристик, содержащийся в базе слой по вышенной концентрации примеси выполнен с переменной концентрацией, градиент которой направлен в сторону . примыкающего к нему змиттера, а упомянутый планарный змиттер выпол нен так, что слой с высокой концентрацией примеси отделен от базы однотипным с Ним слоем с меньшей концентрацией. р р

Заказ 3253/51 Тираж 922 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва Ж-35 Ра шская наб. д. 4 5

Филиал ППП Патент, r Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель О. Федюкина

Редаккто Л. Письман Тех е Н. Андрейчук Ко екто К. Папп