Фоторезистор ультрафиолетового излучения

Фоторезистор ультрафиолетового излучения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И C А Н И Е (и) 458 04l

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт, свидетельства (22) Заявлено 14.05.73 (21) 1920596/24-7 с присоединением заявки №

Государственный комитет (32) Приоритет

Совета Министров СССР

Опубликовано 25.01.75. Бюллетень № 3 по делам изобретений (51) М. Кл. H 01с 7/08 (53) УДК 621.316.86 (088.8} и открытий

Дата опубликования описания 11.03.75 (72) Авторы изобретения

С. И. Радауцан и В. Ф. )Китарь

Институт прикладной физики AH Молдавской ССР (71) Заявитель (54) ФОТОРЕЗИСТОР УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО

ИЗЛУЧЕНИЯ

Предмет изобретения

Изобретение относится к полупроводниковым фотоэлектрическим приемникам лучистой энергии, предназначенным для работы в оптоэлектронных измерительных цепях, схемах автоматической регистрации и контроля излучения, в частности к фоторезисторам.

Известные фоторезисторы, содержащие светочувствительный элемент на основе соединений кадмия и нанесенные на него электрические контакты, охватывают узкую область спектра. 11оэтому в интервале длин волн

0,3 — 0,4 мкм необходимо использовать несколько фоторезисторов, изготовленных из смеси материалов системы ZnS — CdS. Однако последние обладают относительно малой чувствительностью и изготавливаются по сложной технологии, Цель изобретения — получение высокой чувствительности спектра 0,255 вЂ,46 мкм.

Для этого светочувствительный элемент выполнен из нелегирова нного тиогаллата кадмия CdGa2S4, а электрические контакты нанесены на него с расстоянием между ними 0,5—

800 мкм.

Электрические контакты могут быть произвольной конфигурации. Омичные электроды и токоведущие контакты выполнены из обычных металлов. Фоторезистор смонтирован в герметичном корпусе аналогично фототриоду

Ф1 с кварцевым окном. Форма и размеры фоточувствительного элемента и корпуса мо5 гут видоизменяться.

Основные параметры фоторезистора (Т—

300 К): темновое сопротивление 0,1—

1,2 10" ом, рабочая спектральная область о

2550 — 4600 А, длина волны максимальной чув10 о ствительности Л,„ = 3520 А, относительная фоточувствительность при плотности светового потока 2,3 ° 10 — вт/см — 10 .

Фоторезистор ультрафиолетового излучения, содержащий светочувствительный эле20 мент на основе соединений кадмия и нанесенные на него электрические контакты, отл и ч а ю шийся тем, что, с целью получения высокой чувствительности в области спектра

0,255 вЂ,46 мкм, в качестве указанного соеди25 нения взят нелегированный тиогаллат кадмия

CdGa S4, а электрические контакты нанесены с расстоянием между ними 0,5 — 800 мкм,