Термоэлектрический преобразователь
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Л ИСАНИ Е
ИЗОВРЕТЕН ИЯ
1и> 463008
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 10.05.72 (21) 1783919 18-10 (51) 31 Кл. 6 0 i l 7 02 с присоединением заявки №
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет
Опубликовано 05.03.75. Бюллстснь № 9
Дата опубликования описания 05.0G.75 (53) УДК 536.532(088.8) (72) Авторы изобретения
П. П. Бодюл, Д. В. Гицу, В. И. Заборовский, Б. П. Котрубенко и Т. А. Любчак
Кишиневский научно-исследовательский институт электроприборостроения (71) Заявитель (54) ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
Предмет изобретения
Известны термоэлектрические преобразователи, содержащие нагреватель из литого микропровода в стеклянной изоляции и термоэлектроды из полупроводникового анизотропного материала с двумя типами носителей тока.
Предлагаемый преобразователь отличается тем, что, с целью повышения чувствительности, термоэлектроды выполнены в форме остеклованных нитей из материала класса
Ды с анизотропной магнитотермоэлектродвижущей силой и размещены в зазоре постоянных магнитов, встроенных в корпус.
На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого устройства.
В корпусе 1 преобразователя расположены нагреватель 2 из литого металлического микропровода в стеклянной изоляции, термоэлектроды 3, постоянные магниты 4, токоподводы 5.
Измеряемый сигнал поступает через токоподводы на нагреватель 1, а от последнего разогревается спай термопары (двух термоэлектродов 3 из микропроводов с жилой из материалов класса Ды, сигнал с которой подается на токовыводы, впаянные в стенку корпуса.
Нагреватель выполнен из литого микропровода с жилой из сплава М диаметром 1 вЂ
3 мкм. Термопара выполнена из микропровода в стеклянной изоляции с жилой из анизотропного полупроводникового материала класса Д, например В,+12 ат. 5,+
+0,3 ат. O P,, причем оба термоэлектрода имеют носители противоположных знаков.
Термопара номе.цена в зазоры не менее двух постоянных магнитов 4, т. е. каждый термоэлектрод находится в зазоре хотя бы одного магнита. Благодаря тому, что у мате10 риалов класса Д;„ термоэ.д.с. в магнитном поле резко возрастает, чувствительность термоэлектрического преобразователя повышается. 11апряженность магнитного поля в зазора: магнита 0,8 — 1 кэ.
Термоэлектрический преобразователь, со20 держащий нагреватель из литого микропровода в стеклянной изоляции, термоэлектроды из полупроводникового анизотропного материала с двумя типами носителей тока и корпус, о тл ич а ю щ ийс я тем, что, с целью по25 вышения чувствительности, он снабжен постояннымп магнитами, в зазоре которых помещены термоэлектроды в виде остеклованных нитей нз материала класса Д.- с анизотропной магпптогсрмоэлектродвнжущей cJ30 лой, причем магниты встроены в корпус.
463008
Составители Л. Харламова
Текред А. Камышникова
Корректор Н. Аук
Редактор Б. Федотов ипографии, пр Сапуиова, 2
Заказ 1329/7 Изд. М 526 Тираж 740 Подписио
11111111П11 Государствеппого коматоза Соиста Министров СССР ио делам пзоорстспип и отк1)ыа пп
М с;иа, гК-35, Рауишкаи паб., и. 4, 5