Запоминающий элемент

Запоминающий элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБР ЕТЕ Н-И Я

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

<ц 459802

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 10.05.73 (21) 1916131/18.-24 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.02.75. Бюллетень № 5

Дата опубликования описания 02.04.75 (51) М. Кл. G 11с 11/42

G llc 11 34 государственный комитет

Соавтв Министров СССР по делам изооретений и откоытий (53) УДК 681.317.66 (088.8) (72) Авторы

- изобретения

В. П. Лаврищев, Э. А. Полторацкий, В, В. Поспелов и Н. Ф. Трутнев (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть применено в

ЗУ, устройствах отображения информации и усилителях изображения.

Известны запоминающие элементы, содержащие расположенные между двумя слоями проводника слой полупроводника и слой диэлектрика с остаточной поляризацией.

Недостатком таких устройств является невозможность оптического считывания информации, что не позволяет применить их в оптоэлектронных запоминающих устройствах.

Целью изобретения является устранение этого недостатка.

Эта цель достигается тем, что в элементе на слой диэлектрика с долговременной остаточной поляризацией (ДОП) нанесен дополнительно слой электролюминофора, а верхний слой проводника выполнен полупрозрачным.

Это позволяет считывать информацию, записанную в диэлектрическом слое, в виде картины, состоящей из светящихся и темных точек.

На чертеже представлена схема предлагаемого элемента.

Он состоит из полупроводникового (например, кремниевого) кристалла 1, слоя диэлектрика ДОП 2 (например, нитрида кремния), слоя электролюминофора (например, ZnS легированного Cu, Mn) 3, сплошного электрода 4, полупрозрачного электрода (например, из Аи или $пОе) 5 и источников переменного и постоянного напряжения 6 и 7.

Принцип работы предлагаемого элемента заключается в следующем.

Запись информации в таком ЗУ соответствует захвату и локализации заряда в слое диэлектрика 2. Участки ДОП где заряд захвачен, обладают емкостью на порядок большей, чем у аналогичных участков, на которых ничего не записано. Это позволяет организовать считывание. Если к структуре, представленной на чертеже, приложить переменное напряже15 ние, то оно распределится обратно пропорционально емкостям участков слоев 3 и 2. В тех местах, где емкость слоя 2 больше (информация записана), напряжение на слое электролюминофора больше и может наблюдаться

20 электролюминесцеиция.

Таким образом, вся записанная информация одновременно воспроизводится в виде световой картины.

Для нормального функционирования эле25 мента необходимо, чтобы емкость участков с записанной информацией отличалась в 5—

10 раз от емкости соседних участков без записи. При этом необходимо, чтобы емкости слоев 2 и 3 были одного порядка, Хороший

30 контраст изображения обеспечивается благо459802

Предмет изобретения

Составитель В. Страхов

Техред Л. Морозова

Редактор Л. Утехина

Корректор Н. Аук

Заказ 789/3 Изд. № 4I6 Тираж 648 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, K-35, Раушская наб., д. 476

Типография, пр. Сапунова, 2 даря большой крутизне вольт-яркостных характеристик электролюминофоров — U", где а изменяется от 3 до 30 для разных материалов. ,Эти требования реализуются, например, при использовании в качестве диэлектрика нитрида кремния, а в качестве электролюминофора — ZnS, легированного Cu, Mn. Толщина о слоя ДОП 1000А, люминофора — 1 мкм.

В этом случае погонные емкости одного порядка и составляет 104 пф/ем . Интервал напряжений на диэлектрике, в пределах которого записанная информация не уничтожается, т. е. накопленный заряд не переходит из диэлектрика в полу проводник или контакт, составляет 30 в. Этих напряжений достаточно для нормального функционирования электролюминосфора. Коэффициент а для ZnS легированного Cu, Mn может иметь значения

10 — 30.

Запись информации в предлагаемое ЗУ можно осуществлять, используя, например, эффект генерации носителей в обедненном слое кремния вблизи слоя диэлектрика при освещении локальных областей.

Другой способ записи состоит в использовании фотопроводящих свойств электролюминесцентного слоя: к структуре прикладывается постоянное напряжение и производится засветка тех участков поверхности, где хотят произвести запись информации. При этом сопротивление освещенных участков уменьшается, и соответственно возрастает напряжение, приложенное к системе диэлектрик — полупроводник.

При подходящем выборе напряжения заряды из полупроводника переходят в диэлектрик, т. е. осуществляется процесс записи.

Запоминающий элемент, содержащий расположенные между первым и вторым слоями проводника слой полупроводника и слой диэлектрика с остаточной поляризацией, отл ич а ю шийся тем, что, с целью обеспечения оптического считывания информации, он содержит слой электролюминофора, расположенный между слоем диэлектрика и вторым слоем проводника, выполненным полупрозрачным.