Электротехническое стекло

Электротехническое стекло

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

т

f», 1

3 й(51 Внт,»

О П " Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ тп1 459435

Союз Советских

Сокиалистичвских

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 19.07.73 (21) 1946998/29-33 с присоединением заявки ¹ (32) Приоритет

Опубликовано 05.02,75. Бюллетень ¹ 5

Дата опубликования описания 11.04.75 (51) М. Кл. С 03с 3/04

Государственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 666.112.9 (088.8) ло делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

К. С. Кутателадзе, P. Д. Верулашвили, В. Е. Коган, Л. С. Хартишвили и И. Г. Камушадзе (71) Заявитель (54) ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЕ СТЕКЛО

Верхний предел кристаллизации, С

К20

Темперарч 100 С

Na,0

МпО

ЯО, А1г0, тура варки, С весовые

0,5.10

0,22 10"

0,79 10 1

1460 †14

1460 †14

1460 †14

920

22,6

14,05

0,2

0,2

0,2

66,6

72,6

72,13

10,6

10,4

11,5

2,75

16,15

Изобретение относится к составу стекла, предназначенному для получения стеклоизделий с электронной природой проводимости, рекомендуемых для использования их в электротехнике.

Известно электротехническое стекло, включающее SIO2, AI OS, МпО, R20 (R — К, Na).

Целью изобретения является обеспечение объемного электрического сопротивления

10" — 10" ом см (100 — 300 С) и снижение верхнего предела кристаллизации. Это достигается тем, что стекло содержит (в вес. %):

Путем подбора соотношения окислов, а также вида щелочного окисла получена возможность регулирования абсолютного значения объемного электрического сопротивления и 11 - г 48 — 77

АIгОз 0,2 — 1

МпО 10 — 34

КгО 0,5 — 23.

5 Стекло получают следующим образом.

В качестве сырьевых материалов используют химические реактивы марки «чд», стекла ,варят при 1450 — 1480 С, вырабатывают при вязкости 10 — 104 пуаз, формуют с,примене10 нием обычных методов.

В таблице приведены некоторые составы стекол и их свойства. природы проводимости материала. В разработанных составах по сравнепшо с высокожелс15 зистыми снижена на 100 С температура верхнего предела кристаллизации, Предмет изобретения

Составитель О. Ломакина

Текред О. Гумен. ок

Корректор Н. Лебедева

Редактор Г. Кувыкина

Тираж 559 Подписное

Щ- КИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по дел".ì изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раугиская наб., д. 4/5

Типография, гр. Сапунова, 2

Электротехическое стекло, включающее

$102, А1вОв,МпО,К20 (R=К, Na), отл ичающе тем, что, с целью обеспеченич объем- 5 ного электрического сопротивления 10 в —I0 ом см и снижения верхнего предела кристаллизации, оно содержит указанные компоненты в следующих количествах (в вес. %):

SiOg 48 — 77

А1гОз 0,2 — 1

МпО 10 — 34

RO 0,5=23.