Устройство для измерения кривой эффекта электромагнитного поля на поверхности полупроводников

Устройство для измерения кривой эффекта электромагнитного поля на поверхности полупроводников

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И E (»1 457941

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

R АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (б1) Дополнительное к авт. свидетельству (22) Заявлено 03.04.73 (21) 1900993 26-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет—

Опубликовано 25.01.75. Бюллстспь " 3

Дата опубликования описания 28.0 -1.75 (51) М. Кл. G Olr 31, 26

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.382.3 (088.8) (72) Авторы изобретения

И. С. Левитас и А. В. Рагаускас (71) Заявители

Каунасский политехнический институт и Институт физики полупроводников АН Литовской ССР (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ КРИВОЙ ЭФФЕКТА

ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ПОВЕРХНОСТИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВ т ((Н (е е) Ч

Се.СЕ

Изобретение относится к области электроизмерительной техники. Оно может быть использовано при исследовании поверхностных явлений полупроводников.

Известно устройство для получения кривой эффекта поля на поверхности полупроводников, содержащее полевой электрод, расположенный вблизи поверхности полупроводникового образца, генератор сигнала, источник постоянного тока и двухмерный выходной прибор.

Такое устройство не обеспечивает непосредственного измерения сигнала эффекта поля в зависимости от текущего значения поверхностного электростатического потенциала.

Для получения такой зависимости экспериментальная кривая эффекта поля сравнивается с теоретической. При этом из-за неопределенности характера поверхностного рассеяния и неточности измерения объемных параметров образца вводится погрешность, достигающая

kT несколько единиц

Я

Цель изобретения — обеспечить непосредственное измерение сигнала эффекта поля в зависимости от текущего значения поверхностного электростатического потенциала и уменьшить погрешность измерения.

Это достигается тем, что устройство содержит отрицательную емкость, соединенную последовательно с выходом генератора сигнала и полевым электродом.

На чертеже изображена функциональная схема устройства.

5 Предлагаемое устройство состоит из полевого электрода 1, расположснного вблизи поверхности полупроводникового образца 2, который подключен к источнику постоянного тока 3 и одному входу двухмерного выходного

IO прибора 4, и генератора сигнала 5, соединенного последовательно с отрицательной емкостью б и полевым электродом 1, а также со вторым входом выходного прибора 4.

Предлагаемое устройство действует следу15 ющим образом.

При подаче сигнала генератора 5 на полевой электрод 1 через поверхность образца 2 протекает ток сигнала. Падения напряжения на отрицательной емкости б и на емкости за20 зора между полевым электродом 1 и поверхностью образца, выдаваемые током сигнала, противофазны, т. е. зависимость поверхностного электростатического потенциала Y. от напряжения U сигнала генератора 5 имеет

25 вид где Q, (Y, (t) ) — зависимость полного инду30 цированного заряда от У,;

457941 — — Y,(i) = U(4, Составитель В, Авдонин

Техред Т. Миронова

Корректор О. Тюрина

Редактор О. Стенина

Заказ 948/7 Изд. № 463 Тираж 902 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

C3 — емкость зазора между полевым электродом 1 и поверхностью образца 2;

Са — абсолютная величина отрицательной емкости 6;

q — заряд электрода; и — постоянная Больцмана;

Т вЂ” абсолютная температура.

В предлагаемом устройстве абсолютная величина отрицательной емкости 6 установлена равной емкости зазора между полевым электродом 1 и поверхностью образца, т. е. (— С,1=С,.

Этим достигнуто уменьшение погрешности измерения, так как обеспечена зависимость т. е. сигнал эффекта поля измеряется непосредственно в зависимости от текущего значения поверхностного потенциала.

Предмет изобретения

Устройство для измерения кривой эффекта электромагнитного поля на поверхности полу.проводников, содержащее полевой электрол, генератор сигнала, источник тока и двухмер10 ный выходной прибор, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью обеспечения непосредственного измерения сигнала эффекта поля в зависимости от текущего значения поверхностного электростатического потенциала и уменьшения

15 погрешности измерения, оно содержит отрицательную емкость, соединенную последовательно с выходом генератора сигнала и полевым электродом.