Способ определения глубины залегания -перехода

Способ определения глубины залегания -перехода

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е (ii)457424

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Респуйик (61) ДополниDBJIbHOå к а вт. свид-ву (22) Заявлено 29.09.72 (21) 1832078/26-25 с присоединением заявки № по делам изобретений (43) Опубликовано 28.02.79. Бюллетень № 8 и открытий (45) Дата опубликования описания 28.02.79 (72) Авторы изобретения

T. М. Головнер, Е. B. Жидкова, Л. В. Ковалева и А. П. Ландсмаи (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ГЛУБИНЫ ЗАЛЕГАНИЯ р — и- ПЕРЕХОДА

Государственный комитет (23) П

Приор|итет

Изобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов и может применяться для определения параметров полупроводниковых приборов.

Известен способ определения глубины залегания р — n-перехода в полупроводниковых приборах, основанный на измерении двух параметров: слоевого сопротивления р, и поверхностной концентрации легирующей примеси Ж„по которым, зная закон 1о изменения концентрации легирующей примеси в и (р) -слое, можно определить толщину легирующеи примеси У„р, определяется четырехзондовым методом, а Л. — по положению Х„„в инфракрасном спектре отражения от поверхности легированного слоя.

Однако в реальных переходах профиль распределения легирующей примеси может отличаться от расчетного, поэтому указанный метод не дает точных результатов. Кроме того, определение концентрации легирующей примеси по положению Л„„„возможно только для однородных материалов, причем начиная с определенного значения концентрации указанной примеси.

С целью повышения точности и упрощения способа структуру облучают светом с длиной волны из области спектра собственного, поглощения и по величине фототока ЗО короткого замыкания судят о глубине залегания р — n-перехода.

Облучают прибор со стороны и(р)-области электромагнитным излучением в области спектра собственного поглощения данного материала и измеряют фототок короткого замыкания. При помощи градуировочного графика, который связывает величину фототока короткого замыкания прибора на разных длинах волн с глубиной залегания р — n-перехода, определенной одним из известных методов, находят участок спектра, в котором существует однозначное соответствие между величиной фотоответа прибора и глубиной залегания перехода. 3;or спектральный диапазон соответствует излучению, которое полностью поглощается в и(р)-области. Кривые зависимости фототока от длины волны, соответствующие разным глубинам залегания р — n-перехода, обьединяются на этом участке спектра в отдельные, неперекрывающиеся группы, Измерение фототока короткого замыкания приооров на какой-либо длине волны в найденном спектральном диапазоне и сопоставление измеренного значения с градуировочным графиком дает величину глубины залегания р — иперехода в приборе.

Предлагаемый способ позволяет обеспечить строго заданную глубину залегания

457424

Составитель А. Цыбульников

Техред Н. Строганова

Корректоры: Е. Хмелева и Л. Брахнина

Редактор Т. Колодцева

Заказ 574/10 Изд. № 205 Тираж 950 Подписное

НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 р — n-перехода при финишном травлении приборов под монохроматическим светом.

Формула изобретения

Способ определения глубины залегания р — n-|перехода в полупроводниковых структурах, включающий облучение ее светом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и упрощения способа, структуру облучают светом с длиной волны из области спектра собственного поглощения и

5 по величине фототока короткого замыкания судят о глубине залегания р — n-перехода.